武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本编制日期：二一三年一月武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本建设单位：武汉新芯集成电路制造有限公司评价单位：信息产业电子第十一设计研究院 科技工程股份有限公司编制日期：二一三年一月目 录1.建设项目概况11.1建设项目的地点及相关背景11.2建设项目主要建设内容11.3生产工艺41.4生产规模61.5建设进度和投资61.6建设项目选址合理性分析61.7产业政策的符合性分析71.8规划的符合性分析72.建设项目周围环境状况92.1建设项目所在地的环境现状92.2建设项目环境影响评价范围93.建设项目环境影响预测及拟采取的主要措施与效果123.1污染物排放及治理措施123.1.1废水污染源排放及治理措施123.1.2地下水污染防治措施153.1.3废气排放及治理措施163.1.4噪声产生及防治措施193.1.5固体废弃物产生及处置情况203.1.6项目调整前后污染物排放情况对比203.2环境保护目标213.3项目主要环境影响及其预测评价结果243.4污染物达标排放分析263.5环境风险分析283.5.1风险预测结果283.5.2风险防范措施293.5.3风险应急预案293.5.4与武汉东湖新技术开发区应急预案相结合293.6建设项目环境保护措施的技术、经济论证结果303.7建设项目对环境影响的经济损益分析结果303.8建设单位拟采取的环境监测计划及环境管理制度303.8.1环境监测计划303.8.2环境管理规章制度314.公众参与324.1公众参与调查324.1.1调查目的324.1.2调查方法324.1.3调查对象364.2调查结果统计394.2.1参与调查人员的基本情况394.2.2对本项目建设的意见统计404.2.3结论425.环境影响评价结论446.联系方式44i武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本1. 建设项目概况1.1 建设项目的地点及相关背景武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目拟建于武汉东湖新技术开发区流芳产业园高新四路18号，武汉新芯集成电路制造有限公司内。2006年，武汉新芯集成电路制造有限公司在武汉东湖新技术开发区投资建设了集成电路芯片代工工厂（12英寸集成电路生产线项目），生产能力为12英寸90nm芯片，月投片量1.5万片（18万片/年）。2006年9月，环保部（原国家环保总局）以环审2006478号文关于武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线项目环境影响报告书的批复对该项目进行了批复。2010年2月26日，环保部以环验201055号文关于武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线项目竣工环境保护验收意见的函，确认该项目环境保护手续齐全，落实了环评及其批复提出的各项环保措施和要求，主要污染物达标排放，工程竣工环境保护验收合格。2011年，武汉新芯集成电路制造有限公司拟新增投资约35亿美元建设12英寸集成电路芯片扩产项目，利用公司预留用地新增生产线，完善动力设施及相关辅助设施，新增12英寸、45nm为主的集成电路芯片3万片/月的生产能力。2011年4月，湖北省环境保护厅以“鄂环函2011 286号”下达了关于武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产项目环境影响报告书的批复。武汉新芯集成电路制造有限公司对发展规划进行了一定调整，决定调整原“12英寸集成电路芯片扩产项目”，将原计划投资35亿美元，生产3万片/月的12英寸、45nm为主的CMOS芯片调整变更为投资6.35亿美元，生产6万片/月的12英寸、65nm的BSI芯片（背照式影像传感芯片）。调整项目在公司现有征地范围内进行，依托现有生产厂房及部分设备，同时新增部分生产及动力辅助设备。由于项目建设发生了调整，该调整势必给项目所在区域带来较原环评而言不同的环境影响，为了了解项目调整后的环境影响情况，武汉新芯集成电路制造有限公司特委托信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司为其12英寸集成电路生产线扩产调整项目编制环境影响报告书。我公司接受委托后立即组织现场踏勘，在充分研读项目有关文件和现有工程相关资料的基础上，编制出环境影响报告书呈环境保护主管部门审查。2012年12月29日，湖北省环境保护厅在武汉市召开本项目环境影响报告书技术审查会，评价单位根据会上形成的专家评审意见，对报告书进行了修改和补充，形成了武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书（报批本），提交建设单位上报环保主管部门审批。1.2 建设项目主要建设内容武汉新芯集成电路制造有限公司总征地面积310573.34 m2，位于高新四路以北、长通南路以东。本次调整项目，在公司已征地范围内进行建设，不新征土地。本次调整项目将利用现有工程已有构筑物及设施，仅新建化学品库二。其情况见表1-1。