三星公司 SDRAM 器件操作手册 中英文对照版本(SDRAM DEVICE OPERATION)翻译：合肥工业大学 检测技术研究所 彭良清(peng6602hotmail.com)日期：2004/5/1原文： http;/www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/TechnicalInfo/sdram_device_operation_full_version_200401.pdf本文档请参考下2个文档阅读：I. “SDRAM Timing Diagram”(SDRAM时序图)，原文位于：http:/www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/TechnicalInfo/sdram_timing_diagram_20040205.pdfII. “K4S643232H-TC/L604 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM”(本设计使用的 SDRAM 芯片手册)，原文位于： http:/www.samsung.com/Prodiicts/Semicondiictor/DRAM/SDRAM/SDRAMcomponent/64Mbit/K4S643232H/ds_k 4s643232h_13.pdf,所有时间参数以该手册上速度为“ 一10”的数据为准(速度最慢者)。因此如果时间参数为“ 20ns ”，就相当于2 个时钟周期。说明：本中文的页码和原英文对应的页码内容相对应。目 录：A. 用于模式编程的模式寄存器域表(MODE REGISTER FIELD TABLE TO PROGRAM MODES)2B. 上电命令序列(POWER UP SEQUENCE)2C. 突发操作顺序(BURST SEQUENCE)3D. 器件操作 DEVICE OPERATIONS4 器件地址线分配(ADDRESS INPUTS)4时钟(CLK)6 时钟使能(CKE)6 空操作(NOP)和器件未选中6 DQM 操作(DQM OPERATION)7 模式寄存器设置(MRS)7体激活(BANK ACTIVATE)突发读(BURST READ) 突发写操作 (BURST WRITE)8 对所有体进行预充电(ALL BANKS PRECHARGE8 预充电(PRECHARGE)8 自动预充电(AUTO PRECHARGE)8 自动刷新(AUTO REFRESH)8 自我刷新(SELF REFRESH)说明：“CL”或称“CAS Latency ”指发出读命令和数据出现在总线上的延时，一般为2或者3个时钟周期，该参数 可以通过MRS命令来设置。A. 用于模式编程的模式寄存器域表(MODE REGISTER FIELD TABLE TO PROGRAM MODES)Register Programmed with MRSAddressBAo BAiAn A10/APAeAaA7AsA.5A4AsA2A.1AoFunctionRFURFUW.B.LTMCAS LatencyBTBurst LengtM & *丿丟Test ModeCAS LatencyBurst TypeBurst LengthAsA7TypeAsAsA4LatencyAsTypeA.2A.1AoBT = 0BT 二 100Mode Register Set000Reserved0Seque ntial000I101Reserved001Reserved1Interleave0012210Reserved01020104411Reserved011301188Write Burst Length100Reserved100ReservedReservedAsLength101Reserved101ReservedReserved0Burst110ReservedI10ReservedReserved1Single Bit111Reserved111Full PageReserved* Full Page Length16Mb : x16(256)64Mb : x4 (1024). x8 (512). x16(256), x32 (256)128Mb : x4 (2048), x8 (1024), x16 (512)256Mb : x4 (2048), x8 (1024)? x16 (512)Note : 1. If A9 is high during MRS cycle, Burst Read Single Bit Write function will be enabled.2. RFU (Reserved for future use) should stay ”0” during MRS cycle.说明 :1. 如果A9在MRS周期为高电平，Burst Read Single Bit Write (突发读单比特写)”功能将允许.2. “ RFU”在MRS周期应保持为0.B.上电顺序(POWER UP SEQUENCE)1. 在VDD和V DDQ上同时加电，并启动时钟2. 维持CKE= H, DQM= H,其他引脚为“空操作(NOP) ”状态。3. 