第一讲第一讲 常用电子器件常用电子器件1、电阻的单位：国际单位为欧姆（）。常用单位有： M, K,m,.2、电阻按材料分可分成以下几类：a、碳膜电阻b、金属膜电阻 1.1 电阻电阻1 1 常用电子半导体器件常用电子半导体器件c、绕线电阻d、水泥电阻B.标准功率： W, W, W, W,1W,2W,5W,50W,100W.C.精度：（1%，5%）绕线电阻有0.1%精度1.01.0，1.21.2，1.51.5，1.81.8，2.02.0，2.22.2，2.42.4，2.72.7，3.03.0，3.33.3，3.63.6，3.93.9，4.34.3，4.74.7，5.05.0，5.15.1，5.65.6，6.26.2，6.86.8，7.57.5，8.28.2，9.1 9.1 0 0。A.标称阻值。如：1，10K.1.2 1.2 电容器电容器1.电容器的符号2. 电容单位3.电容器分类：a、瓷片电容瓷片电容，有高压低压之分，高压瓷片可做成几万伏耐压。b、CBB电容电容（金属化薄膜电容，高低压均有）c、独石电容独石电容d、钽电容钽电容e、铝电解电容铝电解电容 贴片元器件贴片元器件贴片钽电容贴片钽电容贴片铝电解电容电容贴片铝电解电容电容穿心电容穿心电容4、电容元件的主要技术参数a、标称容量,如:电解电容100F/25V,1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2， 4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。 例：例：CBBCBB电容电容 2700pF/63V2700pF/63V、272J(K)272J(K)b、耐压： 6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V, 630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV 630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。c、精度： 5%(J5%(J级级) 10%(K) 10%(K级级) )，20%(M20%(M级级) )电解电容允许误差。电解电容允许误差。 d、损耗角： tg e、串联等效电阻：ESR高频电路或开关高频电路或开关电源中这两个参电源中这两个参数很重要数很重要f、最大脉动电流：400V/10F /280mAg、寿命：普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85下，工作温度每降低10C ，电解电容寿命增加一倍。每增加10C ，寿命减少一倍。h、漏电流：I=0.02CV+25A、如：400V/10F电容 I=105A 1.3 电感电感1、符号空芯电感有铁芯电感2、分类：a、色码电感：（空芯电感，容量小，只有H级）b、高频（铁氧体芯）电感：可做H、mH级，非线性元件，电感量随工作频率而改变。c、低频（矽钢片）电感：可做mH级。3、单位（亨利） 4、参数a、标称容量：（mH）b、额定电流：（载流能力）0.5A，1A。c、额定电压：高压应用场合，要考虑耐压问题。d、损耗：铁损：磁损耗，随频率的增加而大幅度增加铜损：漆包线电阻损耗 1.41.4、三极管、三极管1、符号2、分类按材料分：a、硅管（PN结压降：0.7V）b、锗管（PN结压降：0.3V）3、主要技术指标：a、电流放大系数：注意标志：F标志 ：50-70 G标志 ：70-90H标志：100-120I标志：120-150 *管管子子耐耐压压越越高高，额额定定工工作作电电流流（I ICMCM）越越大大，则则越越小小。 例:MJE13005，500V/5A，:15-35之间S8050，45V/1A，:70-200之间b、反向击穿电压：Ucbo (发射极开路发射极开路) Uebo（集电极开路）集电极开路） Uceo（基极开路）基极开路）c、集电极最大允许电流ICMd、集电极最大允许耗散功率PCMPc=IcUce耗耗散散功功率率与与环环境境温温度度和和散散热热条条件件有有关关（RoJ），手手册册上上一一般般给给出出环境温度为环境温度为20时时PCM值。值。e、截止频率： 共射极截止频率fb,定义为降低到0.707倍时的频率称为fb三个参数中选最小一个为晶体管击穿电压，一般为Uebo 4、封装形式：1.功率功率MOSFET的结构的结构1.5 1.5 功率场效应晶体管结构特点功率场效应晶体管结构特点图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号2、MOS管特点 a、电压控制元件，输入阻抗高。电压控制元件，输入阻抗高。 b、导通电阻导通电阻Ron大大 . c、工作频率高（对功率器件而言）工作频率高（对功率器件而言） d、是一种元细胞集成器件、是一种元细胞集成器件,适合并联适合并联 e、DS极极之间内部寄生二极管之间内部寄生二极管3、主要技术指标：a、额定电压额定电压Uds,它主要由它主要由VMOS管的漏源击穿电压管的漏源击穿电压U(BR)DS决定决定 b、最大漏极电流最大漏极电流Idmax (标称标称MOS管电流额定参数管电流额定参数) c、阀值电压阀值电压Ugs(th) (又称门极开启电压又称门极开启电压) d、导通电阻导通电阻 ：Rone、最高工作频率fm:Uds作用下，电子从源区（作用下，电子从源区（S）通过沟道到漏区所需要的时间通过沟道到漏区所需要的时间f、开通时间和关断时间：开通和关断时间越大开通和关断时间越大,则则MOS管开关损耗越大管开关损耗越大.g、极间电容输入电容：Ciss=CGS+CGD输出电容：Coss=CDS+CGD5、常用MOS器件：2N700060V/0.2AIRFD01460V/1.7AIRFD210200V/0.6AIRFD110100V/1.0AIRF530100V/15AIRF630200V/9AIRF730400V/5.5AIRF830500V/4.5AIRF840500V/8AIRFBF20900V/1.7AIRFBF30900V/3.6A