资源预览内容
第1页 / 共12页
第2页 / 共12页
第3页 / 共12页
第4页 / 共12页
第5页 / 共12页
第6页 / 共12页
第7页 / 共12页
第8页 / 共12页
第9页 / 共12页
第10页 / 共12页
亲,该文档总共12页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
资源描述
音频信号光纤传输技术实验预习要求通过预习应理解以下几个问题:1音频信号光纤传输系统由那几个部分组成、主要器件(LED、SPD和光纤)的工作原理;2LED调制、驱动电路工作原理 3LED偏置电流和调制信号的幅度应如何选择、;4测量SPD光电流的I-V变换电路的工作原理 。实验目的 1熟悉半导体电光/光电器件基本性能及主要特性的测试方法;2了解音频信号光纤传输系统的结构及各主要部件的选配原则;3掌握半导体电光和光电器件在模拟信号光纤传输系统中的应用技术;4学习音频信号光纤传输系统的调试技术。 实验原理 一 系统的组成图8-1-1 音频信号光纤传输系统原理图音频信号光纤传输系统的原理图如图8-1-1所示。它主要包括由LED(光源)及其调制、驱动电路组成的光信号发送器、传输光纤和由光电转换、IV变换及功放电路组成的光信号接收器三个部分。光源器件LED的发光中心波长必须在传输光纤呈现低损耗的0.85、1.3或1.5附近。本实验采用中心波长0.85的GaAs半导体发光二极管作光源、峰值响应波长为0.80.9的硅光二极管SPD作光电检测元件。为了避免或减少谐波失真,要求整个传输系统的频带宽度能够覆盖被传信号的频谱范围。对于音频信号,其频谱在20Hz20KHz的范围内。光导纤维对光信号具有很宽的频带,故在音频范围内,整个系统的频带宽度主要决定于发送端调制放大电路和接收端功放电路的频率特性。二、光纤的结构及传光原理衡量光纤信道性能好坏有两个重要指标:一是看它传输信息的距离有多远,二是看它单位时间内携带信息的容量有多大。前者决定于光纤的损耗特性,后者决定于光纤的频率特性。目前光纤的损耗容易做到每公里零点几dB水平。光纤的损耗与工作波长有关,所以在工作波长的选用上,应尽量选用低损耗的工作波长。光纤通讯最早是用短波长0.85,近来发展到能用1.31.55范围的波长,在这一波长范围内光纤不仅损耗低,而且“色散”也小。光纤的频率特性主要决定于光纤的模式性质。光纤按其模式性质通常可以分成单模光纤和多模光纤。无论单模或多模光纤,其结构均由纤芯和包层两部分组成。纤芯的折射率较包层折射率大。对于单模光纤,纤芯直径只有510,在一定条件下,只允许一种电磁场形态的光波在纤芯内传播。多模光纤的纤芯直径为50或62.5,允许多种电磁场形态的光波传播。以上两种光纤的包层直径均为125。按其折射率沿光纤截面的径向分布状况又分成阶跃型和渐变型两种光纤,对于阶跃型光纤,在纤芯和包层中折射率均为常数,但纤芯折射率n1略大于包层折射率n2。所以对于阶跃型多模光纤,可用几何光学的全反射理论解释它的导光原理。在渐变型光纤中,纤芯折射率随离开光纤轴线距离的增加而逐渐减小,直到在纤芯包层界面处减到某一值后,在包层的范围内折射率保持这一值不变,根据光射线在非均匀介质中的传播理论1可知:经光源耦合到渐变型光纤中的某些光射线,在纤芯内是沿周期性地弯向光纤轴线的曲线传播。本实验采用阶跃型多模光纤作为信道,以下应用几何光学理论进一步说明阶跃型多模光纤的传光原理。当一光束投射到光纤端面时,其入射面包含光纤轴线的光线称为子午射线,这类射线在光纤内部的行径是一条与光纤轴线相交、呈“Z”字型前进的平面折线。若耦合到光纤内部的光射线在光纤入射端的入射面不包含光纤轴线,称为偏射线。 