集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用双螺杆共混改性原理及应用何亚东北京化工大学机电工程学院集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用主要内容一双螺杆的形成、分类及评价二双螺杆的工艺特点三螺杆组合设计四专题（比能耗，工艺参数，工程放大）五补充材料集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用一. 双螺杆的形成、分类及评价集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用一. 双螺杆的形成、分类及评价1. 为什么是同向双螺杆2. 同向双螺杆发展3. 自洁型螺纹曲线的形成4. 双螺杆的性能评价5. 螺杆元件的功能/类型6. 螺杆元件工作原理集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用螺杆挤出机分类集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering挤出机的输送机理21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用高速度高剪切/混合能力自洁性适应性/模块组合集成化/熔融、混合、排气、反应设计/加工制造1.1 为什么是同向双螺杆集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用高剪切集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering多功能集成21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用同向双螺杆挤出机加工原理聚合物颗粒粉料/填料同向双螺杆加料熔融混合排气泵送定型/冷却空气水辊筒输送器液体添加剂纤维成型造粒膜/片管材/型材纤维涂料集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用同向双螺杆的主要用途反应挤出制备新型聚合物 (REX)接枝反应改性聚合物聚合物排气脱挥聚合物体系物理共混（合金）各类颗粒填充塑料95% 的双螺杆用于造粒成型，但现在将双螺杆用于直接挤出成型（制品）越来越普遍了。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用1.2 同向双螺杆的发展同向双螺杆创始人: Pfleiderer, Erdmenger, Fritsch等异向双螺杆创始人: Leistritz, Kiesskalt, Burghauser等用于改性造粒的同向双螺杆知名厂家还包括：Krausmaffei-Berstorff, APV,JSW,Farrel,Toshiba,Maris,Davis-Standard等国内双螺杆厂家达上百家，较大的有科亚，南橡塑，兰泰，大橡塑等集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009相同螺杆轴距比较，产量增加了 35 倍，即过去50年里年均增长 7.5%螺杆长度从6D发展到56D，螺杆转速从150rpm发展到 1200及 1800 rpm1957年WP开发的首台ZSK自洁双螺杆挤出机（竖排）2007年K展上WP-ZSKMEGAvolume PLUS 76双螺杆共混改性原理及应用Coperion-WP的发展50年集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用LeistritzZSE MAXX系列，高扭矩和高容积ZSE 50 MAXX目前最高的比扭矩 15.0 Nm/cm容积率 Do/Di = 1.66产率 1,400 kg/h集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用1.3 自洁型螺纹曲线的形成运动关系决定了横截面形状集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用实际元件有均匀间隙的全啮合螺杆集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用螺槽浅，物料层变薄，因而三头螺纹元件的热传递性能比双头螺纹元件好，利于物料塑化熔融。但剪切强烈，一般不宜用于对剪切敏感物料的加工和玻璃纤维增强工艺。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用1.4 双螺杆的性能评价对于同向双螺杆挤出机来说，评价设备性能主要采用以下三个指标：容积率比扭矩转速条件：相同直径集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用1.4.1容积率：决定了螺杆剪切速率、粉体喂料及及排气能力表面上仅仅是顶径与跟径关系，但实际上与螺纹头数，中心距有关三头螺纹最大容积率1.37，双头螺纹最大为2.41集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用螺纹头数与容积率关系集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用不同容积率的剩余横截面积之比集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用高容积率的适用材料体系：适用于低堆密度，高含水率等物料适用于低输入能量物料的加工（0.1KWh/kg）高容积率的工艺优势：改善加料状况低剪切速率，低熔体温度，可允许更高的螺杆转速更可靠的脱挥/排气低产品应力水平，改善质量（取决于产品和加工工艺）集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用高容积率的主要应用领域化工产品：硅橡胶粘结剂产品：热熔胶、压敏胶着色工业：粉末涂料，打印色料，墨粉建筑工业：地面覆材，木塑材料食品工业：谷类食品，宠物食品，糖果，巧克力工程塑料：高填充共混体系（LDPE+80%CaCO3，PP+40%空心玻璃微珠），热塑性弹性体（TPE)，电缆料（无卤阻燃），PVC浓缩母粒：添加剂母粒（PE+25%二氧化硅，阻燃剂，发泡剂），色母粒（预混料，PET/PBT+碳黑）集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 扭矩Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009螺杆轴承受扭矩双螺杆共混改性原理及应用1.4.2 比扭矩：所能够传递扭矩与中心距立方之比( Nm/cm)决定了挤出机的功率及螺杆允许充满程度表征挤出机的加工能力-高黏度，高产量螺杆芯轴承载能力决定了比扭矩。比扭矩越高，可加工更高黏度物料比扭矩越高，螺纹跟径(Di)可以越小，提高容积率螺杆轴向长度集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用高扭矩的优势：可以更高的充满度，从而降低平均剪切速率，降低熔体温度，缩短停留时间，降低产品应力。高扭矩允许更高的螺杆转速，能够显著提高单转产量。