第第第第1 1章章章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念Basic concepts for semiconductor 1-1-1 1-1-1 半导体基本理论半导体基本理论 Theory1-1-2 1-1-2 半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式 一、原子的结构一、原子的结构一、原子的结构一、原子的结构 atom architectureatom architecture二、物质的结构二、物质的结构二、物质的结构二、物质的结构 Mass architectureMass architecture三、绝缘体三、绝缘体三、绝缘体三、绝缘体insulatorinsulator、导体导体导体导体conductorconductor、半导半导半导半导体体体体semiconductorsemiconductor四、半导体的导电原理四、半导体的导电原理四、半导体的导电原理四、半导体的导电原理 一、一、一、一、PNPN结与电流控制方式结与电流控制方式结与电流控制方式结与电流控制方式current control stylecurrent control style二、电场控制方式二、电场控制方式二、电场控制方式二、电场控制方式 electronic field controlelectronic field control1 电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 +原子核原子核原子核原子核电子电子电子电子电子电子电子电子自由电子自由电子自由电子自由电子价电子价电子价电子价电子价电子价电子1-1-1 1-1-1 1-1-1 1-1-1 半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论 价电子挣脱原子核价电子挣脱原子核价电子挣脱原子核价电子挣脱原子核束缚成为自由电子的束缚成为自由电子的束缚成为自由电子的束缚成为自由电子的现象称为现象称为现象称为现象称为本征激发本征激发本征激发本征激发（也称热激发）。（也称热激发）。（也称热激发）。（也称热激发）。 Valence electronNucleus2 电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-1 1-1-1 1-1-1 1-1-1 半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论 自由电子自由电子自由电子自由电子共价键共价键共价键共价键共价键共价键共价键共价键 在一定条件下：在一定条件下：在一定条件下：在一定条件下： 价电子变成价电子变成价电子变成价电子变成自由电子自由电子自由电子自由电子( (激发激发激发激发) ) 产生空穴产生空穴产生空穴产生空穴 价电子或自由电子填补空价电子或自由电子填补空价电子或自由电子填补空价电子或自由电子填补空 穴穴穴穴( (复合复合复合复合) )空穴空穴空穴空穴 自由电子、空穴称为自由电子、空穴称为自由电子、空穴称为自由电子、空穴称为载流子载流子载流子载流子 自由电子的移动形成自由电子的移动形成自由电子的移动形成自由电子的移动形成电子流电子流电子流电子流 规定规定规定规定电流电流电流电流方向为电子流的反方向为电子流的反方向为电子流的反方向为电子流的反方向方向方向方向holeCommon valenceexcitate3 电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-1 1-1-1 1-1-1 1-1-1 半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论 依据：依据：依据：依据：物质在外电场作用下形成电子流能力的大小。物质在外电场作用下形成电子流能力的大小。物质在外电场作用下形成电子流能力的大小。物质在外电场作用下形成电子流能力的大小。绝缘体绝缘体绝缘体绝缘体InsulatorInsulator：由由由由价电子为稳定结构的原价电子为稳定结构的原价电子为稳定结构的原价电子为稳定结构的原子组成，不易产生自由电子。子组成，不易产生自由电子。子组成，不易产生自由电子。子组成，不易产生自由电子。导导导导 体体体体conductorconductor：在外电场作用下很容易在外电场作用下很容易在外电场作用下很容易在外电场作用下很容易产生大量自由电子，形成电子流。产生大量自由电子，形成电子流。产生大量自由电子，形成电子流。产生大量自由电子，形成电子流。半导体半导体半导体半导体semiconductorsemiconductor：在自然状态下具有在自然状态下具有在自然状态下具有在自然状态下具有绝缘体特性，当满足一定条件时具有导电绝缘体特性，当满足一定条件时具有导电绝缘体特性，当满足一定条件时具有导电绝缘体特性，当满足一定条件时具有导电能力。能力。能力。能力。