半导体三极管半导体三极管第第 2 章章2.1双极型半导体三极管双极型半导体三极管2.2单极型半导体三极管单极型半导体三极管2.3半导体三极管电路的基本分析方法半导体三极管电路的基本分析方法2.4半导体三极管的测试与应用半导体三极管的测试与应用半导体三极管半导体三极管第第 2 章章2.1双极型双极型半导体三极管半导体三极管2.1.1 晶体三极管晶体三极管2.1.2 晶体三极管的特性曲线晶体三极管的特性曲线2.1.3 晶体三极管的主要参数晶体三极管的主要参数( (Semiconductor Transistor) )第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2.1.1 晶体三极管晶体三极管一、结构、符号和分类一、结构、符号和分类NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型分类：分类：按材料分：按材料分： 硅管、锗管硅管、锗管按结构分：按结构分： NPN、 PNP按使用频率分：按使用频率分： 低频管、高频管低频管、高频管按功率分：按功率分：小功率管小功率管 1 WECBECB二、电流放大原理二、电流放大原理1. 三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏2. 满足放大条件的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共发射极共集电极共集电极共基极共基极实现电路实现电路uiuoRBRCuouiRCRE第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管3. 三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程1) ) 发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电子电子， 形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IBN 。I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供( (IB) )集电区少子漂移集电区少子漂移( (ICBO) )I CBOIBIBN IB + ICBO即：即：IB = IBN ICBO 3) ) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 ICICI C = ICN + ICBO 2) )电子到达基区后电子到达基区后( (基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略) )三极管内载流子运动三极管内载流子运动第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管4. 三极管的电流分配关系三极管的电流分配关系当当管管子子制制成成后后，发发射射区区载载流流子子浓浓度度、基基区区宽宽度度、集集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IB = I BN ICBO IC = ICN + ICBOIE = IC + IB穿透电流穿透电流第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2.1.2 晶体三极管的特性曲线晶体三极管的特性曲线一、输入特性一、输入特性输入输入回路回路输出输出回路回路与二极管特性相似与二极管特性相似RCVCCiBIERB+uBE +uCE VBBCEBiC+ + + iBRB+uBE VBB+ O特性基本特性基本重合重合( (电流分配关系确定电流分配关系确定) )特性右移特性右移( (因集电结开始吸引电子因集电结开始吸引电子) )导通电压导通电压 UBE( (on) )硅管：硅管： (0.6 0.8) V锗管：锗管： (0.2 0.3) V取取 0.7 V取取 0.2 VVBB+ RB第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管二、输出特性二、输出特性iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43211.截止区：截止区： IB 0 IC = ICEO 0条件：条件：两个结反偏两个结反偏2. 放大区：放大区：3. 饱和区：饱和区：uCE u BEuCB = uCE u BE 0条件：条件：两个结正偏两个结正偏特点：特点：IC IB临界饱和时：临界饱和时： uCE = uBE深度饱和时：深度饱和时：0.3 V ( (硅管硅管) )UCE( (SAT) )= =0.1 V ( (锗管锗管) )放大区放大区截止区截止区饱饱和和区区条件：条件：发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏特点：特点：水平、等间隔水平、等间隔ICEO输输 出出 特特 性性第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管三、温度对特性曲线的影响三、温度对特性曲线的影响1. 温度升高，输入特性曲线温度升高，输入特性曲线向左移。向左移。温度每升高温度每升高 1 C，UBE (2 2.5) mV。温度每升高温度每升高 10 C，ICBO 约增大约增大 1 倍。倍。2. 温度升高，输出特性曲线温度升高，输出特性曲线向上移。向上移。OT1T2 iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0温度每升高温度每升高 1 C， (0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。输出特性曲线间距增大。