半导体器件基础半导体器件基础4第1章 半导体器件基础 1.3.1 三极管的结构及类型三极管的结构及类型 图 1 29 三极管的结构示意图和符号 第1章 半导体器件基础 第1章 半导体器件基础 第1章 半导体器件基础 第1章 半导体器件基础 第1章 半导体器件基础 第1章 半导体器件基础 第1章 半导体器件基础 发射区注入的电子绝大多数能够到达集电极, 形成集电极电流, 即要求。 通常用共基极直流电流放大系数衡量上述关系, 用来表示, 其定义为(1-9)一般三极管的值为0.970.99。将(-)式代入(-)式, 可得 (1-10)第1章 半导体器件基础 通常CBO, 可将忽略, 由上式可得出 (1-11)三极管的三个极的电流满足节点电流定律, 即将此式代入(1 - 10)式得(1-12)第1章 半导体器件基础 经过整理后得 令 称为共发射极直流电流放大系数。当ICICBO时,又可写成(1-13)(1-14)第1章 半导体器件基础 则其中ICEO称为穿透电流, 即 一般三极管的约为几十几百。太小, 管子的放大能力就差, 而过大则管子不够稳定。 第1章 半导体器件基础 表表1 - 3 三极管电流关系的一组典型数据三极管电流关系的一组典型数据 IB/mA -0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96第1章 半导体器件基础 相应地, 将集电极电流与发射极电流的变化量之比, 定义为共基极交流电流放大系数, 即故第1章 半导体器件基础 显然与, 与其意义是不同的, 但是在多数情况下, 。 例如, 从表 - 知, 在mA附近, 设由mA变为mA, 可求得第1章 半导体器件基础 1.3.4 三极管的特性曲线三极管的特性曲线 图 1 33 三极管共发射极特性曲线测试电路 第1章 半导体器件基础 1.输入特性输入特性 当不变时, 输入回路中的电流与电压之间的关系曲线称为输入特性, 即 图 1 - 34 三极管的输入特性 第1章 半导体器件基础 2.输出特性输出特性 当不变时, 输出回路中的电流与电压之间的关系曲线称为输出特性, 即图 1 - 35 三极管的输出特性 第1章 半导体器件基础 (1) 截止区截止区 一般将的区域称为截止区, 在图中为的一条曲线的以下部分。此时也近似为零。由于各极电流都基本上等于零, 因而此时三极管没有放大作用。 其实时, 并不等于零, 而是等于穿透电流ICEO。 一般硅三极管的穿透电流小于A, 在特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。 当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, 则三极管处于截止状态。所以, 在截止区, 三极管的两个结均处于反向偏置状态。对三极管, , BC。 第1章 半导体器件基础 (2) 放大区放大区 此时发射结正向运用, 集电结反向运用。 在曲线上是比较平坦的部分, 表示当一定时, 的值基本上不随CE而变化。在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量时, 相应的集电极电流将产生较大的变化量, 此时二者的关系为 该式体现了三极管的电流放大作用。 对于三极管, 工作在放大区时.V, 而。