偏射线在光纤内部不与光纤轴线相交;其行径是一条空间折线。以下我们只对子午射线的传播特性进行分析。n1n2n0121122222子午传导射线漏射线1图8-1-2 子午传导射线与漏射线 参看图8-1-2,假设光纤端面与其轴线垂直。对于子午光射线,根据smell定律及图8-1-2所示的几何关系有: (8-1-1)其中,所以有 (8-1-2) 其中是光纤入射端面左侧介质的折射率。通常,光纤端面处 在空气介质中,故n0 =1。由(8-1-2)式可知:如果光线在光纤端面处的入射角较小,则它进入光纤内部后投射到纤芯-包层界面处的入射角 就会大于按下式决定的临界角: (8-1-3)在此情形下光射线在纤芯-包层界面处发生全内反射。该射线所携带的光功率就被局限在纤芯内部而不外溢。满足这一条件的射线称为传导射线。 随着图8-1-2中入射角的增加,角就会逐渐减小,直到时,子午射线携带的光功率均可被局限在纤芯内。在此之后,若继续增加,则角就会变得小于, 这时子午射线在纤芯-包层界面处的全反射条件受到破坏,致使光射线在纤芯-包层界面处的每次反射均有部分光功率溢出纤芯外,光导纤维再也不能把光功率有效地约束在纤芯内部。这类射线称为漏射线。 设与对应的为,凡是以 为张角的锥体内入射的子午光线,投射到光纤端面上时,均能被光纤有效地接收而约束在纤芯内。根据(8-1-2)式有: 其中no 表示光纤入射端面空气一侧的折射率,其值为1,故: 通常把此式定义为光纤的理论数值孔径(Numerical Aperture), 用英文字符NA表示,即 NA = (8-1-4)它是一个表征光纤对子午射线捕获能力的参数,其值只与纤芯和包层的折射率 n1 和 n2 有关,与光纤的半径a无关。 在(8-1-4)式中: =称为纤芯和包层之间的相对折射率差, 愈大,光纤的理论数值孔径NA愈大,表明光纤对子午线捕获的能力愈强,即由光源发出的光功率更易于耦合到光纤的纤芯内。这对于作传光用途的光纤来说是有利的。但对于通讯用的光纤,数值孔径愈大,模式色散也相应增加,这不利于传输容量的提高。对于通讯用的多模光纤 值一般限制在1%左右。由于通信用多模光纤的纤芯折射率n1 是在1.50附近,故理论数值孔径的值在0.21左右。三、半导体发光二极管结构、工作原理、特性及驱动、调制电路PNpERL图8-1-3 半导体发光二极管的结构及工作原理光纤通讯系统中对光源器件在发光波长、电光效率、工作寿命、光谱宽度和调制性能等许多方面均有特殊要求。所以不是随便哪种光源器件都能胜任光纤通讯任务。目前在以上各个方面都能较好满足要求的光源器件主要有半导体发光二极管(LED)和半导体激光二极管(LD).本实验采用LED作光源器件.半导体发光二极管是一个如图8-1-3所示的N-p-P三层结构的半导体器件,中间层通常是由GaAs(砷化镓)p型半导体材料组成,称有源层,其带隙宽度较窄。两侧分别由GaAlAs的N型和P型半导体材料组成。与有源层相比,它们都具有较宽的带隙. 具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结. 在图8-1-3中,有源层与左侧的N层之间形成的是pN异质结,而与右侧P层之间形成的是p-P异质结,故这种结构又称N-p-P双异质结构(简称DH结构)。当给这种结构加上正向偏压时,就能使N层向有源层注入导电电子,这些导电电子一旦进入有源层后,因受到右边p-P异质结的阻挡作用不能再进入右侧的P层,它们只能被限制在有源层内与空穴符合。导电电子在有源层与空穴复合过程中,其中有不少电子要释放出能量满足以下关系的光子:其中h是普郎克常数,是光波的频率,E1 是有源层内导电电子的能量,E2是导电电子与空穴复合后处于价健束缚状态时的能量。