深圳市XX实业有限公司6、0.35m SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目可行性研究报告深圳市xx咨询有限公司深圳市XX实业有限公司6、0.35m SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目可行性研究报告项目总顾问： 总 经 理项目负责人： 项目负责人编制人员： 深圳市xx咨询有限公司目 录第一章 总论11.1项目名称与通讯地址11.2内容提要11.3项目建设的必要性和有利条件21.4可行性研究报告编制依据51.4研究结果6第二章 投资方简介92.1深圳市XX实业有限公司92.2 XXXXX公司10第三章 该产业国内外发展情况113.1产品主要应用领域和意义113.2国际-国内技术水平发展情况133.3产品国际-国内市场发展情况163.4产业的国内外发展形势18第四章 产品大纲及可占领市场分析204.1产品大纲204.2产品简介204.3投产计划224.4可占领市场分析23第五章 生产技术与生产协作245.1生产工艺流程245.2主要技术及来源245.3技术转移的实施和主要技术团队265.4主要外协关系与关键原材料供应31第六章 生产线建设326.1建设目标326.2经营模式326.3设备配置336.4主要仪器设备清单346.5生产环境要求36第七章 工程建设方案377.1建设目标与建设内容377.2总图397.3建筑结构设计397.4建筑服务系统397.5工艺服务系统427.6电气45第八章 消防、环保、安全、节能488.1消防488.2环境保护518.3安全卫生558.4节能60第九章 组织机构及人员编制639.1董事会组成639.2组织机构639.3人员编制639.4人员培训63第十章实施进度65第十一章 投资估算与资金筹措6611.1建设投资估算6611.2流动资金估算6811.3项目总投资6811.4资金筹措68第十二章 经济分析6912.1基本数据6912.2财务评价7112.3经济评价结果7212.4综合评价73附表：1、总投资估算表2、流动资金估算表3、投资计划与资金筹措表4、总成本费用估算表5、损益表6、现金流量表（全部投资）7、贷款还本付息计算表8、资金来源与运用表9、销售收入及税金计算表附图：1、区域位置图（1）2、区域位置图（2）3、总平面图4、一层工艺区划图5、二层工艺区划图附件：深圳市XX实业有限公司第一章 总论1.1 项目名称与通信地址项目名称：6、0.35m SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目承办单位：深圳市XX实业有限公司法人代表：项目负责人：通信地址： 邮政编码：传 真：电 话：1.2 内容提要由深圳市XX实业有限公司（以下简称XX公司）作为中方投资公司与XXXXX（亚洲）集团有限公司（以下简称XXXXX公司）在深圳合资组建一家合资企业，共同投资兴建6、0.35m SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目，主要产品包括SiGe芯片和普通Si功率MOS器件芯片，形成月投片量5000片的生产能力。项目总体规划分两期建设，一期工程初期实现6SiGe HBT和SiGeVCO芯片共计5000片/月的生产能力（本项目），根据产品市场的发展和需求情况最终可形成20000片/月的生产能力，二期工程兴建8生产线，实现月产8SiGe芯片20000片。一期工程规划用地116000 m2（包括研发中心用地20000 m2），二期工程规划用地84000 m2，总用地200000 m2。本项目总投资（建设投资）2998.9万美元，注册资金1500万美元，XX公司占合资公司总股本的60%，XXXXX公司占合资公司总股本的40%。项目总投资中注册资金以外的部分(1498.9万美元)，将以合资公司名义向境内或境外金融机构贷款解决。本项目用地由深圳市政府免费提供，一期工程用地位于深圳市宝龙工业园区，用地面积96200 m2，研发中心用地19800 m2，位于深圳市高新技术产业园区，规划建筑包括生产厂房（FAB1和FAB2）、动力厂房、综合楼、多功能中心、专家楼、倒班宿舍、化学品库、气站等，本项目（5000片）新建其中的生产厂房（FAB1）、动力厂房和倒班宿舍，合计新建面积26600 m2，其它建筑和子项根据生产规模的扩大实行分步实施。