维持稳定的电源，稳定的时钟和NOP输入至少200us4. 对所有存储体执行“预充电”命令5. 执行2个或者更多的 “自动刷新” 命令6. 执行“ MRS ”命令，以初始化模式寄存器。 其中，第4和第5项的操作顺序可颠倒。现在，器件可以开始正常操作了。译注：DQM信号在上电时一定为“H”码？C.突发操作顺序(BURST SEQUENCE)突发操作中，可以设置为顺序方式(Sequential)，也可是设置为间隔模式(Interleave),由模式寄 存器中的“A3”位值决定，在顺序方式中，操作按地址的顺序连续执行，如果间隔模式，则操作时地 址是跳跃的，下表1, 2表示了地址的变化情况。t HURST LENGTH =42. BURST LENGTH = 8D. 器件操作 16Mb 器件地址线 体选地址址 (BA) 字长=情况该SDRAM器件由524,288字x 16比特的2 个存储体组成，BA信号在RAS和CAS有效时被锁 存，用以选择需要操作的存储体，体选择BA在体 激活，读写操作，写操作，模式寄存器设置和预 充电操作时被锁存。地址输入 (A0 A10/AP) 字长= 16情况逻辑上共需要19位地址线，来寻址 524,288 个字单元，19位地址复用在11根物理地址上(A0 A10/AP) , 11比特行地址同RAS和BA起在激 活命令时被锁存，8根列地址同CAS,WE,BA起 在读或者写命令期间被锁存。64Mb 器件地址 体选地址 (BA0 BA1) 字长 = 4 情况该存储体由4,194,304 words x 4 bits 存储阵 列的4个独立存储体组成，BAOBA1信号在RAS 和CAS有效时被锁存，用以选择需要操作的存储 体，体选择BAOBA1在体激活，读写操作，写 操作，模式寄存器设置和预充电操作时被锁存。字长 = 8 情况该存储体由2,097,152 words x 8 bits 存储阵 列的4个独立存储体组成，BAOBA1信号在RAS 和CAS有效时被锁存，用以选择需要操作的存储 体，体选择BAOBA1在体激活，读写操作，写 操作，模式寄存器设置和预充电操作时被锁存。字长 = 16 情况该存储体由1,048,576 words x 16 bits存储阵 列的4个独立存储体组成，BA0BA1信号在RAS 和CAS有效时被锁存，用以选择需要操作的存储 体，体选择BA0BA1在体激活，读写操作，写 操作，模式寄存器设置和预充电操作时被锁存。该存储体由524,288 words x 32 bits 存储阵列 的4个独立存储体组成，BA0BA1信号在RAS和 CAS有效时被锁存，用以选择需要操作的存储体, 体选择BA0BA1在体激活，读写操作，写操作, 模式寄存器设置和预充电操作时被锁存。地址输入 (A0 A11)字长=4逻辑上共需要22位地址线，来寻址4,194,304 个字单元，22位地址复用在12根物理地址上(A0 A11)，12比特行地址和RAS，BA0,BA 1在激 活命令时 被锁存， 10位列地址同 CAS,WE,BA0,BA1 一起在读或者写命令期间被 锁存。字长=8 逻辑上共需要21位地址线，来寻址2,097,152个字 单元， 21位地址复用在12根物理地址上( A0 A11)，12比特行地址和RAS，BA0,BA1在激活 命令时被锁存， 9位列地址同 CAS,WE,BA0,BA1 一起在读或者写命令期间被锁存。字长=16逻辑上共需要20位地址线，来寻址1,048,576个字 单元， 20位地址复用在12根物理地址上( A0 A11)，12比特行地址和RAS，BA0,BA1在激活 命令时被锁存， 8位列地址同 CAS,WE,BA0,BA1 一起在读或者写命令期间被锁存。地址输入 (A0 A10)字长=32逻辑上共需要19位地址线，来寻址524,288个字单 元， 19位地址复用在 11根物理地址上( A0 A11)，11比特行地址和RAS，BA0,BA1在激活 命令时被锁存， 8位列地址同 CAS,WE,BA0,BA1 一起在读或者写命令期间被锁存。64Mb 器件地址( 续前) 体选地址 (BA0 BA1) 字长 =32 情况D：器件操作(续前)128Mb 器件地址体选地址 (BA0 BA1)字长=4情况该存储体由8,388,608 words x 4 bits存储阵列 的4个独立存储体组成，BA0BA1信号在RAS和 CAS有效时被锁存，用以选择需要操作的存储体, 体选择BA0BA1在体激活，读写操作，写操作， 模式寄存器设置和预充电操作时被锁存。 字长 = 8 情况该存储体由4,194,304 words x 8 bits存储阵列 的4个独立存储体组成，BA0BA1信号在RAS和 CAS有效时被锁存，用以选择需要操作的存储体, 体选择BA0BA1在体激活，读写操作，写操作， 模式寄存器设置和预充电操作时被锁存。 字长 = 16 情况该存储体由2,097,152 words x 16 bits memory 存储阵列的4个独立存储体组成，BA0BA1信号 在RAS和CAS有效时被锁存，用以选择需要操作 的存储体，体选择BA0BA1在体激活，读写操 作，写操作，模式寄存器设置和预充电操作时被 锁存。地址输入 (A0 A11)字长=4逻辑上共需要23位地址线，来寻址8,388