1.4.3 转速决定了挤出机的剪切和混合水平高转速的前提是挤出机具有高扭矩集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用预混：聚丙烯紫外稳定剂50%Leistrize ZSE500-600rpm最大136kg/h600rpmCWP ZSK40Mc0-1200rpm362kg/h800rpm最大约453kg/h1000rpmInstitute of Polymer Processing and Engineering紫外稳定剂比较：实例比较1）聚丙烯抗紫外母料配方：聚丙烯MI 20 50%集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 85%15%CWP ZSK25WLE0-1200rpm最大63kg/h1200rpmInstitute of Polymer Processing and EngineeringCWP ZSK40SC0-600rpm最大45kg/h600rpm料条劈裂分杈21/11/2009尼龙6紫外稳定剂比较：双螺杆共混改性原理及应用2）尼龙抗紫外母料预混：尼龙紫外稳定剂配方：集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Leistrize ZSE500-600rpm最大136kg/h600rpm21/11/2009CWP ZSK40Mc0-1200rpm362kg/h800rpm最大约453kg/h1000rpmInstitute of Polymer Processing and Engineering3）线性低密度聚乙烯抗静电母料LLDPE290kg/h配方：LLDPE MI 12 80%液体抗静电剂 20%比较：双螺杆共混改性原理及应用抗静电剂72kg/h集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用PBT290kg/h4）PBT阻燃母料配方：80%20%Leistrize ZSE500-600rpm最大136kg/h600rpm21/11/2009CWP ZSK40Mc0-1200rpm362kg/h800rpm料条冷却能力受限制最大约453kg/h1000rpmInstitute of Polymer Processing and EngineeringPBT阻燃剂比较：阻燃剂72kg/h集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用双螺杆性能提高过程-CWP21/11/2009比扭矩从3.7到 13.6容积率从1.22到1.80最高比扭矩 13.6最高容积率 1.80最高转速1800rpmInstitute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009容积率-比扭矩双螺杆共混改性原理及应用转速-产量CWP集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用双螺杆性能提高过程-Leistrize最高比扭矩 15.0最高容积率 1.66最高转速1200rpm集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009Leistrize对称设计非对称设计双螺杆共混改性原理及应用容积率与耐磨性兼顾理想的容积率应为1.5-1.66非对称结构代替标准花键，小直径芯轴可传递更大扭矩集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 1.4.3 ZSE-27 比较研究ZSE-27 HP系列螺杆外径 27 mm双螺杆共混改性原理及应用ZSE-27 MaXX系列螺杆外径 28.3 mm螺槽深度 4.5 mm螺杆跟径 17.6mm自由容积 10.3 ml/D其他参数：螺杆长径比 40中心距 23 mm螺杆转速 1280 rpm电机功率 50 HP 交流相同温度设定21/11/2009螺槽深度 5.7 mm螺杆跟径 16.8 mm自由容积 14.3 ml/D试验材料体系：#1: PE 粉料 MFI=12#2: HDPE粒料 MFI=0.9#3: PLA,NatureWorks 2002DInstitute of Polymer Processing and Engineering比较集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用ZSE-27 MaXX系列Do/Di=1.66Institute of Polymer Processing and Engineering横截面形状比较ZSE-27 HP系列Do/Di=1.5521/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用容积率增大对比 - 橙色部分集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用ZSE-27 HP vs MaXX 螺杆组合ZSE-27 HPZSE-27 MAXX敞开机头挤出,压力低于0.7MPa集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 产率 (kg/hr)产率(kg/hr)产率 (kg/hr)Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009PE 粉料 MFI=120.040.060.0120.0100.080.0160.00200400600800100012001400螺杆转速 (rpm)MAXXHP产率比较180.0双螺杆共混改性原理及应用HDPE 粒料 MFI=0.940.020.00.080.0140.060.0100.0160.0140.0120.00200400600800100012001400螺杆转速 (rpm)MAXXHPPLA- NatureWorks 2002D80.060.040.0120.0100.0140.020.0160.0180.00200400600800100012001400螺杆转速 (rpm)MAXXHP集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 熔体温度(deg C)熔体温度 (deg C)熔体温度(C)Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009PE 粉料 MFI=122052152102202252302452400200400600800100012001400螺杆转速 (rpm)MAXXHP熔体温度250双螺杆共混改性原理及应用HDPE粒料 MFI=0.92152102252352202302552502452402350200400600800100012001400螺杆转速 (rpm)MAXXHPPLA- NatureWorks 2002D2102002402502600200400600800100012001400螺杆转速 (rpm)230220MAXXHP集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用MaXX vs HP 最大剪切速率提高 