4 电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-1 1-1-1 1-1-1 1-1-1 半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论 +32+32惯性核惯性核惯性核惯性核锗原子锗原子锗原子锗原子硅原子硅原子硅原子硅原子+14+14 原子结构原子结构+4+4价电子价电子价电子价电子惯性核惯性核惯性核惯性核等效模型等效模型等效模型等效模型Inertia nucleusSilicon atomGermanium atomValence atom5 电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-1 1-1-1 1-1-1 1-1-1 半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论 共价键结构共价键结构硅晶体的空间排列硅晶体的空间排列硅晶体的空间排列硅晶体的空间排列 共价键结构共价键结构共价键结构共价键结构 半导体晶体：半导体晶体：半导体晶体：半导体晶体： 由原子按结晶由原子按结晶由原子按结晶由原子按结晶方式规则排列形方式规则排列形方式规则排列形方式规则排列形成。成。成。成。本征半导体：本征半导体：本征半导体：本征半导体： 纯净、结构完纯净、结构完纯净、结构完纯净、结构完整、绝对温度下整、绝对温度下整、绝对温度下整、绝对温度下没有自由电子的没有自由电子的没有自由电子的没有自由电子的半导体半导体半导体半导体 。Common Valence6 电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-1 1-1-1 1-1-1 1-1-1 半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论 电子与空穴对电子与空穴对 本征激发产生的本征激发产生的本征激发产生的本征激发产生的自由电子和空穴成自由电子和空穴成自由电子和空穴成自由电子和空穴成对出现对出现对出现对出现 。 本征激发和复合本征激发和复合本征激发和复合本征激发和复合在一定温度下达到在一定温度下达到在一定温度下达到在一定温度下达到动态平衡，没有多动态平衡，没有多动态平衡，没有多动态平衡，没有多余的自由电子或空余的自由电子或空余的自由电子或空余的自由电子或空穴。穴。穴。穴。 本征半导体不会本征半导体不会本征半导体不会本征半导体不会在外电场作用下形在外电场作用下形在外电场作用下形在外电场作用下形成电流。成电流。成电流。成电流。Electron and hole7 电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-1 1-1-1 1-1-1 1-1-1 半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论 半导体导电条件半导体导电条件有多余的电子或空穴。有多余的电子或空穴。有多余的电子或空穴。有多余的电子或空穴。 掺入掺入杂质杂质在本征半导体中掺入其他元在本征半导体中掺入其他元在本征半导体中掺入其他元在本征半导体中掺入其他元素，提高载流子浓度。素，提高载流子浓度。素，提高载流子浓度。素，提高载流子浓度。 杂质半导体杂质半导体N N型：型：型：型：掺入掺入掺入掺入五价五价五价五价元素。元素。元素。元素。 P P型：型：型：型：掺入掺入掺入掺入三价三价三价三价元素。元素。元素。元素。 N N型半导体型半导体型半导体型半导体 P P型半导体型半导体型半导体型半导体 Impurity8 电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-1 1-1-1 1-1-1 1-1-1 半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论半导体基本理论 半导体导电的基本方式半导体导电的基本方式 半导体导电的基础是半导体导电的基础是半导体导电的基础是半导体导电的基础是电子电子电子电子- -空穴对空穴对空穴对空穴对。 半导体中的电流通过半导体中的电流通过半导体中的电流通过半导体中的电流通过电子填补空穴电子填补空穴电子填补空穴电子填补空穴方式方式方式方式实现的。实现的。实现的。实现的。 载流子移动载流子移动载流子移动载流子移动需要外来能源需要外来能源需要外来能源需要外来能源。 半导体的半导体的半导体的半导体的导电能力与温度成正比导电能力与温度成正比导电能力与温度成正比导电能力与温度成正比 。 半导体中的电流与外加电压之间存在半导体中的电流与外加电压之间存在半导体中的电流与外加电压之间存在半导体中的电流与外加电压之间存在非线性非线性非线性非线性关系。关系。关系。关系。Basic style of semiconductor9 电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-2 1-1-2 1-1-2 1-1-2 半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式 PNPN结的形成结的形成 PN junctionPN junctionN区区 P区区 P型型N型型 PN结结内电场内电场扩散扩散diffuse:多数载流子的运动多数载流子的运动漂移漂移drift：少数载流子的运动少数载流子的运动动画动画促使少子漂移促使少子漂移促使少子漂移促使少子漂移阻止多子扩散阻止多子扩散阻止多子扩散阻止多子扩散Depletion field10电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 偏置电压偏置电压偏置电压偏置电压Bias Bias voltagevoltage1-1-2 1-1-2 1-1-2 1-1-2 半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式 PNPN结的单向导电性结的单向导电性uniuni-direct conduction -direct conduction PN结结内电场内电场P区区N区区偏置偏置偏置偏置biasbias：对半导体器件施加外界电压对半导体器件施加外界电压对半导体器件施加外界电压对半导体器件施加外界电压 。