O第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2.1.3 晶体三极管的主要参数晶体三极管的主要参数一、电流放大系数一、电流放大系数1. 共发射极电流放大系数共发射极电流放大系数iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321 直流电流放大系数直流电流放大系数 交流电流放大系数交流电流放大系数一般为几十一般为几十 几百几百2. 共基极电流放大系数共基极电流放大系数 1 一般在一般在 0.98 以上。以上。 Q二、极间反向饱和电流二、极间反向饱和电流CB 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICBO，CE 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICEO。第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管三、极限参数三、极限参数1. ICM 集电极最大允许电流，超过时集电极最大允许电流，超过时 值明显降低。值明显降低。U( (BR) )CBO 发射极开路时发射极开路时 C、B 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。2. PCM 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PC = iC uCE。3. U( (BR) )CEO 基极开路时基极开路时 C、E 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。U( (BR) )EBO 集电极极开路时集电极极开路时 E、B 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。U( (BR) )CBO U( (BR) )CEO U( (BR) )EBO ( (P34 2.1.7) )已知已知:ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V，当当 UCE = 10 V 时，时，IC mA当当 UCE = 1 V，则，则 IC mA当当 IC = 2 mA，则，则 UCE V 102020iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 区区第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2.2单极型极型半导半导体体三极管三极管 引言引言2.2.2 结型场效应管结型场效应管2.2.3 场效应管的主要参数场效应管的主要参数2.2.1 MOS 场效应管场效应管第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管引引 言言场效应管场效应管 FET ( (Field Effect Transistor) )类型：类型：结型结型 JFET ( (Junction Field Effect Transistor) )绝缘栅型绝缘栅型 IGFET( (Insulated Gate FET) )特点：特点：1. 单极性器件单极性器件( (一种载流子导电一种载流子导电) )3. 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低2. 输入电阻高输入电阻高( (107 1015 ，IGFET 可高达可高达 1015 ) )第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管一、增强型一、增强型 N 沟道沟道 MOSFET ( (Mental Oxide Semi FET) )2.2.1 MOS 场效应管场效应管1. 结构与符号结构与符号P 型衬底型衬底( (掺杂浓度低掺杂浓度低) )N+N+用扩散的方法用扩散的方法制作两个制作两个 N 区区在硅片表面生一在硅片表面生一层薄层薄 SiO2 绝缘绝缘层层S D用金属铝引出用金属铝引出源极源极 S 和漏极和漏极 DG在绝缘层上喷金在绝缘层上喷金属铝引出栅极属铝引出栅极 GB耗尽层耗尽层S 源极源极 SourceG 栅极栅极 Gate D 漏极漏极 DrainSGDBMOSFET结构结构第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2. 工作原理工作原理1) )uGS 对导电沟道的影响对导电沟道的影响 ( (uDS = 0) )a. 当当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背的间为两个背对背的 PN 结；结；b. 当当 0 UGS UGS( (th) ) )DS 间间的的电电位位差差使使沟沟道道呈呈楔楔形形，uDS ，靠靠近近漏漏极极端端的的沟沟道道厚厚度变薄。度变薄。预夹断预夹断(UGD = UGS( (th) )：漏极附近反型层消失。漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：预夹断发生之前： uDS iD 。预夹断发生之后：预夹断发生之后：uDS iD 不变。不变。MOS工作原理工作原理第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管3. 转移特性曲线转移特性曲线2 4 64321uGS /ViD /mAUDS = 10 VUGS (th)当当 uGS UGS( (th) ) 时：时：uGS = 2UGS( (th) ) 时的时的 iD 值值4. 输出特性曲线输出特性曲线可变电阻区可变电阻区uDS 0 此时此时 uGD = UGS( (off) )； 沟道楔型沟道楔型耗尽层刚相碰时称耗尽层刚相碰时称预夹断。预夹断。预夹断预夹断当当 uDS ，预夹断预夹断点点下移。下移。3. 