5%最大剪切速率 = (*D*n)/(h *60)D = 螺杆直径mmn = 螺杆转速 rpmh = 顶隙 mm比较结果：ZSE-27 HP = (*27*600)/(0.1 * 60) = 8478 sec-1ZSE-27 MaXX = (*28.3*600)/ (0.1 * 60) = 8886 sec-1最大剪切速率提高 408 sec-1集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 产率(kg/hr)Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009500200400600800100012001400螺杆转速 (rpm)HPMAXX+0双螺杆共混改性原理及应用扭矩增大 30%250PLA - MaXX+200150100MAXX集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用1.5 螺杆元件的功能/类型集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用顶隙区（剪切）-分隔侧隙区（拉伸场）螺槽区（弱剪切/拉伸场）捏合区-分隔（剪切/拉伸场）21/11/20095个功能区域-横截面尖顶区（剪切/拉伸场）Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用输送螺纹元件导程越大，螺纹升角越大集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 正/反螺纹元件21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用反向螺纹元件则作为阻力元件，起建压作用Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用捏和块元件捏合块元件能提供高的剪切，因而能提高分散混合，也称为剪切元件。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用左中右旋捏和块集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering混合元件21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用1.6 螺杆元件工作原理实现对物料的输送、压缩、排气以及挤出中的建压集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用双螺杆中物料的运动轨迹集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用单双头元件物料输送比较在啮合区，对物料有扭转限制（螺棱较厚），故输送作用增强集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用螺纹导程-充满度在螺杆转速不变的情况下，用导程变化来控制物料在不同轴向位置螺槽中的充满度在排气区和加料区，采用大导程螺纹元件来创造低的充满度，以利于排气和物料的加入。小导程螺纹元件用于压实物料和形成高的充满度集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 厚薄21/11/2009捏合盘厚度4590错列角度Institute of Polymer Processing and Engineering双螺杆共混改性原理及应用捏和块元件功能厚捏合盘比薄捏合盘有更强的“拖曳流”能力，但对压力更敏感集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering双头和三头捏和块比较21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用设计原理现在也有的厂家采用将各捏合盘偏心实现三头捏和块的使用，但影响互换性。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering返流/建压能力比较21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering反螺纹元件作用-建压/返流21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering混合元件的设计原理21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering混合元件功能21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用新型螺纹元件1. 侧隙元件侧隙区流动，形成拉伸流场，促进分散混合缺点：轴向长度较大集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用2. 分布混合元件开槽和齿形结构进行分流提高分布混合能力集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering3.柔和剪切元件非啮合，低剪切，回流21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用4. 密炼元件建立拉伸流场，形成返流区集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用例：双峰HDPE加工用螺杆及元件特殊类型元件举例集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 螺杆标准元件新元件产量（kg/h）600600转速（rpm）210210SEI（kWh/kg）0.2290.210熔体温度()274258MI-50.250.27ISO5.085.58WSA（%）1.010.77最大直径（微米）162141微观结构双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering应用效果：21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009混合元件的运用提高性能双螺杆共混改性原理及应用降低比能耗集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用同向双螺杆挤出机的特点归纳两根螺杆同向旋转，高转速螺杆之间紧密啮合，相互作用，强剪切螺杆机筒组合式结构适应性强直径，中心距和螺纹头数决定了螺纹曲线自洁性设计减少物料粘附可采用单头、双头和三头螺纹元件容积率：Do/Di比扭矩：Md/a3集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用二. 双螺杆的工艺特点集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用二. 双螺杆的工艺特点1. 双螺杆的工艺应用现状2. 双螺杆的工艺优势3. 举例4. 工艺与螺杆组合的DOE试验设计5. 双螺杆加工工艺的评价集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用1. 