MEMSMEMS加速度传感器加速度传感器LOGO目录简述加速度传感器简述加速度传感器1电阻式加速度传感器电阻式加速度传感器2电容式加速度传感器电容式加速度传感器3其他类型加速度传感器其他类型加速度传感器4Group 3LOGO篇前语vMEMS是什么？加速度传感器与是什么？加速度传感器与MEMS什么关什么关系？系？微机电系统（MEMS, Micro-Electro-Mechanical System），也叫做微电子机械系统微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。Group 3LOGO概述加速度传感器加速度传感器加速度传感器中的分类加速度传感器中的分类Group 3LOGO压阻式加速度传感器压阻式压阻式器件是最早微型化和商业化的一类加速度传感器。基于世界领先的压阻式压阻式器件是最早微型化和商业化的一类加速度传感器。基于世界领先的MEMS硅微加工技术，压阻式加速度传感器具有体积小、低功耗等特点，易于集硅微加工技术，压阻式加速度传感器具有体积小、低功耗等特点，易于集成在各种模拟和数字电路中，广泛应用于汽车碰撞实验、测试仪器、设备振动监成在各种模拟和数字电路中，广泛应用于汽车碰撞实验、测试仪器、设备振动监测等领域。测等领域。Group 3LOGO压阻式加速度传感器作用机理作用机理特点特点Group 3LOGO压阻式加速度传感器MEMS压压阻阻式式加加速速度度传传感感器器的的敏敏感感元元件件由由弹弹性性梁梁、质质量量块块、固固定定框框组组成成。压压阻阻式式加加速速度度传传感感器器实实质质上上是是一一个个力力传传感感器器，他他是是利利用用用用测测量量固固定定质质量量块块在在受受到到加加速速度度作作用用时时产产生生的的力力F来来测测得得加加速速度度a的的。在在目目前前研研究究尺尺度度内内，可可以以认认为为其其基基本本原原理理仍仍遵遵从从牛牛顿顿第第二二定定律律。也也就就是是说说当当有有加加速速度度a作作用用于于传传感感器器时时，传传感感器器的的惯惯性性质质量量块块便便会会产产生生一一个个惯惯性性力力:F=ma,此此惯惯性性力力F作作用用于于传传感感器器的的弹弹性性梁梁上上，便便会会产产生生一一个个正正比比于于F的的应应变变。，此此时时弹弹性性梁梁上上的的压压敏敏电电阻阻也也会会随随之之产产生生一一个个变变化化量量R，由由压压敏敏电电阻阻组组成成的的惠惠斯斯通通电电桥桥输输出出一一个个与与R成正比的电压信号成正比的电压信号V。Group 3构造原理构造原理LOGO压阻式加速度传感器悬臂梁根部的横向受力：悬臂梁根部的横向受力：Group 3悬臂梁的电阻的相对变化率：悬臂梁的电阻的相对变化率：质量块的质量m、 悬臂梁的宽度和厚度b,h、质量块中心至悬臂梁根部的距离l、 加速度a. 悬臂梁分析悬臂梁分析LOGO压阻式加速度传感器Group 3信号检测信号检测本系统的信号检测电路采用压阻全桥来作为信号检测电路。本系统的信号检测电路采用压阻全桥来作为信号检测电路。则电桥输出的表达式变为则电桥输出的表达式变为:LOGO压阻式加速度传感器为为加加工工出出图图示示的的加加速速度度传传感感器器,主主要要采采用用下下列列加加工工手手段段来来实实现现。采采用用注注入入、推推进进、氧氧化化的的创创新新工工艺艺来来制制作作压压敏敏电电阻阻；采采用用KHO各各向向异异性性深深腐腐蚀蚀来来形形成成质质量量块块；并并使使用用AES来释放梁和质量块；最后利用键合工艺来得到所需的来释放梁和质量块；最后利用键合工艺来得到所需的“三明治三明治”结构。结构。Group 3工艺流程工艺流程LOGO压阻式加速度传感器硅硅微微机机械械加加工工技技术术是是在在传传统统的的集集成成电电路路平平面面工工艺艺的的基基础础上上发发展展起起来来的的，是是常常规规集集成成电电路路工工艺艺和和硅硅微微机机械械加加工工的的独独特特技技术术的的结结合合。这这些些独独特特的的加加工工技技术术与与常常规规集集成成电电路路工工艺艺相相结结合合，才才能能制制作作出出微微电电子子机机械械系系统统。微微机机械械加加工工技技术术一一般般分分为为体体硅硅微微机械加工技术、表面硅微机械加工技术和机械加工技术、表面硅微机械加工技术和LIGA技术三类。技术三类。Group 3工艺流程工艺流程LOGO压阻式加速度传感器(a)在硅片两侧积淀氮化硅。在硅片两侧积淀氮化硅。(b)在硅片的前侧积淀第一层多晶硅牺牲层，然后制作第一层。在硅片的前侧积淀第一层多晶硅牺牲层，然后制作第一层。