太阳电池工作原理太阳电池工作原理第一部分第一部分目录引言太阳能辐射太阳电池结构和工作过程太阳电池的电性能引言引言太阳能电池的历史1839年法国实验物理学家EdmundBacquerel（贝克勒尔）发现了光生伏特效应。1941年奥尔在硅上发现了光伏效应。1954年Chaipin（恰宾）和Carlson(卡尔松)等人在贝尔实验室制成了光电转换效率达6%的世界上第一块实用的硅太阳电池，标志着太阳电池研制工作的重大进展。引言引言1959年第一个光电转换效率为5的多晶硅太阳电池问世。1960年硅太阳电池发电首次并入常规电网。1975年，美国科学家制作出非晶硅太阳电池。80年代初，太阳电池开始规模化生产。引言引言太阳电池太阳电池将太阳光能直接转换为电能的半导将太阳光能直接转换为电能的半导体器件体器件种类硅太阳电池1)Si太阳电池1)单晶硅片2)GaAs太阳电池2)多晶硅片3)染料敏化电池3)非晶硅薄膜4)Cu2S电池4)多晶硅薄膜大气层对太阳辐射的影响大气质量大气质量太阳光线通过大气层的路程对到达地球表面的太阳辐射的影响AM0地球大气层外的太阳辐射AM1穿过1个大气层的太阳辐射（太阳入射角为0）AM1.5太阳入射角为45的太阳辐射 太阳辐射穿过大气层的情况AM0AM1.5太阳电池结构正电极铝背场负电极主栅线负电极子栅线 Junction太阳电池的工作过程 光生伏特效应 太阳电池的工作过程 光生伏特效应Scell吸收光子，产生电子空穴对。电子空穴对被内建电场分离，在PN结两端产生电势。将PN结用导线连接，形成电流。在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换。太阳电池等效电路太阳电池电性能参数Isc , Voc , Eff , FFIsc：电池面积、光强、 温度Voc:光强、温度FF：串联电阻、并 联电阻太阳电池电性能参数1.开路电压Voc2.短路电流Isc3.串联电阻Rs4.并联电阻Rsh5.填充因子FF开路电压对理想的P-N结电池最小饱和电流密度与禁带宽度的关系开路电压对于硅，禁带宽度约为1.1ev，所得到最大Voc约为700mV，相应的最高FF为0.84。禁带宽度约为1.41.6ev，转化率会出现个峰值，砷化镓具有接近最佳值的禁带宽度。Voc的损失主要在于体内复合。短路电流损失途径表面的减反射程度，通过制绒和镀减反射膜使反射率在10%以下。正面电极的印刷遮掉10%左右的入射光。电池片比较薄，部分光线会直接穿透电池片。不过现采用全背面印刷铝浆对这损失有很大削弱。半导体体内和表面的复合。串联电阻硅材料体电阻金属电极电阻金属与硅的接触电阻串联电阻串联电阻表达式： 是正面电极金属栅线电阻，rc1、rc2 分别是正面、背面金属半导体接触电阻， rt是正面扩散层的电阻，rb是基区体电阻，rmb是背面电极金属层的电阻串联电阻金属体电阻：其中rsq为厚膜金属导体层的方块电阻，厚膜印刷银电极通常为0.003/0.005/；l为栅线长度；w为栅线宽度。对于铝背场形式的背面电极，rsq通常为0.0100.020/。、即可算出结果。串联电阻金属半导体接触电阻： s是硅的介电常数，ND是掺杂浓度。大致上ND 1019/cm3时，RC将主要表现为隧道效应，并随着ND的增加迅速地下降。对于势垒高度在0.6V左右的金属材料，当硅的掺杂浓度在1020/cm3附近时，RC的数值大约为10-310-4cm2串联电阻扩散薄层电阻引起的串联电阻： 为扩散层方块电阻；L为电池主焊接电极方向尺寸；W为电池细栅线方向尺寸；m为细栅线条数串联电阻基区体电阻： d为基区厚度，约等于硅基片厚度；地面用太阳电池基片材料电阻率通常使用范围为0.5.cm并联电阻边缘漏电（刻蚀未完全、印刷漏浆）体内杂质和微观缺陷PN结局部短路（扩散结过浅、制绒角锥体颗粒过大）填充因子FF和其他关键参数的关系：其中填充因子填充因子还可定义为：填充因子FF与入射光谱光强、短路电流、开路电压、串联及并联电阻密切相关。电池效率输出功率与入射光功率之比为效率式中包括栅线图形面积在内的太阳能电池的总面积单位面积入射光功率温度对太阳电池的影响电流温度系数：0.1%电压温度系数：-0.4%（-2.3mV/)曲线125曲线235 12温度对太阳电池的影响短路电流对温度变化的敏感度不大。开路电压会随温度显著变化，一般温度每升高1，Voc下降约0.4%。填充因子FF因Voc的关系，也会随着温度的上升而减小。输出功率和效率随温度升高而下降。对硅而言，温度高1，输出功率减少0.4%0.5%光强对太阳电池的影响12曲线11个太阳曲线20.5个太阳光强对太阳电池的影响不同日照量下太阳能电池片的I-V曲线电性能测试光强：1000W/m2光谱分布：AM1.5电池温度：25