双螺杆的工艺应用现状双螺杆工业生产追求的是连续生产，高产量和高稳定性，研究是需要知道改性的机理并了解如何控制，我们就是希望将两者结合起来对于国外大公司来说，塑料的改性工艺、配方及螺杆组合等都属于机密，不发表论文，是通过大量试验总结摸索出来的现在的工程塑料改性通常对于材料的性能要求是综合的，如增强、填充、共混、阻燃、阻隔、着色等，并且很多功能需要在一个改性工艺中完成，因此对于工艺设计和设备的要求很高。如需要关注黏度比、弹性比；颜料本身的选择性；相界面及相容剂，物料温敏型剪敏型；分布混合和分散混合等的交互作用等等国内厂家不了解双螺杆加工的机理，没有系统试验总结，不懂螺杆组合及工艺，因此加工改性技术进展缓慢。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用2. 双螺杆的工艺优势螺杆转速和加料量可以分别独立控制，这样就能够控制物料的输入能量和停留时间，实现相形态、粘度比等的控制，达到优化的目标。螺杆转速21/11/2009加料量停留时间Institute of Polymer Processing and Engineering输入能量物料集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用2.1 输入能量 - 对工艺的影响最大输入能量高：高转速，低加料输入能量中：中转速，中加料输入能量低：低转速，高加料2.2 停留时间 - 通常不如输入能量的影响大停留时间长：低转速，低加料停留时间短：高转速，高加料扭矩/电流集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用2.3 加工区间的摸索一种新物料体系的加工：通常先设计三种螺杆组合（强，中，弱），然后分别在三种组合上进行三种输入能量（高，中，低）的试验，基本上可以确定合理的加工区间（螺杆转速，加料量等）螺杆组合的强弱通过控制啮合盘组数、啮合盘角度来加以调整对于反应性或停留时间敏感的料，需加试两种停留时间来确定出上下限。改变停留时间时，输入能量通常保持不变DOE方法非常有助于改性工程问题的快速解决，需善于应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用输入能量的调控输入能量螺杆转速螺杆充满度加工温度低低高该高高低低捏和块数量（侧隙元件） 少多加料量与螺杆转速之间的平衡非常关键。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 输入能量的调控反螺纹组数反向捏和块组数90宽捏合盘组数宽捏合盘组数90窄捏合盘组数捏合盘组数21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用强弱Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering停留时间的调控21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用停留时间HDPE: ZSK92 自洁型挤出机，敞口挤出15分钟集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用HDPE: ZSK92 自洁型挤出机+节流阀+熔体泵+过滤板+水下切粒 60分钟集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用螺杆充满度对停留时间的影响在某种程度上比螺杆组合的影响更大-工艺螺槽充满产量螺槽半充满螺槽充满度很低停留时间集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用2.3 举例2.3.1工艺设计：加料位置，转速，加料量，温度，侧加料等集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用2.3.2 实例1）PC（聚碳酸酯）光气法PC通常为粉料，难点在于堆密度低，通常为0.1-0.3，加料速度慢，传热效率低，使得产量上不去；同时容易夹带气体，造成加料口返气体，扬尘PC/ABS是用量最大的改性品种，通过ABS或MBS降低成本，改善低温缺口冲击强度，降低加工粘度，用于高流动性要求的，薄壁注射制品成型国产化的PC/ABS不稳定，主要是相形态控制不好，很难稳定，同时对颜料敏感集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用PC/PET 主要用于阻隔性的场合，是通过共混使PET在PC中形成微晶相，提高阻隔性，这就要求通过停留时间和能量输入进行控制，达到所需的相形态。在温度高于280度后，控制不好容易发生酯交换反应；该共混体系易水解光盘级PC要求纯度高，低分子含量小，因此也通过工艺设计，在加工中加入水或小分子，将单体或短支链提出来，然后再将水脱出来。PC高阻燃料通常要加入氮、磷系等，以高含量的液体形式加入，加料位置有讲究，分多段及多加入口进行加入。国内仍为卤族阻燃。国内高流动性、高冲击和高阻燃的PC改性料仍缺乏，配方和设备可以与国外相同，但工艺设计不好，无法得到好的、稳定的产品。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用2）PPO（聚苯醚）PPO有臭味，含氨的催化剂，工艺上需要脱臭，可通过加入水等小分子将氨吸出来，然后再将水脱出来。PPO粉料的加工会造成很多工艺问题，粉料极易引起静电，致粉尘爆炸；气体渗透率很低，加工中气体很难出来，工艺控制不好很容易造成压力高，爆炸等危险。因此在输送、下料等过程必须严格控制，工艺上优化，如加料口充氮，输送管道防静电，控制环境的氧含量低于爆炸极限等。工艺设计很重要。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用Noryl体系PPO/PS合金-MPPOPPO价格高，粘度高，几乎不流动，与未增塑的PVC粉料类似，加入PS后，粘度降低，热敏性下降，力学性能提高，具协同效应。螺杆组合非常关键，否则无法形成分子级混合，无法发挥协同效应。PPO/PS是一个非常典型的共混例子，也是唯一的分子级相容的共混体系，协同效应。PS占60-70%，低粘度，而PPO高粘度，刚性很强。PPO与PS形成的为均相溶液，完全一相；只有在与HIPS混合时，其中的橡胶相才为分散状态。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用GTX体系PPO/PA合金PPO与PA不相容，PPO由于其高黏度，最终为分散相。PPO+PA 典型的高黏与低粘度混合，同时加入肯定不行，国内厂家也都注意到这一点了，但均没有开展系统的研究，实际上需要通过控制粘度比来控制相态，达到所需的混合效果。在加工过程中，通过加入柠檬酸实现PPO与PA的界面改性（PA-g-PPO），该界面相强化了共混体系的界面，可提高其性能。其中采用的增韧体系为SBS或SEBS, 是与PPO相容的，其在PPO相筹中形成分散相。PPO相筹尺寸的大小会影响最终体系的性能，尤其是熔融指数MFI, 而界面改性剂（PA-g-PPO）的含量和共混条件则会影响PPO相筹的尺寸。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用PPX体系MPPO/PP合金MPPO+PP体系。