(c)在硅片的前侧积淀第二层氮化硅，并在硅片后侧积淀第一层氮化硅。在硅片的前侧积淀第二层氮化硅，并在硅片后侧积淀第一层氮化硅。(d)制作前侧和后侧。制作前侧和后侧。(e)积淀并制作金属层（镍）。积淀并制作金属层（镍）。(f)各向异性腐蚀来得到沟槽。各向异性腐蚀来得到沟槽。Group 3工艺流程工艺流程LOGO电容式加速度传感器电容式加速度传感器是基于电容原理的极距变化型的电容传感器，其中一个电极电容式加速度传感器是基于电容原理的极距变化型的电容传感器，其中一个电极是固定的，另一变化电极是弹性膜片。弹性膜片在外力是固定的，另一变化电极是弹性膜片。弹性膜片在外力(气压、液压等气压、液压等)作用下发生作用下发生位移，使电容量发生变化。这种传感器可以测量气流位移，使电容量发生变化。这种传感器可以测量气流(或液流或液流)的振动速度的振动速度(或加速或加速度度)，还可以进一步测出压力。，还可以进一步测出压力。Group 3LOGO电容式加速度传感器电电容容式式加加速速度度传传感感器器从从力力学学角角度度可可以以看看成成是是一一个个质质量量弹弹簧簧阻阻尼尼系系统统。根据牛顿第二定律可得力学模型为：根据牛顿第二定律可得力学模型为：Group 3力学模型力学模型其中传感器无阻尼自振角频率、传感器阻尼比分别为：其中传感器无阻尼自振角频率、传感器阻尼比分别为：对其进行零初始条件下的拉普拉斯变换对其进行零初始条件下的拉普拉斯变换,可得传递函数为：可得传递函数为：可可见见,如如果果将将传传感感器器的的壳壳体体固固定定在在载载体体上上,只只要要能能把把质质量量块块在在敏敏感感轴轴方方向向相相对对壳体的位移测出来壳体的位移测出来,便可以把它作为加速度的间接度量。便可以把它作为加速度的间接度量。LOGO压阻式加速度传感器Group 3数学模型数学模型电电容容式式加加速速度度传传感感器器可可简简化化为为如如图图所所示示的的模模型型，相相当当于于两两个个电电容容串串联联，建建立方程得到电容变化与加速度之间的关系为立方程得到电容变化与加速度之间的关系为质质量量块块由由于于加加速速度度造造成成的的微微小小位位移移可可转转化化为为差差动动电电容容的的变变化化，并并且且两两电电容容的差值与位移量成正比。从而可以测得加速度。的差值与位移量成正比。从而可以测得加速度。LOGO压阻式加速度传感器当当前前大大多多数数的的电电容容式式加加速速度度传传感感器器都都是是由由三三部部分分硅硅晶晶体体圆圆片片构构成成的的，中中层层是是由由双双层层的的SOI硅硅片片制制成成的的活活动动电电容容极极板板。如如图图一一所所示示， 中中间间的的活活动动电电容容极极板板是是由由八八个个弯弯曲曲弹弹性性连连接接梁梁所所支支撑撑，夹夹在在上上下下层层两两块块固固定定的的电电容容极极板板之之间间。基基本本结结构构选选择择需需要要考考虑虑的的条条件件是是：量量程程、刚刚性性约约束束条条件件、弹弹性性约约束束条条件件、谐谐振振频频率率约约束束。对对于于梁梁的的选选择择一一般般是是选选择择U形形折折叠叠梁梁，即即可可保保证证其其一一定定的的刚刚度度又又可可以以节节省省材材料料。为为实实现现过过载载保保护护常常采采用用止止挡挡块块结结构构来来限限制制敏敏感感质质量量块块运运动动的的最最大大位位移移。常常用用材材料料是是二二氧氧化化硅硅Group 3工艺构造工艺构造LOGO压阻式加速度传感器电电容容式式MEMS加加速速度度计计的的工工艺艺一一般般采采用用的的有有：表表面面工工艺艺、体体硅硅工工艺艺、LIGA工工艺艺及及 SOI+DRIE工艺等。下面介绍一下工艺流程：工艺等。下面介绍一下工艺流程：Group 3工艺流程工艺流程（a）确定上下极板间的电容间距 （b）用KOH对两面的SiO2进行湿法刻蚀 （c）等SiO2层被去除，新的氧化层会在两面重新生成，继续用KOH进行湿法刻蚀直到SiO2层被完全去除 LOGO压阻式加速度传感器Group 3工艺流程工艺流程（d）在两面涂上光刻胶作为湿法刻蚀的梁结构 （e）去除光刻胶以后两面重新被氧化生成SiO2，随后再EVG-100覆盖（f）利用剩下的光刻胶进行刻蚀然后移除光刻胶LOGO压阻式加速度传感器Group 3工艺流程工艺流程（g）等刻蚀完成，对称梁结构形成（h）利用对称结构确认中间梁位置（i）上下两层形成2m的SiO2对称氧化层来隔绝上中下三层LOGO压阻式加速度传感器Group 3工艺流程工艺流程（j）随后通过梁结构中间层与上下层连接（K）控制480度的粘接温度随后在1100度下保存一小时。