半导体光电子学课件下集4.1异质结半导体激光器概述-

第四章异质结半导体激光器4.1 概述一.形成激光器的具备条件v有源介质有源层谐振腔解理面泵浦源电流源直流交流 - 调制4.1 概述二.LD的分类依据有源层的结构、材料LD同质结LD异质结LD单异质结双异质结块状材料（Bulk）（有源层由一种材料组成）量子阱（QW）（有源层由多层异质结组成）宽面LD条形LDSQWMQW 条形依电极或有源层的宽窄划分宽面应变LD 依据有源区是否存在应变无应变LDv1967年用液相外延生长出异质结（单异质结）v1970年双异质结LD 条形LDv70代中期，DBF（分布反馈）、DBR（分布布拉格反射）、QW LD