材料的组成和粘度极大地影响相形态。PPO+PP体系是比较难的共混体系。PP的低粘度将形成连续相，PPO+PS的总含量及其各自的比例决定着相形态随着PPO+PS的总含量的提高，PPO+PS相由分散相转变为连续相，而随着PS:PPO比例的增加，PPO+PS相倾向于形成连续相。双连续相的形成对于力学性能是有利的，而PP相连续，PPO+PS相分散则对于耐化学腐蚀性的提高有利。共混工艺及注射过程对与其相形态有影响集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用弹性PPO体系PPO+EPDM（SEBS,SBS,TPU等弹性体等）软PPO体系，主要的问题是二者的温差太大，所以需要通过工艺手段来缩小二者之间的温差，这就是为什么要充油等工艺手段。SBS耐候性较差，TPU耐刮擦性好，但加工中易降解，用于电缆非常好。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用PPO共混体系螺杆组合原则加料段通常为单头螺纹，为了将粉料快速输送，防止气体向加料口返回，影响产量，主要在高产量的工业生产时应用。加料口通常设置后排气段，利用后排气可加入物料将架桥的粉料带走。熔融段非常强，采用多组混炼盘，加速其熔融。粉料PPO与无增塑的PVC类似，难以熔融和塑化SME螺纹用于与纤维的混合集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用3）POM, PPS （聚甲醛，聚苯硫醚）两种料比较相近，都是高结晶度的材料POM容易降解，加工窗口极窄，类似PVC。 对转速、温度都非常敏感，冬夏温差可能造成产品质量波动。螺杆设计上很讲究，转速与产量的匹配来控制能量输入。转速高，能量输入大。POM注射时甲醛的味道很大集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用2.4 工艺与螺杆组合的DOE试验设计输入能量（高，低）停留时间（长，短）工艺（加料位置，转速，加料量，温度等）螺杆组合（强，弱）工程上通过DOE的运用，可以在较短的时间内找到工艺问题的主要影响因素，从而为问题的解决提供依据。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用2.5 双螺杆加工工艺的评价材料性能（力学、热、电、阻燃、成型、老化）质量稳定性生产率（kg/h）比能耗（kWh/kg）集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用三. 螺杆组合设计原则集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用三. 螺杆组合设计原则1. 介绍2. 螺杆分区3. 加料段4. 熔融段5. 排气段6. 计量段7. 螺杆组合的注意事项集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/20091. 介绍熔融 和 混合双螺杆共混改性原理及应用固体输送输送二次混合混合和密封排气泵送和排料集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009加料滑石粉/碳酸钙泵送建压双螺杆共混改性原理及应用双螺杆沿程压力分布及功能分区排气集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering2. 螺杆分区加料段熔融段排气段计量段侧加料段各脱挥段注液/气段21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering3. 加料段21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering加料器设计21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering加料口形式21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering加料口尺寸21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering粉体加料21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用容积率、导程、转速、充满度、输送效率、物料堆密度集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 螺杆转速的影响21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用与转速线性关系材料体系关系密切背压影响显著粒料高于粉料纯料高于粉体填充Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 材料性质的影响21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用产率与物料可压缩性成反比填充量越大，可压缩性越高粉料可压缩性高于粒料Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 螺杆结构的影响21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用产率与加料段长度成正比产率与螺纹导程成正比自洁螺纹产率远高于非自洁元件Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用加料段长度的影响物料越密实，所需加料段长度越短加料段越长，熔融段所需反螺纹越多集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering4. 熔融段21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用挤出机越大，外加热所占比重越小集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用容积率越高，熔融区所需的反螺纹个数越多物料越密实，所需反螺纹个数越多保证输入能量熔融需要能量集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用WP产品系列集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering熔融区螺杆组合设计21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用固体输送区及反螺纹的设置对于熔融具有重要影响集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering熔融区合理的压力分布21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering5. 