两者的差值EC与DH结构中各层材料及其组份的选取等多种因素有关,制做LED时只要这些材料的选取和组份的控制适当,就可使得LED发光中心波长与传输光纤低损耗波长一致。半导体发光二极管的正向伏安特性如图8-1-4示,与普通的二极管相比,正向电压大于1V以后才开始导通。在正常使用情况下,正向压降为1.5V左右。半导体发光二极管LED的电-光特性如图8-1-5所示。为了使传输系统的发送端能够产生一个无非线性失真、而峰峰值又最大的光信号,使用LED时应先给它一个适当的偏置电流 ,其值等于电-光特性线性部分中点对应的电流值,而调制电流的峰峰值应尽可能大地处于电-光特性的这一线性范围内。01.01.11.21.31.41.51.65101520253020100I(mA)P(W)I(mA)V(v)图8-1-4 LED的正向伏安特性图8-1-5 LED的电光特性发送端LED的驱动和调制电路如图8-1-6所示,以BG1为主构成的电路是LED的驱动电路,调节这一电路中的W2可使LED的偏置电流在050mA的范围内变化。音频信号由IC1构成的音频放大电路放大后,经电容器C4耦合到BG1基极对LED的工作电流进行调制,从而使LED发送出光强随音频信号变化的光信号,并经光导纤维把这一信号传送到接收端。根据理想运放电路开环电压增益大、同相和反相输入端输入阻抗高和虚地等三个基本性质,可以推导出图8-1-6所示音频放大电路的闭环增益为: G(j)= V0 / Vi = 1+ Z2 / Z1 ( 8-1-5)图8-1-6 LED的驱动和调制电路其中Z2、Z1分别为放大器反馈阻抗和反相输入端的接地阻抗。只要C3选得足够小,C2选得足够大,则在要求带宽的中频范围内,C3的阻抗很大,它所在支路可视为开路,而C2的阻抗很小,它可视为短路。在此情况下,放大电路的闭环增益 G(j)=1+R3/R1 。C3的大小决定了高频端的截止频率f2,而C2的值决定着低频端的截止频率f1。故该电路中的R1、R2、R3和C2、C3是决定音频放大电路增益和带宽的几个重要参数。四半导体光电二极管的结构、工作原理及特性半导体光电二极管与普通的半导体二极管一样,都具体一个p-n结,光电二极管在外形结构方面有它自身的特点,这主要表现在光电二极管的管壳上有一个能让光射入其光敏区的窗口.此外,与普通二极管不同,它经常工作在反向偏置电压状态(如图8-1-7a所示)或无偏压状态(如图8-1-7b所示)(注:光电二极管的偏置电压是指无光照时二极管两端所承受的电压).在反压工作状态下p-n结的空间电荷区的势垒增高、宽度加大、结电阻增加、结电容减小,所有这些均有利于提高光电二极管的高频响应性能。无光照时,反向偏置的p-n结只有很小的反向漏电流,称为暗电流。当有光子能量大于p-n结半导体材料的带隙宽度E g的光波照射到光电二极管的光敏区时,p-n结各区域中的价电子吸收光子能量后,将挣脱价键的束缚而成为自由电子,与此同时也产生一个自由空穴。这些由光照产生的自由电子-空穴对,统称为光生载流子。在远离空间电荷区(亦称耗尽区)的p区和N区内,电场强度很弱,光生载流子只有扩散运动,它们在扩散的途中因复合而被消失掉,故不能形成光电流。形成光电流的主要靠空间电荷区的光生载流子,因为在空间电荷区内电场很强,在此强电场作用下,光生自由电子-空穴对将以很高的速度分别向N区和P区运动,并很快越过这些区域到达电极,沿外电路闭合形成光电流。光电流的方向
收藏 下载该资源
网站客服QQ:2055934822
金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号