泓域咨询/鄂尔多斯光刻胶项目招商引资方案目录第一章 项目背景及必要性8一、 光刻胶分类8二、 半导体光刻胶多样化需求8三、 国内光刻胶市场规模9四、 加强创新平台建设和人才引进11五、 实施研发投入攻坚行动11六、 项目实施的必要性11第二章 市场预测13一、 面板光刻胶种类13二、 光刻胶组成13第三章 项目基本情况15一、 项目名称及投资人15二、 编制原则15三、 编制依据15四、 编制范围及内容16五、 项目建设背景17六、 结论分析17主要经济指标一览表19第四章 项目投资主体概况21一、 公司基本信息21二、 公司简介21三、 公司竞争优势22四、 公司主要财务数据24公司合并资产负债表主要数据24公司合并利润表主要数据25五、 核心人员介绍25六、 经营宗旨26七、 公司发展规划27第五章 建筑工程可行性分析33一、 项目工程设计总体要求33二、 建设方案33三、 建筑工程建设指标34建筑工程投资一览表34第六章 项目选址方案36一、 项目选址原则36二、 建设区基本情况36三、 项目选址综合评价37第七章 SWOT分析39一、 优势分析（S）39二、 劣势分析（W）41三、 机会分析（O）41四、 威胁分析（T）42第八章 发展规划50一、 公司发展规划50二、 保障措施56第九章 法人治理结构58一、 股东权利及义务58二、 董事60三、 高级管理人员65四、 监事67第十章 进度实施计划70一、 项目进度安排70项目实施进度计划一览表70二、 项目实施保障措施71第十一章 安全生产72一、 编制依据72二、 防范措施73三、 预期效果评价76第十二章 工艺技术分析77一、 企业技术研发分析77二、 项目技术工艺分析79三、 质量管理81四、 设备选型方案82主要设备购置一览表82第十三章 人力资源配置84一、 人力资源配置84劳动定员一览表84二、 员工技能培训84第十四章 项目环保分析87一、 编制依据87二、 环境影响合理性分析88三、 建设期大气环境影响分析90四、 建设期水环境影响分析90五、 建设期固体废弃物环境影响分析90六、 建设期声环境影响分析91七、 环境管理分析92八、 结论及建议93第十五章 投资估算及资金筹措95一、 编制说明95二、 建设投资95建筑工程投资一览表96主要设备购置一览表97建设投资估算表98三、 建设期利息99建设期利息估算表99固定资产投资估算表100四、 流动资金101流动资金估算表101五、 项目总投资102总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划103项目投资计划与资金筹措一览表104第十六章 经济效益分析105一、 基本假设及基础参数选取105二、 经济评价财务测算105营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表107利润及利润分配表109三、 项目盈利能力分析109项目投资现金流量表111四、 财务生存能力分析112五、 偿债能力分析112借款还本付息计划表114六、 经济评价结论114第十七章 招投标方案115一、 项目招标依据115二、 项目招标范围115三、 招标要求116四、 招标组织方式118五、 招标信息发布121第十八章 总结说明122第十九章 附表124营业收入、税金及附加和增值税估算表124综合总成本费用估算表124固定资产折旧费估算表125无形资产和其他资产摊销估算表126利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表129建设投资估算表129建设投资估算表130建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目背景及必要性一、 光刻胶分类光刻胶按显示的效果，可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相反，称为负性光刻胶；如果显影时曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相同，称为正性光刻胶。由于负性光刻胶显影时易变形和膨胀，分辨率通常只能达到2微米，因此正性光刻胶的应用更为普及。按照应用领域，光刻胶可以划分为半导体用光刻胶、平板显示用光刻胶、PCB光刻胶。随着科技的发展，现代电子电路越发向细小化集成化方向发展，随着对线宽的不同要求，光刻胶的配方有所不同，但应用相同，都是用于微细图形的加工，按照应用领域，光刻胶可以划分为半导体用光刻胶、平板显示用光刻胶、PCB光刻胶。二、 半导体光刻胶多样化需求在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40-50%，占制造成本的30%。半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求，而不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率，从而达到集成电路更高密度的集积。