排气段21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 聚合物需要脱除的物质种类初始含量最终含量LDPE乙烯2000ppm100ppmLLDPE己烷,环己烷10-15%500ppm3%250ppmEVA乙烯基乙炔5000ppm50ppmPS苯乙烯3000-5000ppm300ppmABS丙烯晴（AN)20ppm4ppmPC二氯甲烷8%0.8%PA己内酰胺15-70%1000ppmInstitute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用脱挥/排气工艺集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用，多排气口高剪切，高转速集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering特种工程塑料需要侧排气21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering脱除较难分离物质21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用高温、低压力环境有利集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用实例：热塑性淀粉/聚合物共混脱去20% 水分制备淀粉含量50%的共混料影响因素: 停留时间 表面积 表面更新率 真空效率大长径比：L/D=60多排气口：4个侧喂料Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用脱去20% 水分制备淀粉含量50%的共混料聚合物熔体加入热塑性淀粉加入集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用脱去20% 水分制备淀粉含量50%的共混料多次排气 / 脱挥Institute of Polymer Processing and Engineering真空排气21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering实际使用的双螺杆挤出机21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering6. 计量段21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering计量段中熔体的流动21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用熔体输送与螺纹导程的关系小导程建压能力强，但高转速下限制产率提高大导程产率高，建压能力稍弱集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用充满长度与压力的关系螺杆转速降低，充满长度变短集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 熔体泵的运用21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用双螺杆建压能力较弱，建压过程需要消耗较高的能量双螺杆与熔体泵配合有助于在保证质量下降低能耗HLMI:大载荷下的熔指Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering计量段组合设计需要考虑21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用径向温度分布物料流线螺杆头的影响轴向温度分布常规螺杆头容易造成出口处熔体温度分布的不均匀，内外最大温差可达80。机头出现有几个孔经常断条或料条扭曲的主要原因。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering混合型螺杆头的设计21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用径向温度分布均化出口熔体温度，降低内外温差降低熔体温度促进混合物料流线新型螺杆头的运用轴向温度分布集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 7. 螺杆组合的注意事项21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用两芯轴相位为90度Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering防止损坏或磨损21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering同向双螺杆的分离力21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering不同元件产生分离力比较21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering向内挤压力的产生21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering螺杆组合-芯轴变形的补偿21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering芯轴的变形及磨损21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用专题：比能耗SEI集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用比能耗（SEI）表示加工过程中单位重量物料被输入了多少能量通常是指由电机所输入的机械能SEI是表征加工工艺优劣和设备性能的重要指标SEI大于加工过程最少所需的能量，小于物料能够承受的能量单位为kWh/kg集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用聚合物共混体系聚烯烃加工-有熔体泵聚烯烃加工-无熔体泵ABS.PVC工程塑料合金（PC/ABS,PC/PBT）PP,PBT常规填充/增强PA,PET常规填充/增强白色/颜色母粒黑色母粒PP高填充改性基线基线反应加工，脱挥聚合（TPU,POM)）高浓度聚合物溶液其他共混体系粉末涂料墨粉食品加工吸音材料洗涤剂胶粘剂活性炭基线比能耗Institute of Polymer Processing and Engineering不同加工过程的比能耗SEI集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering比能耗计算121/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering比能耗计算221/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 