转移特性和输出特性转移特性和输出特性UGS( (off) )当当 UGS( (off) ) uGS 0 时时,uGSiDIDSSuDSiDuGS = 3 V 2 V 1 V0 V 3 VJFET工作原理工作原理OO第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管N 沟道沟道增强型增强型SGDBiDP 沟道沟道增强型增强型SGDBiD2 2 OuGS /ViD /mAUGS(th)O uDS /ViD /mA 2 V 4 V 6 V 8 VuGS = 8 V6 V4 V2 VSGDBiDN 沟道耗尽沟道耗尽型型iDSGDBP 沟道耗尽沟道耗尽型型UGS(off)IDSSuGS /ViD /mA 5 O5O uDS /ViD /mA5 V2 V0 V2 VuGS = 2 V0 V 2 V 5 VN 沟道结沟道结型型SGDiDSGDiDP 沟道结沟道结型型uGS /ViD /mA5 5 OIDSSUGS(off)O uDS /ViD /mA5 V2 V0 VuGS = 0 V 2 V 5 VFET 符号、特性的比较符号、特性的比较第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2.2.3 场效应管的主要参数场效应管的主要参数1.开启电压开启电压 UGS( (th) )( (增强型增强型) ) 夹断电压夹断电压 UGS( (off) )( (耗尽型耗尽型) ) 指指 uDS = 某值，使漏极电流某值，使漏极电流 iD 为某一小电流时的为某一小电流时的 uGS 值。值。UGS( (th) )UGS( (off) )2. 饱和漏极电流饱和漏极电流 IDSS耗尽型场效应管，当耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。时所对应的漏极电流。3. 直流输入电阻直流输入电阻 RGS指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。电阻。JFET：RGS 107 MOSFET：RGS = 109 1015IDSSuGS /ViD /mAO第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管4. 低频跨导低频跨导 gm 反映了反映了uGS 对对 iD 的控制能力，的控制能力，单位单位 S( (西门子西门子) )。一般为几。一般为几毫西毫西 ( (mS) )uGS /ViD /mAQPDM = uDS iD，受温度限制。，受温度限制。5. 漏源动态电阻漏源动态电阻 rds6. 最大漏极功耗最大漏极功耗 PDMO第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2.3半导体三极管的半导体三极管的基本分析方法基本分析方法引引 言言2.3.2 交流分析交流分析2.3.1 直流分析直流分析第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管引言引言基本思想基本思想 非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，利用叠加定理，分别分析电路中的交、直流成分。利用叠加定理，分别分析电路中的交、直流成分。一、分析三极管电路的基本思想和方法一、分析三极管电路的基本思想和方法直流通路直流通路( (ui = 0) )分析分析静态。静态。 交流通路交流通路( (ui 0) )分析分析动态，动态，只考虑变化的电压和电流。只考虑变化的电压和电流。画交流通路原则：画交流通路原则：1. 固定不变的电压源都视为短路；固定不变的电压源都视为短路；2. 固定不变的电流源都视为开路；固定不变的电流源都视为开路；3. 视电容对交流信号短路视电容对交流信号短路第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管基本方法基本方法图解法：图解法：在在输输入入、输输出出特特性性图图上上画画交交、直直流流负负载载线线，求求静态工作点静态工作点“Q”，分析动态波形及失真等。，分析动态波形及失真等。解析法：解析法：根据发射结导通压降估算根据发射结导通压降估算“Q”。用小信号等效电路法分析计算电路动态参数。用小信号等效电路法分析计算电路动态参数。第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管二、电量的符号表示规则二、电量的符号表示规则A AA大写大写表示电量与时间无关表示电量与时间无关( (直流、平均值、有效值直流、平均值、有效值) )；A小写小写表示电量随时间变化表示电量随时间变化( (瞬时值瞬时值) )。大写大写表示直流量或总电量表示直流量或总电量( (总最大值，总瞬时值总最大值，总瞬时值) )；小写小写表示交流分量。表示交流分量。总瞬时值总瞬时值直流量直流量交流瞬时值交流瞬时值交流有效值交流有效值直流量往往在下标中加注直流量往往在下标中加注 QA 主要符号；主要符号； A 下标符号。下标符号。tuOuBE = UBE + ube第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2.3.1 直流分析直流分析一、图解分析法一、图解分析法+RBRC+uCE+ uBE +VCCVBB3 V5 ViBiC输入直流负载线方程：输入直流负载线方程：uCE = VCC iC RCuBE = VBB iBRB输出直流负载线方程：输出直流负载线方程：输入回路图解输入回路图解QuBE/ViB/ A静态工作点静态工作点VBBVBB/RB115 k UBEQIBQ0.720输出回路图解输出回路图解uCE/ViC/mAVCCVCC/RCO1 k Q23UCEQICQOiB = 20 A第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管二、工程近似分析法二、工程近似分析法+RBRC+uCE+ uBE +VCCVBB3 V5 ViBiC115 k 1 k = 100第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管三、电路参数对静态工作点的影响三、电路参数对静态工作点的影响1. 