二极管的工艺流程一、二氧化硅的去除2.1 BOE液的配制氢氟酸（浓度%）：氟化氨（浓度40%）=1：52.2 工艺流程把硅片放在BOE液中（水浴3C）,看颜色，或脱水，一般为每分钟为200nm,根据情况而定。二、普通硅片的清洗1.1 3#液的配制双氧水（浓度30%）：浓硫酸（浓度96%）=1：351.2 工艺过程把3#液加热为12C左右，放入硅片分钟；若3#液长时间放置，请根据需要放入双氧水。1.3 清洗后在去离子水中反复冲洗（至少10次），去除多余的酸。三、烘干把所要烘干的硅片放在支架中，放入器皿中，在放入器皿中，加热、烘干。四、氧化开始的准备工作，若长时间没使用设备，首先清洗更换湿氧化器皿（反复冲洗干净、加水），并加热至9C炉子预热为C左右（打到档），恒温分钟；4.2 打开氧气、氮气的气阀,调节减压阀大约为1格；4.3 清洗管道，顺序：下氮气下水浴氧气下氧气，均为2升，各5分钟；4.4 开始进样，拉出石英舟（一定要慢：推10公分，停1分钟，大约为3-4次）将片子小心地放在石英舟上。注意：抛光面要朝向炉子外，保证背向气流；4.5 舟进入炉管中间恒温区，关下氮气阀门，开下水浴氧气阀，同时调高温度至1100C，恒温后，保持分钟4.6 关下水浴氧气阀，开下氧气阀，15-30分钟后，再关下氧气阀4.7 打开下氮气阀门，同时降温至8档并慢速出片。五、清洗六、匀胶光刻6.1 匀胶工艺打开电源-开真空泵一调节工艺流程-转速I（500转/分钟、时间18秒）、转速11（3000转/分钟、时间28秒）-吸片-滴胶（7-8滴）启动6.2 焙烘工艺加热恒温7C,时间为分钟6.3曝光工艺开电源、真空泵-调-节掩膜板-吸-住掩膜板-放-置硅片-吸住硅片-定-位-上-顶硅片-固-定旋钮-放-置到光源的中央-曝光-（大约为18秒）曝光结束后,打开旋钮-下-调-载物台-拉-开掩膜板-硅片解吸-取-片,其他还原6.3显影工艺显影分钟定影秒显微镜观看若合适坚膜C、时间为分钟七、打底膜蚀刻二氧化硅7.1打底膜工艺主机：开电源打开离子刻蚀机上盖装片关盖开低速度泵开高速泵；配电柜：开电源真空规管加热（电流为毫安）开启匹配射频电源开氧气开角阀开质量流量计（大约为22sccm）计时器复零（40秒左右）看起辉起辉结束按开设备的反方向关设备7.2刻蚀放入BOE液中刻蚀八、匀硼源8.1 去光刻胶-放入3#液中，与前面的清洗工艺一样8.2 烘干8.3 匀硼源如前面的匀光刻胶一样九、预扩散9.1 打开氧气、氮气的气阀,调节减压阀大约为1格，并开上氮气；炉子预热为C左右（打到档），恒温分钟；9.3 开始进样，拉出石英舟（一定要慢：推10公分，停1分钟，大约为3-次4）-将-片-子小心地放在石英舟上。注意：抛光面要朝向炉子外，保证背向气流；9.4 把石英舟放到炉口，烘干5分钟，以后要慢推，推10公分，停1-分2钟，让有机溶剂挥发，9.5 开上氧气、关氮气，计时20分钟，让氧气与有机溶剂继续反应；9.6 关氧气，开氮气，升温960C（开到档），恒温分钟9.7 开上氧气，关上氮气，降温为C左右（打到档），在窗口处得到一定厚度的二氧化硅，具体的时间待定。9.8 打开上氮气阀门，缓慢拉出（拉10公分，停1分钟）。十、刻蚀-清洗-测试10.1扩散后，用BOE液漂洗30秒10.2 用纯水清洗10.3 烘干、测试陪片10.4 用3#液清洗，大约5-10分钟十一、再扩散-测试11.1放入芯片，开氮气11.2慢慢推入（推10公分、停1分钟）11.3 关闭氮气，开水浴氧11.4 1100C（放10档），恒温湿氧1小时11.5 关湿氧，开干氧15分钟11.6关干氧，开氮气，降温为920C（调节为8档）11.7慢拉出炉子（拉10公分、停1分钟）11.8取出硅片和陪片，测量方阻（大约为150-200Q/）主要的步骤有：1、传感器的意义2、传感器的原理3、实验的步骤4、测试5、总结