比能耗与工艺21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用产量越低，比能耗越高（转速恒定）转速越高，比能耗越高（产量恒定）Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用比能耗变化趋势-固定转速物料所能承受的最大输入能量完成熔融、混合所需的最基本的能量集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009比能耗变化趋势-两个转速扭矩低限双螺杆共混改性原理及应用加料限制集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用比能耗变化趋势-可调转速集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用专题：工艺参数集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用工艺参数-扭矩（电机负载）转速恒定时，提高产量，扭矩增加产量恒定时，提高转速，扭矩降低集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering工艺参数-温度分布21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用工艺参数-操作参数相互作用概览集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 工艺窗口21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用MI太高，熔融和造粒有问题MI太低，机头压力及双螺杆扭矩有问题产率太高，物料熔融和扭矩有问题Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 产率21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用对高粘度物料，最高产率主要受到扭矩、压力的限制对低粘度物料，最高产率主要受到熔融的限制Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering扭矩21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering加料21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering熔融21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering排气21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering压力21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用专题：关于混合集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 21/11/2009关于混合：分散分布分布分散均匀混合体系双螺杆共混改性原理及应用混合：一种致力于降低混合物非均匀性的操作过程，并且只能通过引发各组分的物理运动来完成。混合是一种操作，是一个过程，是一种趋向于减少混合物非均匀性的操作，是在整个系统的全部体积内各组分在其基本单元没有发生本质变化的情况下的细化和分布过程。Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用分布混合（理想状态）初始状态1次分流2次分流3次分流4次分流5次分流集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用分布混合，也称为层流或广泛混合，通过拉伸非粘附的两相的界面区域，使其在整个体积中分布开来。各粒子之间只有相互位置的变化，而无尺寸的变化。分布混合可以视为少组分在多组分基体中随机的空间分布，可以用累积应变速率来加以表征：累积应变速率 = 剪切速率停留时间工程上，挤出过程中的停留时间可以用混合段长度或长径比来表征。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用高效分布混合元件以低的能量损失实现高效分流集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用分散混合，或称为密集混合（Intensive ）, 分散相在连续相中尺寸的减小。有可能是固体附聚，不相容的液体或气泡。固体附聚体的粘附性质是由于附聚颗粒之间的范德华力，液体颗粒是由于表面张力和弹性性质，气体则为表面张力。分散混合是通过应力的作用，减小平均粒子尺寸的过程。应力 =* 体系中的应力随粘度和剪切速率的增长而增大。实际上对于聚合物体系来说，应力的类型、应力建立的速率、局部的应力历史也是非常重要的。这类混合对于固体-液体混合物称为分散混合，对于液体液体混合物称为均相过程。这些混合操作是强烈混合过程（Intensive）。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 分散混合（平面剪切）21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用剪切速率 = 单位厚度内的速度差（单位时间内）Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 经历 所需剪 分 End次数 切速率 个数双螺杆共混改性原理及应用分散混合（剪切场）ShearDivision RateNumber Reqd Pieces1st2nd3rd4th5th60240960384015360248886th21/11/2009614408剪切不足以使其继续分裂Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering分散混合（拉伸场）21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用 =机理：毛细管数定义为：Ca = a/a连续相中的应力特征尺寸，如液滴直径，颗粒直径等表面张力物理意义：流动引起的形变应力（使颗粒（液滴）破碎的力，等于基体粘度与剪切速率之积）与界面作用力（使其保持完整的力）之比。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用一般，如果分散相粘度低于基体粘度，则分散相尺寸细小而且分布均匀。相反，如果分散相粘度高于基体，分散相将出现明显的聚集。研究表明，当粘度比大于3.7时，在剪切流动的作用下，液滴会变成椭球形，但不会破裂；拉伸流动场更能有效地促使液滴破裂，且限定的粘度比范围比单一剪切流动的更宽。*维森伯数=弹性力/黏性力产生可回复和永久形变能力之比。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用黏度分布混合为主分散混合为主Institute of Polymer Processing and Engineering分散混合依赖于应力分布混合依赖于应变 = = 实际上二者在聚合物加工中无法完全分开。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用混合元件（分布-分散）分散混合 (应力)宽捏和块，剪切环，侧隙元件等分布混合 (应变，分流次数)齿形盘，螺棱开槽元件，窄捏和块，销钉元件等一台好的混炼机能够在分散和分布混合特性上得到很好的平衡。