改变改变 RB，其他参数不变，其他参数不变uBEiBuCEiCVCCVBBVBBRBQQR B iB Q 趋近截止区；趋近截止区；R B iB Q 趋近饱和区。趋近饱和区。2. 改变改变 RC ，其他参数不变，其他参数不变RC Q 趋近饱和区。趋近饱和区。iCuBEiBuCEVCCUCEQQQICQVCCRC第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管iC 0iC = VCC /RC例例 2.3.1 设设 RB = 38 k ，求求 VBB = 0 V、3 V 时的时的 iC、uCE。+RBRC+uCE+ uBE +VCCVBB3V5ViBiC1 k 解解 uCE/ViC/mAiB= 010 A20 A30 A40 A50 A60 A41O235当当VBB= 0 V：iB 0，iC 0，5 VuCE 5 V当当VBB = 3 V：0.3uCE 0.3 V 0， iC 5 mA三极管的开关等效电路三极管的开关等效电路截止截止状态状态SBCEVCC+ RCRBiB 0uCE 5ViB饱和饱和状态状态uCE 0判断是否饱和判断是否饱和临界饱和电流临界饱和电流 ICS和和IBS ：iB IBS，则三极管则三极管饱和。饱和。第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管例例 2.3.2 耗耗尽尽型型 N 沟沟道道 MOS 管管，RG = 1 M ，RS = 2 k ，RD= 12 k ，VDD = 20 V。IDSS = 4 mA，UGS( (off) ) = 4 V，求求 iD 和和 uO 。iG = 0 uGS = iDRSiD1= 4 mAiD2= 1 mAuGS = 8 V Ibm 。OQibOttOuBE/ViBuBE/ViBui uCEiCict OOiCOtuCEQuce交流负载线交流负载线非线性失真非线性失真第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2. “Q”过高引起饱和失真过高引起饱和失真ICS集电极临界集电极临界饱和电流饱和电流NPN 管：管：底部底部失真为饱和失真。失真为饱和失真。PNP 管：管：顶部顶部失真为饱和失真。失真为饱和失真。IBS 基极临界饱和电流。基极临界饱和电流。不接负载时，交、直流负载线重合，不接负载时，交、直流负载线重合，V CC= VCC不发生饱和失真的条件：不发生饱和失真的条件： IBQ + I bm IBSuCEiCt OOiCO tuCEQV CC第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管饱和失真的本质：饱和失真的本质：负载开路时：负载开路时：接负载时：接负载时：受受 RC 的限制，的限制，iB 增大，增大，iC 不可能超过不可能超过 VCC/RC 。受受 R L 的限制，的限制，iB 增大，增大，iC 不可能超过不可能超过 V CC/R L 。C1+ RCRB+VCCC2RL+uo +iBiCVui( (R L= RC / RL) )第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管选择工作点的原则：选择工作点的原则：当当 ui 较较小小时时，为为减减少少功功耗耗和和噪噪声声，“Q” 可可设设得低一些；得低一些；为提高电压放大倍数，为提高电压放大倍数，“Q”可以设得高一些；可以设得高一些；为为获获得得最最大大输输出出，“Q” 可可设设在在交交流流负负载载线线中中点。点。第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管二、小信号等效分析法二、小信号等效分析法( (微变等效微变等效) )1. 晶体三极管电路小信号等效电路分析法晶体三极管电路小信号等效电路分析法三极管电路三极管电路可当成双口可当成双口网络来分析网络来分析( (1) ) 晶体三极管晶体三极管 H ( (Hybrid) )参数小信号模型参数小信号模型从输入端口看进去，相当于电阻从输入端口看进去，相当于电阻 rberbe Hie从输出端口看进去为一个从输出端口看进去为一个受受 ib 控制的电流源控制的电流源 ic = ib ， Hfe+uce+ube ibicCBErbe Eibic ic+ube +uce BCrbb 三极管基区体电阻三极管基区体电阻第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管( (2) ) 晶体三极管交流分析晶体三极管交流分析步骤：步骤： 分析直流电路，求出分析直流电路，求出“Q”，计算，计算 rbe。 画电路的交流通路画电路的交流通路 。 在交流通路上把三极管画成在交流通路上把三极管画成 H 参数模型。参数模型。 分析计算叠加在分析计算叠加在“Q”点上的各极交流量。点上的各极交流量。微变等效电路的画法微变等效电路的画法第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管例例 2.3.4 = 100，uS = 10sin t (mV)，求，求叠加在叠加在“Q” 点上的各交流量。点上的各交流量。