8.2.1 PN 8.2.1 PN 结结一、一、PNPN结的形成结的形成P PN N空间电荷区空间电荷区1 1、浓度差引起载流子的扩、浓度差引起载流子的扩、浓度差引起载流子的扩、浓度差引起载流子的扩散运动散运动散运动散运动2 2、内电场引起载流子的漂、内电场引起载流子的漂、内电场引起载流子的漂、内电场引起载流子的漂移运动移运动移运动移运动耗尽层耗尽层耗尽层耗尽层3 3、动态平衡时、动态平衡时、动态平衡时、动态平衡时PNPN结结结结中的电流：扩散电流等于漂移电流，中的电流：扩散电流等于漂移电流，中的电流：扩散电流等于漂移电流，中的电流：扩散电流等于漂移电流，PNPN结中的电流为零。结中的电流为零。结中的电流为零。结中的电流为零。8.2 8.2 半导体二极管半导体二极管内电场内电场内电场内电场1( (1) ) 外加正向电压外加正向电压内电场方向内电场方向E外电场方向外电场方向RIP 区区N 区区外电场驱使外电场驱使P区的空穴进入空间区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷电荷区抵消一部分负空间电荷N区电子进入空间电荷区区电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷抵消一部分正空间电荷空间电荷区变空间电荷区变窄窄 扩散运动增强，形扩散运动增强，形成较大的正向电流成较大的正向电流二、二、PNPN结的单向导电特性结的单向导电特性2P 区区N 区区内电场方向内电场方向ER空间电荷区变宽空间电荷区变宽 外电场方向外电场方向IR(2) 外加反向电压外加反向电压外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走少数载流子越过少数载流子越过 PN 结形成很小的反向电流结形成很小的反向电流 多数载流子的扩散运动难于进行多数载流子的扩散运动难于进行3三、三、PNPN结的击穿结的击穿1 1、齐纳击穿、齐纳击穿：（击穿电压低）：（击穿电压低）4 4伏以下。伏以下。 浓度高时，浓度高时，PNPN结窄，在同样电压下，反向电场很强，从而破坏共价键的结窄，在同样电压下，反向电场很强，从而破坏共价键的结构，把电子拉出来。结构，把电子拉出来。2 2、雪崩击穿、雪崩击穿：（击穿电压高）：（击穿电压高）6 6伏以上。伏以上。 浓度低时，：浓度低时，：PNPN结宽，电子在结宽，电子在PNPN结中被加速，当遇到价电子时，就可以结中被加速，当遇到价电子时，就可以把其撞出来。把其撞出来。3 3、4 4伏伏66伏，两种情况都可能电击伏，两种情况都可能电击穿穿4