八英寸直拉单晶棒少子寿命检测 Eight inch czochralski single crystal rods ShaoZi life test Eight inch czochralski single crystal rods ShaoZi life test 目录：一、采样及样品处理二、检测依据及设备三、检测原理及作业指导书四、检测环境及影响因素五、检测数据分析六、检测报告书一、采样及样品处理1、采样：单晶硅片单晶片：取单晶棒头部、中部、尾部各三片，要具有代表性。2、样品处理：（1）、试样待测面用320#（2842m）或W28(2028m)金刚砂研磨或喷砂。（2）、 对圆片试样，用514m氧化铝或金刚砂研磨上下表面。二、检测依据及设备1、检测依据：2、检测设备:三、检测原理及作业指导书一、检测原理：一、检测原理：光电导衰退法基本原理光电导衰退法基本原理 ： 光照射光照射 非平衡载流子非平衡载流子 电导率电导率电阻率电阻率电流电流电压电压电压衰减规律电压衰减规律少少数载流子的寿命。数载流子的寿命。 方法过程方法过程: :直流光电导法直流光电导法和和高频光电导法高频光电导法测量寿命的方法都在测量寿命的方法都在光脉冲照射光脉冲照射下产生下产生非平衡非平衡少少数载流数载流子子衰减，而衰减，而得到得到电压或电流的电压或电流的衰减信号衰减信号，再，再检测检测这种电压或这种电压或电流信号的衰减电流信号的衰减规律规律，从而，从而测出测出样品的非平衡载流子的样品的非平衡载流子的寿命寿命。1、直流光电导衰退法 对于N N型半导体经推导： 对于P P型半导体经推导：2、高频光电导衰退法无光照的电流无光照的电流 ： i=Imsint i=Imsint 有光照的电流：有光照的电流： i=(Im+I0)sint i=(Im+I0)sint光照停止的电流光照停止的电流 ： i=(Im+i=(Im+I0exp(-t/I0exp(-t/)sin)sint t 串联电阻电压：串联电阻电压： V=(Vm+V=(Vm+V0exp(-t/V0exp(-t/)sin)sint t 2、作业指导书（1）方法原理：高频光电导衰退法（2）仪器设备1.614-A2.1KVA电子交流稳压器2.GGS-3、SR8二踪示波器3.少子寿命仪（3）过程控制（操作步骤）1.开启稳压器：接通614-A2. lKVA电子交流稳压器，大约5分钟后，稳压器输出稳定在220伏时，方可接通GGS-3及SR8二踪示波器。2.开启寿命仪 3.SR8二踪示波器4.接通示波器电源，当示波器萤光屏基线上出现基点，调节“”位移旋钮，把基点调到基线上。5.选用适当的微调扫描钮“t/div”及微调“v/div”和“调谐”钮。6.旋转X轴水平位移“”旋钮，使曲线与Y轴相交于e点(e为2.72格处红点位置)。7.如果曲线头部出现平顶现象在曲线无畸变的情况下进行测量。8.当“t/div”和“v/div”及“调谐”都适当时，曲线尾部高于基线，这时可加底光照(将GGS-3寿命仪上的“底光”钮按下)，判断曲线是否有陷阱。9.填报寿命值的规定(暂行)：10.特殊情况，按要求测量报数。11.用已知寿命值的样块检查测量系统是否处于正常状态(操作与正常测试同)。12.此寿命仪只测常规单晶产品的寿命。13.此设备最低值的报数为：4s。四、检测环境及影响因素1、检测环境：干燥、常温2、影响因素：体复合的条件； 小注入的条件； 样品内电场强度和光照面积； 陷阱效应； 光生伏特效应。五、检测数据分析六、检测报告书检验报告检验报告检测项目直拉单晶片电阻率的检测规格型号直径：50mm 厚度：8.1mm单晶片委托单位及地址乐山职业技术学院产品等级优等品乐山市市中区肖坝路108号抽样基数单晶棒头中尾各三片生产单位乐山嘉源有限公司样品数量3片抽/送样日期2013-9-24检验状态符合检验要求检验日期2013-9-24检验类别委托检验检验依据国标GB/T1552-1995检验结果少子寿命为128 S检验结论 符合合同要求主检人员：徐航、赵仕海 质检机构（公章）审核人员：陈莉、何霞批准人员： 签发日期：2013年9月34日