+uo + iBiCRBVCCVBBRCRLC1C2uS+ + RS+uCE +uBE 12 V12 V510470 k 2.7 k 3.6 k 解解 令令 ui = 0，求静态电流，求静态电流 IBQ 求求“Q”，计算，计算 rbeICQ = IBQ = 2.4 mAUCEQ = 12 2.4 2.7 = 5.5 (V)第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管 交流通路交流通路+uo + iBiCRBVCCVBBRCRLC1C2uS+ + RS+uCE +uBE ubeuce 小信号等效小信号等效+uo + RBRLRSrbe Eibic icBCusRC+ube 分析各极交流量分析各极交流量 分析各极总电量分析各极总电量uBE = (0.7 + 0.0072sin t )ViB = (24 + 5.5sin t) AiC = ( 2.4 + 0.55sin t ) mAuCE = ( 5.5 0.85sin t ) V第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2. 场效应管电路小信号等效电路分析法场效应管电路小信号等效电路分析法小信号模型小信号模型rgs Sidgmugs+ugs +uds GD从输入端口看入，相当于电阻从输入端口看入，相当于电阻 rgs( ( ) )。从输出端口看入为受从输出端口看入为受 ugs 控制的电流源控制的电流源。id = gmugs第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管例例 2.3.4 gm= 0.65 mA/V，ui = 20sin t (mV)，求交流输出，求交流输出 uo。+ RDGDSRGRSiD+uO+VDDui+ VGG10 k 4 k 交流通路交流通路+ RDGDSRGRSid+uOui小信号等效电路小信号等效电路 +ui RSRDSidgmugs+ugs +uo GDRGui = ugs+ gmugsRSugs= ui / (1 + gmRS)uo = gmui RD / (1 + gmRS)= 36sin t (mV)第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2.4半导体三极管的半导体三极管的测试与应用测试与应用附录附录 半导体器件的命名方式半导体器件的命名方式2.4.1 半导体三极管使用的基本知识半导体三极管使用的基本知识第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管2.4.1 半导体三极管使用基本知识半导体三极管使用基本知识一、外型及引脚排列一、外型及引脚排列EBCE B CEBCBEC第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管二、万用表检测晶体三极管的方法二、万用表检测晶体三极管的方法1. 根据外观判断极性；根据外观判断极性；3. 用万用表电阻挡测量三极管的好坏，用万用表电阻挡测量三极管的好坏，PN 结正结正 偏时电阻值较小偏时电阻值较小( (几千欧以下几千欧以下) )，反偏时电阻反偏时电阻 值较大值较大( (几百千欧以上几百千欧以上) ) 。2.插入三极管挡插入三极管挡( (hFE) )，测量，测量 值或判断管型值或判断管型 及管脚；及管脚；第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管指针式万用表指针式万用表在在 R 1 k 挡进行测量。挡进行测量。红红表笔是表笔是( (表内表内) )负极，负极，黑黑表笔是表笔是( (表内表内) )正极。正极。注意事项：注意事项：测量时手不要接触引脚。测量时手不要接触引脚。 1kBEC 1kBEC第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管数字万用表数字万用表注意事项：注意事项： 红红表笔是表笔是( (表内电源表内电源) )正极；正极； 黑黑表笔是表笔是( (表内电源表内电源) )负极。负极。 NPN 和和 PNP 管分别按管分别按 EBC 排列插入不同的孔。排列插入不同的孔。 需要准确需要准确测量测量 值时，应先进行校正。值时，应先进行校正。2. 插入三极管挡插入三极管挡( (hFE) )，测量，测量 值或判断管型及管脚。值或判断管型及管脚。1.可直接用电阻挡的可直接用电阻挡的 挡，分别测量挡，分别测量判断判断两个结两个结 的的好坏。好坏。第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管三、晶体三极管的选用三、晶体三极管的选用1. 根据电路工作要求选择高、低频管。根据电路工作要求选择高、低频管。2. 根据电路工作要求选择根据电路工作要求选择 PCM、 ICM 、 U( (BR) )CEO， 应保证：应保证： PC PCm ICM Cm U( (BR) )CEO VCC3. 一般三极管的一般三极管的 值在值在 40 100 之间为好，之间为好，9013、 9014 等低噪声、高等低噪声、高 的管子不受此限制的管子不受此限制 。4. 穿透电流穿透电流 ICEO 越小越好，硅管比锗管的小。越小越好，硅管比锗管的小。第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管附录：半导体器件的命名方式附录：半导体器件的命名方式第一部分第一部分数字数字电极数电极数2 二极管二极管3 三极管三极管第二部分第二部分第三部分第三部分字母字母( (汉拼汉拼) )材料和极性材料和极性A 锗材料锗材料 N 型型B 锗材料锗材料 P 型型C 硅材料硅材料 N 型型D 硅材料硅材料 P 型型A 锗材料锗材料 PNPB 锗材料锗材料 NPNC 硅材料硅材料 PNPD 硅材料硅材料 NPN字母字母( (汉拼汉拼) )器件类型器件类型P 普通管普通管W 稳压管稳压管Z 整流管整流管K 开关管开关管U 光电管光电管X 低频小功率管低频小功率管G 高频小功率管高频小功率管D 低频大功率管低频大功率管A 高频大功率管高频大功率管第四部分第四部分第五部分第五部分数字数字序号序号字母字母( (汉拼汉拼) )规格号规格号例如：例如：2CP 2AP 2CZ 2CW3AX31 3DG12B 3DD6 3CG 3DA 3AD 3DK常用小功率进口三极管常用小功率进口三极管9011 9018第第 2 章章半导体半导体半导体半导体三极管三极管