生产厂房（FAB1）按月投片20000的规模建设，洁净室和相配套的生产动力设施按5000片规模配置。预计本项目达产年销售收入9633.82万美元，利润2848.96万美元，项目内部收益率57.26%，投资回收期3.23年。1.3 项目建设的必要性和有利条件1.3.1项目意义本项目旨在建立一条6” 0.35m SiGe集成电路芯片生产线，该生产线同Si集成电路具有兼容性，因此该生产线除了可以生产SiGe器件以外，也可以根据市场需求生产其它Si器件。本项目在投产初期，由于考虑到SiGe器件市场有一个发展过程，因而安排一定的生产量生产有用户需求的功率MOS器件，这样项目既考虑到一步就迈上了生产当前国际上先进的高频SiGe器件，为进一步发展这一类器件抢占更大的市场奠定基础，同时又能保证生产线的产量能达到饱和值，并为企业带来更大的效益。本项目的建立具有如下意义：（1）填补国内SiGe高频器件生产的空白，推动我国SiGe集成电路生产赶上国际先进水平。SiGe高频器件是一种利用硅基片及能带工程的新型异质结双极器件，由于具有优良的高频特性同时又具有价格低廉以及同硅集成电路兼容集成的优点，因而深受各国重视。尽管1987年第一只SiGe HBT诞生，并经历了十几年的研究及发展，但一直到1998年真正的SiGe产品才问世。本项目利用韩国合资方XXXXX公司掌握的先进SiGe器件及电路工艺技术生产的SiGe器件及集成电路，使我国能在最短的时间内填补这种器件及电路的空白，推动我国SiGe集成电路生产赶上国际先进水平。（2）满足我国高频应用领域的需求，促进相关应用领域的发展随着我国光纤通信、航天科技及军事科技的迅速发展，对高频电路不仅在数量上有更多的要求，而且希望电路满足低成本、小体积及能同硅电路兼容集成，从而构成系统集成芯片。SiGe技术正好满足这些要求，因而建立6英寸0.35m SiGe集成电路生产线，能扭转我国目前高频电路主要依赖GaAs器件及大部分靠进口的状态，从而促进我国相关应用领域的发展。（3）拓宽我国微电子产品的领域，形成我国SiGe集成电路生产及研发基地。多年来我国微电子工业的发展缓慢，尽管截止2000年我国已共有25条微电子生产线，但除了上海华虹NEC的8英寸0.25m产品刚进入当代国际硅主流技术水平以外，其它生产线以生产低中档产品为主。近年来我国微电子工业发展速度有所加快，特别上海“中心国际”及“宏力”8英寸0.25生产线的建立，扩充了我国集成电路的生产能力，提高了我国集成电路的产品水平。但是上述所有微电子生产线均未考虑SiGe器件的生产。因此本项目SiGe集成电路生产线的建立，可以拓宽我国微电子产品的领域，本项目第二期工程拟升级成8英寸加工线，并将建立SiGe集成电路研究及发展中心，最终形成我国SiGe集成电路生产及研发基地。（4）带动我国高频电路及系统集成芯片设计行业的发展多年来我国从事高频电路设计的科技人员均以GaAs器件为主要对象，原因是缺乏新的高频器件，本项目SiGe器件生产线的建立，为建立SiGe高频电路及系统集成芯片设计平台提供了一个验证及保证的条件，从而带动我国高频电路及系统集成芯片设计行业的发展。（5）推动深圳市电子信息产业的进一步发展电子及通信设备制造业是深圳工业的主导行业，但是深圳市的微电子工业由于起步较晚相对落后。据统计2000年深圳直接使用的集成电路50亿美元中，90依靠进口。在高频应用的电路中，由于采购困难更限制了相关电子产品的发展。本项目利用少量投资，购置以翻新设备为主的6英寸0.35m设备，建立一条相对水平较高的SiGe集成电路生产线，不仅具有很好的经济意义，而且能缓解上述矛盾，并推动深圳市电子信息产业的发展。1.3.2项目建设的有利条件(1) 深圳具有建设高技术集成电路芯片项目的良好环境深圳与上海、北京一样，是国内最有条件发展集成电路芯片制造业的城市之一。深圳市为加速和鼓励发展集成电路芯片制造业，配合国务院18号文精神，对该项目提出了包括地租、贴息贷款和水电价格等多项优惠政策，为本项目的实施创造了有利条件。深圳及周边珠江三角洲地区是国内集成电路主要的集散地之一，华南地区集成电路消耗量占国内的一半以上，同时也是中国最大的光通讯、无线通讯、网络设备生产开发中心，占据中国该类产品生产的70%以上。2000年中国电子信息百强前30名中有超过1/3在深圳及其附近地区，包括华为