正向偏置正向偏置正向偏置正向偏置反向偏置反向偏置反向偏置反向偏置PNPN结不导电结不导电PNPN结导电结导电11电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-2 1-1-2 1-1-2 1-1-2 半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式 PNPN结的反向击穿特性结的反向击穿特性Negative breakdownV VBRBR电击穿电击穿电击穿电击穿_PNPN结反向偏置电压增大到一定值时，反向电流突然结反向偏置电压增大到一定值时，反向电流突然结反向偏置电压增大到一定值时，反向电流突然结反向偏置电压增大到一定值时，反向电流突然 增加。增加。增加。增加。热击穿热击穿热击穿热击穿_电击穿时间过长，器件上长时间有大反向电流而引电击穿时间过长，器件上长时间有大反向电流而引电击穿时间过长，器件上长时间有大反向电流而引电击穿时间过长，器件上长时间有大反向电流而引 起器件烧毁。起器件烧毁。起器件烧毁。起器件烧毁。雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿 在反向电压下产生在反向电压下产生在反向电压下产生在反向电压下产生碰撞电离碰撞电离碰撞电离碰撞电离并形成载流子倍增并形成载流子倍增并形成载流子倍增并形成载流子倍增 效应，形成较大反向电流。效应，形成较大反向电流。效应，形成较大反向电流。效应，形成较大反向电流。齐纳击穿齐纳击穿齐纳击穿齐纳击穿 较高外电压较高外电压较高外电压较高外电压破坏了共价键破坏了共价键破坏了共价键破坏了共价键，形成大反向电流。，形成大反向电流。，形成大反向电流。，形成大反向电流。 V VI I0 0V VD DI IS S12电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-2 1-1-2 1-1-2 1-1-2 半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式 PNPN结的结的V-AV-A特性特性V V V VBRBRBRBRI IS S 反向饱和电流反向饱和电流反向饱和电流反向饱和电流V VT T = kT/q = kT/q 0.026V ( 0.026V (T T=300K=300K) ) 温度电压当量温度电压当量温度电压当量温度电压当量V VD D 结电压结电压结电压结电压较高外电压较高外电压较高外电压较高外电压破坏了共价键破坏了共价键破坏了共价键破坏了共价键，形成大反向电流。，形成大反向电流。，形成大反向电流。，形成大反向电流。 V VI I0 0V VD DI IS S非线性非线性非线性非线性13电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 1-1-2 1-1-2 1-1-2 1-1-2 半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式半导体的电流控制方式 PNPN结的结电容结的结电容PN junction capacitor PN PN结两侧聚集了不同极性结两侧聚集了不同极性结两侧聚集了不同极性结两侧聚集了不同极性的电荷，这与电容器的效果的电荷，这与电容器的效果的电荷，这与电容器的效果的电荷，这与电容器的效果是完全相同的。是完全相同的。是完全相同的。是完全相同的。 PN结结内电场内电场P区区N区区14电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 N NP PP Pd dg gs sV V V VdsdsdsdsI I I Is s s s V V V Vdsdsdsds=0=0=0=0，I I I Is s s s=0 =0 =0 =0 V V V Vds ds ds ds ， I I I Is s s s V V V Vdsdsdsds V V V VP P P P, , , , I I I Is s s s基本不变基本不变基本不变基本不变A A V V V VDDDDDDDD过大过大过大过大，击穿，击穿，击穿，击穿V V V VP P P P：夹断电压夹断电压夹断电压夹断电压 利用利用利用利用PNPN结内电场宽度控制导电沟道的宽度，从而控制电流。结内电场宽度控制导电沟道的宽度，从而控制电流。结内电场宽度控制导电沟道的宽度，从而控制电流。结内电场宽度控制导电沟道的宽度，从而控制电流。