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用例：捏和块宽捏和块 = 提高拉伸流动，增加剪切几率，促进分散混合窄捏和块 = 提高分流次数，促进分布混合宽捏和块分散混合窄捏和块分布混合集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用分布分散混合共同作用实例：聚合物中大量液体添加剂加入的混合分布混合分散混合逐步加入液体能够解决由于大液体添加量所引起的混合质量问题聚合物加入液体注入1液体注入2液体注入3均匀分散至基体中进一步分散及混合完全加入聚合物加入真空排气出料集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用大量液体添加剂顺序加入聚合物中黏度顺序加入：顺序加入聚合物体系中，黏度曲线表明混合状态良好单点加入：单点加入聚合物体系中，大量低黏度液体的存在表明混合质量较差 =一旦液体在共混体系中占了主导，应变只会发生在低黏度相中，分散混合处于停滞状态集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用在整个螺杆长度上，体系的黏度有可能降的太低，以至于分散混合无法进行。通过螺杆组合来弥补黏度的降低，一种方法就是在较上游位置使黏度不要降低太多，高于应力能够施加所需的阈值；另一种就是在下游增大应变速率和停留时间。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用通过输入更高的应变以在黏度降低条件下保持分散混合混合区混合区混合区黏度黏度 =应力应变速率21/11/2009应变速率Institute of Polymer Processing and Engineering应力集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用混合区螺杆组合结构混合区捏合盘宽度捏合间隙捏合块数量NR ELEM.1窄大1 2Few2中中2 3More3宽小2 8Many集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用反混合-松弛时间混合后形成的熔体分散相可能会重新融合，抑制分散混合效果增容处理及混合的速度均对最终混合效果产生影响分散混合过程混合时间松弛时间反混合过程融合时间集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用专题：工程放大集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering工程放大21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering工程放大的基本要求21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009比能量(电机功率)充满度，输送能力自由容积气体流量气体速度传热表面双螺杆共混改性原理及应用测试结果研究限制产率各参数集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用专题：加工工艺集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and EngineeringPMMA聚合拉纤工艺21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering反应挤出纺丝工艺21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用补充内容集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 短玻纤增强聚合物长玻纤增强聚合物制品中纤维长度(mm)10-100原材料短纤共混LFT造粒LFT造粒直接LFTGMT制品加工工艺注射成型模压成型制品中纤维的取向程度低中高高高双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering长纤增强定义21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用Institute of Polymer Processing and Engineering纳米分散混合21/11/2009集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用纳米分散原则：纳米复合材料的性能受到前（化学）处理，粒径和加工工艺的影响。聚合物与纳米颗粒之间的相容性是实现插层的前提，因此不同聚合物的配合非常重要（PBT,PET,PA6,PP)MAH-PP作为增容剂，能够使层间距变宽粒径尺寸越大，所需的剪切速率越高、停留时间越长纳米粉体的加料位置取决于颗粒尺寸，越上游越有利于插层含有分散和分布混合区的螺杆比纯分散螺杆组合更有利低转速（150rpm）更有利于使层间分离（停留时间）加工工艺如螺杆组合或转速等的调节无助于促进非相容组合体系的插层/剥离水可作为非相容材料体系的“增容剂”使用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 双螺杆共混改性原理及应用有用的公式FLn21. 拖曳流量Qd计算： Qd =1.54HDLnF：剩余横截面积，F=X*D2, X可由前查图求得L: 螺纹元件导程n: 螺杆转速D:螺杆外径H: 元件槽深2. 充满系数f 计算：21/11/2009f = Q/QdQ: 净流量Qd: 拖曳流量Institute of Polymer Processing and Engineering集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用3. 停留时间计算：3.1 充满区Lf停留时间：FLfQ f =FfLs2LSQLns =3.2 非充满区Ls停留时间：集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用4. 双螺杆中物料温升与压力升高的关系05. 双螺杆挤出机中加热和冷却传热量估算：QUAQCA3kWm26kWm2冷却最大传热量：加热最大传热量：因此通常无法将双螺杆中的熔体冷却下来：2UT = 3kW /m集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用比产率： kg/ hr RPM表征充满程度比能耗:kw (applied)kg per hour表征每公斤所加工物料被输入的能量双螺杆挤出机中完成下述每个功能至少需要 35D 长度：加料、熔融、反应、脱挥、建压集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Institute of Polymer Processing and Engineering21/11/2009双螺杆共混改性原理及应用如何找到优化的充满程度对转速和产率分别进行高、中、低三种组合，进行试验测试每组材料所关注的各种性能及进行质量评价对每组试验计算比产率对每组试验计算比能耗实验结果就能够清晰地显示出优化的充满程度