两类高亮度LED国内增长率均超五成本文信息资料来自上海梵企LED显示屏官方网站官方网址： 目录1234外延芯片发展迅速封装企业规模小数量多四元系AlGaInP发红、橙、黄色的LED和GaN基发蓝、绿、紫、紫外光的LED以及由蓝(或紫、紫外) 芯片加荧光粉或由多芯片组合而成的白光LED，这两类高亮度LED近年来国内发展非常迅速，增长率均超过50%。根据中国光学光电子行业协会光电器件分会的统计和分析，2005年全国具有一定规模的LED生产和研究单位约400家(不含外商投资企业)，小规模封装企业和应用产品开发企业，已超过1000家。“外延芯片发展迅速国内LED外延芯片的主要企业有：厦门三安、大连路美、深圳方大、上海蓝光、上海蓝宝、山东华光、江西联创、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、杭州士蓝明芯、扬州华夏集成、甘肃新天电公司等。LEDLED的核心技术是外延、芯片制造技的核心技术是外延、芯片制造技术，特别是高亮度术，特别是高亮度LEDLED和功率和功率LEDLED的核心的核心技术。四元系技术。四元系AlGaIn PAlGaIn P发红、橙、黄色发红、橙、黄色LEDLED和和GaNGaN基绿、蓝、紫和紫外基绿、蓝、紫和紫外LEDLED，近，近几年发展非常迅速，有关政府部门及相几年发展非常迅速，有关政府部门及相关大学、研究所、企业均高度重视，投关大学、研究所、企业均高度重视，投入大量资金、人力加以研究、开发和产入大量资金、人力加以研究、开发和产业化，主要研究机构有北大、清华、南业化，主要研究机构有北大、清华、南昌大学、中科院半导体所、物理所、中昌大学、中科院半导体所、物理所、中电电1313所、华南师大、北京工大、深圳大所、华南师大、北京工大、深圳大学、山东大学、南京大学等，在技术上学、山东大学、南京大学等，在技术上主要解决硅衬底上生长主要解决硅衬底上生长GaNGaN外延层、外延层、GaNGaN基蓝光波长漂移、基蓝光波长漂移、P P区欧姆接触，采用区欧姆接触，采用ITOITO透明电极，激光剥离透明电极，激光剥离Al2O3Al2O3衬底，提衬底，提高内量子效率和出光效率，提高抗光衰高内量子效率和出光效率，提高抗光衰能力和功率芯片的散热水平等等，已研能力和功率芯片的散热水平等等，已研发发1W1W的功率的功率LEDLED芯片也可产业化，其发芯片也可产业化，其发光效率为光效率为30lm/W30lm/W40lm /W40lm /W，最高可达，最高可达47.5lm/W47.5lm/W，单个器件发射功率为，单个器件发射功率为150mW150mW，最高可达，最高可达189mW189mW。南昌大学近年来开。南昌大学近年来开展在硅衬底上生长展在硅衬底上生长GaNGaN外延材料，该研外延材料，该研究成果取得突破性进展，最近通过国家究成果取得突破性进展，最近通过国家“863”“863”项目验收，并获多项有自主产项目验收，并获多项有自主产权的国际发明专利。权的国际发明专利。在此输入标题输入文字在此录入上述图表的综合分析结论在此录入上述图表的综合分析结论在此录入上述图表的综合分析结论在此录入上述图表的综合分析结论“谢谢您的耐心阅读！上海LED显示屏