场效应管的符号及特性场效应管的符号及特性 场效应三极管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。 为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定（电流方向）。有关曲线绘于下图之中。结型场效应管 N沟道P沟道 图 各类场效应三极管的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 P 沟道耗尽型P沟道增强型四种MOS管的比较： 1. 对于P沟道器件，VDD必为负值，衬底必须接在电路中的最高电位上。对于N沟道器件， VDD必为正值，衬底必须接在电路中的最低电位上。2. 就UGS而言，增强型器件是单极性的，其中P沟道为负值，N沟道为正值，而耗尽型器件则可正可负。3.N沟道器件，UGS向正值方向增大， ID 越大；P沟道器件， UGS越向负值方向增大， ID越大。2.5.3 场效应三极管的参数和型号场效应三极管的参数和型号一、直流参数一、直流参数 (1)开启电压开启电压UGS(th) (或或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对 值, 场效应管不能导通。 UDS一定， iD 0。(2)夹断电压夹断电压UGS(off) (或或UP)夹断电压是结型和耗尽型夹断电压是结型和耗尽型FETFET的参数，的参数，漏极电流约为零时的漏极电流约为零时的U UGSGS值值 。即当即当U UGSGS= =U UGS(off) GS(off) 时时, ,漏极电流为零（微小电流）漏极电流为零（微小电流）。(3)饱和漏极电流饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应三极管耗尽型场效应三极管, 当当UGS=0时，产生预夹断时所对应的漏极电流。时，产生预夹断时所对应的漏极电流。(4)直流输入电阻直流输入电阻RGS（DC）场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是1091015。 二、交流参数二、交流参数 (1)低频跨导低频跨导gm 低频跨导反映了低频跨导反映了栅压栅压对对漏极电流漏极电流的控制作用，即的控制作用，即 uGS对对iD的的控制作用控制作用。 (3)输出电阻输出电阻rd：(2)极间电容：极间电容：三个极间均存在电容。三个极间均存在电容。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子毫西门子)。三、极限参数三、极限参数(1)最大漏级电流最大漏级电流IDM： 正常工作漏极电流上限值。正常工作漏极电流上限值。 (2)击穿电压击穿电压 最大漏源电压最大漏源电压U(BR)DS 最大栅源电压最大栅源电压U(BR)GS (3)最大漏极功耗最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。决定。2.5.4 双极型和场效应型三极管的比较双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管双极型三极管 场效应三极管场效应三极管结构结构 NPN型型 结型耗尽型结型耗尽型 N沟道沟道 P沟道沟道 PNP型型 绝缘栅增强型绝缘栅增强型 N沟道沟道 P沟道沟道 绝缘栅耗尽型绝缘栅耗尽型 N沟道沟道 P沟道沟道 C与与E一般不可倒置使用一般不可倒置使用 D与与S(有的型号有的型号)可倒置使用可倒置使用载流子载流子 多子扩散少子漂移多子扩散少子漂移 多子漂移多子漂移输入量输入量 电流输入电流输入 电压输入电压输入控制控制 电流控制电流源电流控制电流源CCCS() 电压控制电流源电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管双极型三极管 场效应三极管场效应三极管 噪声 较大 较小温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上静电影响 不受静电影响 易受静电影响集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 避免栅极悬空