结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别 (1)从包装上辨别 由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏，所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的；而结型场效应管在包装上无特别要求。 (2)用指针式万用表的电阻档测量 用万用表的“R谴k”档或“R?00”档测G、S管脚间的阻值，若正、反向电阻都很大近乎不导通，则此管为绝缘栅型管；若电阻值呈PN结的正、反向阻值，此管为结型管。 2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚 一般用R?k或R?00档进行测量，测量时，任选两管脚，测正、反向电阻，阻值都一样(均为几千欧)时，该两极分别为D、S极(在使用时，这两极可互换)，余下的一极为 由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏，所以不使用此方法进行管脚识别，一般以查手册为宜。 = 场效应管检测方法与经验 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判断结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。详细办法：将万用表拨在R?k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极确定是栅极。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔顺次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当涌现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是结的反向，即都是反向电阻，可以判定是沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向结，等于正向电阻，判断为沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不呈现上述情形，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极1与栅极2之间的电阻值同场效应管手册表明的电阻值是否相符去判别管的好坏。详细方式：首先将万用表置于?或?00档，测量源极与漏极之间的电阻，通常在几十欧到几千欧畴（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不雷同的），如果测得阻值大于正常值，可能是因为部接触不良；假如测得阻值是无穷大，可能是部断极。然后把万用表置于?档，再测栅极1与2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则解释管是畸形的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要留神，若两个栅极在管断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R?00档，红表笔接源极，黑表笔接漏极，给场效应管加上1.5的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流I都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。 根据上述方法，我们用万用表的R?00档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的极开路，测得漏源电阻RDS为600，用手捏住极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12k，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。 应用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增长）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，实验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也实用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极容许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量结束，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，树立起G电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。 （4）用测电阻法判别无标记的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极和漏极，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极与漏极之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极；红表笔所接的为源极。用这种方法判别出来的、极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是极；红表笔所接地是极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极、源极的位置后，按、的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了、S、G1、G2管脚的顺序。 （5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小 对 沟道加强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极、黑表笔接漏极，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R?0k的高阻档，此时表电压较高。当用手接触栅极时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。 二、.场效应管的使用注意事项 （1）为了安全使用处效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严厉按要求的偏置接人电路中，要遵照场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是结，沟道管栅极不能加正偏压；沟道管栅极不能加负偏压，等等。 （3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、储藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子，保留时最好放在金属盒，同时也要注意管的防潮。 （4）为了预防场效应管栅极感应击穿，请求所有测试仪器、工作台、电烙铁、线路自身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全体引线端保持相互短接状况，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以恰当的方法确保人体接地如采取接地环等；当然，如果能采用进步的气热型电烙铁，焊接场效应管是比拟方便的，并且确保平安；在未关断电源时，相对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上保险办法在应用场效应管时必需注意。 （5）在装置场效应管时，注意安装的位置要尽量防止凑近发烧元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在曲折时，应该大于根部尺寸毫米处进行，以避免弯断管脚和引起漏气等。 对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷前提下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定牢靠地工作。 总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技巧职员，特殊是宽大的电子喜好者，都要根据本人的实际情况动身，采用切实可行的措施，安全有效地用好场效应管。 三.VMOS场效应管 VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继续了MOS场效应管输入阻抗高（108W）、驱动电流小（0.1A左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A100A）、输出功率高（1250W）、跨导的线性好、开关速度快等精良特性。恰是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正取得广泛应用。 VMOS场效应功率管拥有极高的输入阻抗与较大的线性放大区等长处，尤其是其具备负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因而，VMOS管的并联得到普遍利用。 家喻户晓，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大抵处于同一程度面的芯片上，其工作电流基础上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的反面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N 区（源极S）出发，经由P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下达到漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流畅截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。 海出产VMOS场效应管的重要厂家有877厂、半导体器件四厂、电子管厂等，典产品有VN401、VN672、VMPT2等。 下面介绍检测VMOS管的方法。 1断定栅极G 将万用表拨至R?k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发明某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。 2判断源极S、漏极D 由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差别，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。 3测量漏-源通态电阻RDS（on） 将G-S极短路，抉择万用表的R?档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。 由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R?档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。 4检查跨导 将万用表置于R?k（或R?00）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。 注意事项： （1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交流表笔的位置。 （2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。 （3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，部有N沟道、P沟道管各三只，形成三相桥式结构。 （4）当初市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000S。适用于高速开关电路和播送、通讯设备中。 （5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140?40?（mm）的散热器后，最大功率能力到达30W。 （6）多管并联后，由于极间电容和散布电容相应