(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(21) 申请号 CN201110262629. X(22) 申请日 2011.09. 07(71) 申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司地址100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号(72) 发明人周鸣(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人欧阳帆(51) Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称能够改善等离子体诱导损伤的半导体器件及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种能够改善等离子体诱导损伤的半导体器件及其制造方法。通过在P型半导体衬底的背面形成n型半导体区，并且可选地进一步在该p型半导体衬底的背面形成绝缘层，本发明可以改善等离子体诱导损伤，从而提高了半导体器件的可靠性。法律状态法律状态公告日2013-03-202013-04-17法律状态信息公开实质审查的生效法律状态公开实质审查的生效