ArF干法光刻胶和ArF湿法光刻胶均是晶圆制造光刻环节的关键工艺材料，ArF湿法光刻胶常用于更先进的技术节点。传统的干法光刻技术中，光刻机镜头与光刻胶之间的介质是空气，光刻胶直接吸收光源发出的紫外辐射并发生光化学反应，但在此种光刻技术中，光刻镜头容易吸收部分光辐射，一定程度上降低光刻分辨率，因此ArF干法光刻胶主要用于55-90nm技术节点；而湿法光刻技术中，光刻机镜头与光刻胶之间的介质是高折射率的液体（如水或其他化合物液体），光刻光源发出的辐射通过该液体介质后发生折射，波长变短，进而可以提高光刻分辨率，故ArF湿法光刻胶常用于更先进的技术节点，如20-45nm。三、 国内光刻胶市场规模下游需求推动国内光刻胶市场规模持续加大。国内光刻胶市场规模自2015年以来增速加快，2019年国内光刻胶市场规模达159亿元，增速15.22%。随着下游需求发展，带动光刻胶行业快速发展，光刻胶市场规模逐步扩大。从产品结构来看，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比很低。PCB光刻胶市场规模趋缓，高端市场仍依赖进口。PCB光刻胶技术壁垒较半导体光刻胶和面板光刻胶较低，率先实现国产化替代，而干膜光刻胶产品高度依赖进口。2019年国内PCB光刻胶市场规模为82亿元，增速3.8%。从企业类型来看，2020年我国PCB光刻胶国产企业占比达61%。彩色和黑色光刻胶市场国产化率较低，触控屏光刻胶逐步实现国产化替代。根据中商产业研究院数据，2020年我国LCD光刻胶国产企业占比较小，达35%。从产品类型来看，我国彩色和黑色光刻胶市场国产化率较低，仅为5%左右，主要日本和韩国外资品牌占领，触控屏光刻胶技术上有所突破，国产化率在30%-40%左右。国内半导体规模持续扩大。2020-2022年是中国大陆晶圆厂投产高峰期，以长江存储等新兴晶圆厂和以中芯国际、华虹为代表的老牌晶圆厂正处于产能扩张期，未来3年将迎来密集投产。光刻胶作为半导体制造的核心材料之一，对半导体光刻胶需求不断增长，据前瞻产业研究院援引美国半导体协会数据显示，中国半导体光刻胶市场从2015年1.3亿美元增长至2020年的3.5亿美元，复合增速达22%。半导体光刻胶应用以高端产品为主。半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶，从我国半导体光刻胶的市场结构来看，2020年ArF光刻胶占比40%,KrF光刻胶占比39%，G/I线光刻胶占比20%。从企业类型来看，我国半导体光刻需求主要由外资企业来满足，根据前瞻产业研究院引用新材料在线数据，2020年外资企业市场份额达到71%。从不同光刻胶产品的自给率来看，根据晶瑞电材公告数据，目前适用于6英寸硅片的g线、i线光刻胶的自给率约为10%，适用于8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%，而适用于12寸硅片的ArF光刻胶基本依靠进口。四、 加强创新平台建设和人才引进推动呼包鄂国家自主创新示范区建设，推进鄂尔多斯产业技术研究院、现代能源经济研究院、荒漠化治理技术创新中心建设，打造高水平科研及成果转移转化平台，提高协同创新能力。推动科技企业孵化器、众创空间高质量发展，鼓励引导各类创新平台开放共享。编制年度人才需求目录，加大柔性引才力度，建立全生命周期人才创新创业服务体系，确保各类人才引得进、干得好、留得住。五、 实施研发投入攻坚行动建立政府投入刚性增长机制和社会多渠道投入激励机制，优化财政预算结构，把可用财力重点用于科技创新，确保财政科技投入持续稳定增长。设立科技创新基金，支持和引导金融资本、民间资本更多地进入创新领域，形成多元化投资、持续增长的良性发展机制。今年市级安排科技经费11亿元以上，带动全社会研发经费支出占GDP比重1.2%以上。六、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第二章 市场预测一、 面板光刻胶种类彩色滤光片一般由玻璃基板（GlassSubstrate）、黑色光刻胶（BM，即BlackMatrix）、彩色光刻胶层（ColorLayer）、保护层（OverCoat）以及ITO导电膜所组成。彩色光刻胶层RGB排列在玻璃基板上，为了提高不同颜色的对比度和防止不同颜色体之间的背景光的影响，RGB被黑色光刻胶分开。触摸屏用光刻胶主要用于在玻璃基板上沉积ITO制作触摸电极；TFT-LCD正性光刻胶主要用于微细图形加工。彩色光刻胶和黑色光刻胶技术要求很高。彩色光刻胶和黑色光刻胶是由成膜树脂、光引发剂、颜料、溶剂和添加剂组成。一般彩色光刻胶和黑色光刻胶是负性胶，形成的图形与掩模板相反，且彩色光刻胶和黑色光刻胶将留在CF基板上，故对它们的性能要求很高。此外彩色光刻胶和黑色光刻胶含有颜料，和不含颜料的光刻胶体系相比，制造技术要求更高，要求有效的颜料分散稳定技术，还由于颜料具有遮光性，需要高感度光刻树脂体系，高感度光引发剂和树脂的性能起着决定性作用。二、 光刻胶组成光刻胶是利用光化学反应经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，由成膜剂、光敏剂