部部 分分 习 题 解解 答答部分物理常数：部分物理常数：shanren第第 2 2 章章 1 、在、在 N 区耗尽区中，高斯定理为：区耗尽区中，高斯定理为： 取一个取一个圆柱形体柱形体积，底面在，底面在 PN 结的冶金的冶金结面即原点面即原点处，面，面积为一个一个单位面位面积，顶面位于面位于 x 处。那么由高斯定理可得：。那么由高斯定理可得：当当 x = xn 时，E(x) = 0，因此，因此 ，于是得：，于是得： 2-5a2-5ashanren 3 、shanren 4 、shanren 6 、 ND2 ND1 shanrenshanren 8、(1)shanrenshanren (2)shanrenshanren 20、shanren 24、 PN 结的正向分散电流为结的正向分散电流为式中的式中的 I0 因含因含 ni2 而与温度关系亲密，因此正向分散电流可表而与温度关系亲密，因此正向分散电流可表为为于是于是 PN 结正向分散电流的温度系数与相对温度系数分别为结正向分散电流的温度系数与相对温度系数分别为shanren 31、 当当 N- 区足够长时，开场发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：区足够长时，开场发生雪崩击穿的耗尽区宽度为： 当当 N- 区区缩缩短到短到 W = 3m 时时，雪崩，雪崩击击穿穿电压电压成成为为：shanren 34、shanren 39、shanren第第 3 章章 1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图缓变基区晶体管在平衡时的能带图 NPN 缓变缓变基区晶体管在放大区基区晶体管在放大区时时的能的能带图带图shanren 2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图shanren 3、shanren 6、shanren 7、 8、以、以 NPN 管管为为例，当基区与例，当基区与发发射区都是非均匀射区都是非均匀掺杂时掺杂时，由式由式 3-33a 和式和式 3-33b ，再根据注入效率的定再根据注入效率的定义，可得：，可得：shanren 9 、shanren10、(1)(2)(3)(4)shanren 14、shanren 15、shanren 20、当忽略基区中的少子复合及、当忽略基区中的少子复合及 ICEO 时，时，shanrenshanren 27、 本本质质上是上是 ICS 。 22、shanren 使使 NB NC ，这样这样集集电结电结耗尽区主要向集耗尽区主要向集电电区延伸，可区延伸，可使基区不易穿通。使基区不易穿通。 39、 为为提高穿通提高穿通电压电压 Vpt ，该该当增大当增大 WB 和和 NB ，但，但这这恰好与恰好与提高提高 相矛盾。相矛盾。处处理方法：理方法：shanren 48、 当当 IE 很大很大时时， 这时这时 0 ； 在在 IE 很小或很大很小或很大时时， 都会有所下降。都会有所下降。 在正常的在正常的 IE 范范围围内，内， 几乎不随几乎不随 IE 变变化，化， 这时这时 0 与与 也有也有类类似的关系似的关系 。shanren 58、shanrenshanren 59、shanren65、(1)(3)(2)(4)shanren 68、shanren第第 5 章章 1、shanren 3、shanrenshanren 5、shanren6、shanrenshanren 8、shanren13、shanren