LOGO其他类型的加速度传感器光波导式光波导式新新新新微谐振式微谐振式 谐振式加速度传感器是一种典型的微机械惯性器件，基本工作原理是利用振梁的力频特性，通过检测谐振频率变化量获取输入的加速度。新新新新热对流式热对流式 微型热对流加速度计是利用封闭空气囊内的自由热对流对加速度敏感性。两个温度传感器对称地在有气体的腔体两侧，中间有一个热源。新新新新Group 3目前广泛应用制备光学加速度计的迈克尔逊、马赫曾德等干涉仪的核心部件都包含3 dB耦合器。压电式压电式 压电式加速度传感器是利用某些物质如石英晶体的压电效应，在加速度计受振时，质量块加在压电元件上的力也随之变化。成熟成熟成熟成熟LOGO其他类型加速度传感器1.光波导加速度计光波导加速度计光波导加速度计的原理如下图所示：光源从波导光波导加速度计的原理如下图所示：光源从波导1进入，经过分束部分后分成两部进入，经过分束部分后分成两部分分别通入波导分分别通入波导4和波导和波导2，进入波导，进入波导4的一束直接被探测器的一束直接被探测器2探测，而进入波导探测，而进入波导2的的一束会经过一段微小的间隙后进入波导一束会经过一段微小的间隙后进入波导3，最终被探测器，最终被探测器1探测到。有加速度时，探测到。有加速度时，质量块会使得波导质量块会使得波导2弯曲，进而导至其与波导弯曲，进而导至其与波导3的正对面积减小，使探测器的正对面积减小，使探测器1探测到探测到的光减弱。通过比较两个探测器检测到的信号即可求得加速度的光减弱。通过比较两个探测器检测到的信号即可求得加速度Group 3LOGO其他类型加速度传感器2.谐振式加速度计谐振式加速度计谐谐振振式式加加速速度度计计，Silicon Oscillating Accelerometer，简简称称SOA。一一根根琴琴弦弦绷绷紧紧程程度度不不同同时时弹弹奏奏出出的的声声音音频频率率也也不不同同，谐谐振振式式加加速速度度计计的的原原理理与与此此相相同同。若若对对梁梁施施加加一一确确定定的的激激振振，检检测测其其响响应应就就可可测测出出其其固固有有频频率率，进进而而测测出出加加速速度度。激激振振的的施施加加和和响响应应的的检检测测通通常常都都是是通通过过梳梳齿齿机机构构实实现现的的。SOA的的特特点点在在于于，它它是是通通过过改改变变二二阶阶系系统统本本身身的的特特性性来来反反映映加加速速度度的的变变化化的的，这这区区别别与与电电容容式式、压压电电式式和和光光波波导导式式的的加加速速度度计计。SOA常常见见的的结结构构有有S结结构构和和双双端端固固定定音音叉叉（Double-ended Tuning Fork，DETF）两两种种。S结结构构原原理理图图如如下下图图所所示示，DEFT式式就就是是在在质质量量块块的的另另一一半半加加上和左边对称的一套机构上和左边对称的一套机构Group 3LOGO其他类型加速度传感器3.热对流加速度计热对流加速度计一一个个被被放放置置在在芯芯片片中中央央的的热热源源在在一一个个空空腔腔中中产产生生一一个个悬悬浮浮的的热热气气团团，同同时时由由铝铝和和多多晶晶硅硅组组成成的的热热电电偶偶组组被被等等距距离离对对称称地地放放置置在在热热源源的的四四个个方方向向。在在未未受受到到加加速速度度或或水水平平放放置置时时，温温度度的的下下降降陡陡度度是是以以热热源源为为中中心心完完全全对对称称的的。此此时时所所有有四四个个热热电电偶偶组组因因感应温度而产生的电压是相同的。感应温度而产生的电压是相同的。Group 3LOGO其他类型加速度传感器4.压电式加速度计压电式加速度计压压电电式式加加速速度度计计利利用用了了压压电电效效应应，通通过过测测量量压压电电材材料料两两级级的的电电势势差差即即可可求求得得其其形形变变压压电电原原理理在在宏宏观观尺尺度度的的加加速速度度计计中中应应用用颇颇为为广广泛泛，这这类类加加速速度度计计的的构构造造多多为为基基座座和和质质量量块块之之间间夹一压阻材料。夹一压阻材料。Group 3MEMS压电式加速度计压电式加速度计MEMS压压电电式式加加速速度度计计采采用用的的结结构构与与压压阻阻式式微微加加速速度度计计类类似似,都都是是悬悬臂臂梁梁末末端端加加质质量量块块的的震震动动系系统统，二二者者差差别别在在于于镀镀在在梁梁上上的的材材料料不不同同，压压电电式式加加速速度度计计自自然然只只要要镀镀上上压压电电材材料料，而非压阻材料。而非压阻材料。LOGO THATS ALLMEMS