表1-1 本调整项目新建构筑物数据表序号建筑代号层数占地面积(m2)建筑面积(m2)备注1化学品库二1846846构筑物新建现有工程在芯片生产厂房Fab12a中已设置投片量1.5万片/月的生产线；本次调整项目拟利用在芯片生产厂房Fab12a内6500m2的预留空间安装投片量6.0万片/月的生产线。 项目组成及主要建设内容见表1-2。表1-2 工程项目组成表序号工程项目建设内容主要环境问题备注施工期营运期一、主体工程施工噪声建筑垃圾废水废气噪声固体废物1.1芯片生产厂房（Fab12a）3F, 14423.11m 2，目前已有投片量1.5万片/月生产线；本次利用其预留6500m2空间，新增生产设备，安装投片量6.0万片/月的生产线，位于Fab12a第一层及第二层。厂房外壳利旧二、辅助、公用工程2.1动力厂房(CUB6) 24798.13 m2，利用动力厂房土建外壳，新增部分设备。地下一层：水池、水泵房、药剂间；一层： 库房及废水处理系统；二层：纯水系统（本次扩能153m3/h），项目建成后总制备能力为303 m3/h）；三层：变电站、冷水机组、工艺冷却水系统；屋面：冷却塔。施工噪声建筑垃圾噪声、废水构筑物利旧2.2化学品库二新建，面积为846m2。用于存放磷酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、砷化氢、磷化氢、Spin Etch D、HNA等化学品。施工扬尘、施工废气、施工噪声、施工废水、 建筑垃圾废容器、环境风险新建2.3变电站（PS6）新增50MVA主变压器1台。施工噪声建筑垃圾噪声构筑物利旧2.4柴油发电机房（DG6）新增3台1600kW柴油发电机。噪声2.5锅炉房（BH6）新增设1台4200kW锅炉；扩产冷冻水系统。噪声、烟气2.6硅烷站（SiH4）现有最大储存量170m3，完全利旧。/风险完全利旧2.7油泵房（OPH）现有最大储存量200m3，完全利旧。/废油、含油废水2.8危险废物暂存库存放面积273m2；存放废光刻胶、混合有机溶剂、化学品空桶等，完全利旧。/危废、风险2.9一般废弃物暂存库存放面积102m2；完全利旧。/固废2.10废液暂存间Fab 12a：位于生产厂房1F，存放面积619 m2；完全利旧。废液收集罐储存能力相同，均为浓含氟废水20m3、硫酸15m3、磷酸15m3、含铜废水10m3、废有机溶剂50m3/危废、风险2.11特殊气体供应系统Fab12a：已建成36种气体（惰性气体、腐蚀性气体、烷类气体等)；完全利旧。/风险完全利旧2.12工艺排风系统在Fab12a内设有机废气排风、酸性废气排风、碱性废气排风、有毒气体排风和一般排风系统；完全利旧。/设备噪声2.13废气处理系统Fab 12a：设有有机废气处理系统3套、酸性废气处理系统8套、碱性废气处理系统3套、有毒气体处理系统1套；完全利旧/酸碱废水含氟废水噪声2.14工艺废水处理系统酸碱废水、含氟废水、CMP废水、含铜废水处理系统；完全利旧。/噪声、废水处理污泥、硫酸铵溶液2.15生活污水处理系统盥洗间粪便污水经化粪池处理，食堂含油废水经隔油池处理后，排入厂区污水管网；完全利旧。/废水处理污泥、废油三、办公、生活设施3.1办公大楼（OS6）完全利旧/生活垃圾、生活污水、食堂油烟完全利旧3.2门卫完全利旧1.3 生产工艺项目调整前生产12英寸 CMOS芯片（Complementary Metal Oxide Semiconductor），采用65/45nm制程，以45nm为主。CMOS芯片制作原理是通过外购空白硅片（晶圆），经清洗、氧化、扩散、光刻、去胶、离子注入、刻蚀、化学气CVD、金属化、CMP等工序在硅片上形成电路图形，上述工序反复交叉，多次循环。本次调整项目引进豪威科技有限公司BSI制造技术，生产12英寸BSI芯片（Backside Illumination CMOS Image Sensors），即背照式影像传感芯片（以下简称“BSI芯片”），采用65nm制程。BSI芯片可分为前段工序（CMOS芯片制作）和后段工序（CMOS芯片贴合后制作），前段工序的制程数量远大于后段工序。本调整项目在厂区内仅进行BSI芯片的后段工序，制作原理是外购CMOS芯片，将CMOS芯片与一片空白硅片（外购）进行贴合，贴合后对CMOS芯片的背面进行打磨减薄处理，接着在CMOS芯片背面进行氧化、扩散、光刻、去胶、离子注入、刻蚀、CVD、金属化、CMP等多道工序，上述工序反复交叉，多次循环。本调整项目仅进行BSI芯片后段工序，生产所需的CMOS芯片均为外购（由濠威科技有限公司提供）。项目调整前后所涉及生产工艺大致相同，本次调整仅新增“硅片结合”、“化学机械打磨”工序。由于CMOS芯片制作涉及的制程数量较多，而本调整项目无需在厂内进行CMOS芯片制作，因此项目调整后较调整前，在原辅材料用量及制程数量上均有大大减少。项目调整前后涉及的生产工艺大致相同，本次调整仅新增“硅片结合”、“化学机械打磨”工序；同时，由于产品性质的不同，BSI芯片较调整前的CMOS芯片制程数量大大减少。本调整项目生产工艺流程图见图1-1。44武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本硅片硅片清洗氧 化硅片结合化学机械打磨涂胶、曝光、显影刻 蚀（干法、湿法）扩 散离子注入CVD沉积溅 射铜制程铜制程清理焊缝化学机械