I Is sV VdsdsV V V VP P P P PN结势垒电场控制方式结势垒电场控制方式（结型场效应）（结型场效应）（结型场效应）（结型场效应）15电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 利用半导体表面电场效应，通过感应电荷的多少来改变导电利用半导体表面电场效应，通过感应电荷的多少来改变导电利用半导体表面电场效应，通过感应电荷的多少来改变导电利用半导体表面电场效应，通过感应电荷的多少来改变导电沟道的宽度，从而控制电流。沟道的宽度，从而控制电流。沟道的宽度，从而控制电流。沟道的宽度，从而控制电流。 电场控制转型方式电场控制转型方式（绝缘栅型场效应）（绝缘栅型场效应）（绝缘栅型场效应）（绝缘栅型场效应）N NPd dg gs sN N铝铝铝铝二氧化硅二氧化硅二氧化硅二氧化硅反衬层反衬层反衬层反衬层耗尽层耗尽层耗尽层耗尽层16电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 外加正向偏置电压外加正向偏置电压V VD DV VI I0 0 正向电压与正向电压与PNPN结内电场方向相反，结内电场方向相反， 削弱内电场削弱内电场( (变窄变窄) ) 。 扩散电流远大于漂移电流。扩散电流远大于漂移电流。 PN PN结呈现低阻性，结呈现低阻性，正向电阻很小。正向电阻很小。 PNPN结导电。结导电。IVP区区N区区 PN结结内电场内电场+ +- - 17电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 外加反向偏置电压外加反向偏置电压IVP区区N区区 PN结结内电场内电场- -+ + 反向电压与反向电压与PNPN结内电场方向相同，结内电场方向相同， 增强内电场增强内电场( (变宽变宽) ) 。 漂移电流远大于扩散电流。漂移电流远大于扩散电流。 PN PN结呈现高阻性，结呈现高阻性，反向电阻很大。反向电阻很大。 PNPN结不导电。结不导电。 漂移电流恒定，与反向电压大小漂移电流恒定，与反向电压大小 无关，也称为无关，也称为反向饱和电流反向饱和电流I IS S 。V VI I0 0I IS S18电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 导体示例导体示例 电阻很小。电阻很小。电阻很小。电阻很小。 易受影响。易受影响。易受影响。易受影响。19电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 绝缘体示例绝缘体示例 在一定电压范围内不会形成明显电流在一定电压范围内不会形成明显电流在一定电压范围内不会形成明显电流在一定电压范围内不会形成明显电流 电阻很大电阻很大电阻很大电阻很大 当物质结构被破坏时，也会导电当物质结构被破坏时，也会导电当物质结构被破坏时，也会导电当物质结构被破坏时，也会导电 绝缘性受影响绝缘性受影响绝缘性受影响绝缘性受影响20电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 半导体示例半导体示例 导电能力介于导体和绝缘体之间导电能力介于导体和绝缘体之间导电能力介于导体和绝缘体之间导电能力介于导体和绝缘体之间 导电性能易受影响导电性能易受影响导电性能易受影响导电性能易受影响 由元素周期表中最外层为四个电子的元素所组成由元素周期表中最外层为四个电子的元素所组成由元素周期表中最外层为四个电子的元素所组成由元素周期表中最外层为四个电子的元素所组成 的物质构成。的物质构成。的物质构成。的物质构成。 如：锗、硅。如：锗、硅。如：锗、硅。如：锗、硅。21电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件第第1章章 半导体器件基本原理半导体器件基本原理 1-1 1-1 半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念半导体及半导体物理的基本概念 图图图图为为为为PNPN结结结结正正正正向向向向输输输输出出出出特特特特性性性性，如如如如果果果果PNPN结结结结的的的的温温温温度度度度从从从从2525变变变变化化化化到到到到4545，试计算：试计算：试计算：试计算：1 1）当当当当温温温温度度度度为为为为2525、偏偏偏偏置置置置电电电电压压压压从从从从0.70.7V V变变变变化化化化到到到到0.90.9V V时时时时，正正正正向向向向电电电电流流流流的的的的变变变变化是多少？化是多少？化是多少？化是多少？2 2）电电电电流流流流为为为为1 1mAmA时时时时，如如如如果果果果PNPN结结结结的的的的温温温温度度度度从从从从2525变变变变化化化化到到到到4545，问问问问正正正正向向向向电压的变化是多少？电压的变化是多少？电压的变化是多少？电压的变化是多少？解：解：解：解：1 1）从从从从所所所所给给给给的的的的特特特特性性性性图图图图估估估估计计计计出出出出，正正正正向向向向电流从电流从电流从电流从0 0变化到变化到变化到变化到0.20.2mAmA。2 2）正向电压的变化大约为正向电压的变化大约为正向电压的变化大约为正向电压的变化大约为0.70.7V V。PN结导电特性示例结导电特性示例P40 P40 例例例例1-1-11-1-122电子技术及其应用基础模拟部电子技术及其应用基础模拟部分李哲英分李哲英02anal(3)课件课件