v三、红外光谱法测单晶硅中氧、碳的含量v1、硅中氧和碳的红外吸收光谱。如下图v氧的特征峰：v1波长为1=8.3m(波数为1205-), 此吸收波峰主要为分子对称伸缩振动产生的，吸收峰强度很小。v(2) 波长为2=9m(波数为1105-), 此吸收波峰主要为分子弯曲振动产生的，吸收峰强度最大。v3波长为3=19.4m(波数为515-), 此吸收波峰主要为分子反对称伸缩振动产生的，吸收峰强度很小。v碳的特征峰：v1波长为1=16.47m(波数为607.2cm-), 此吸收波峰为根本峰，吸收峰强度较大。v(2) 波长为2=8.2m(波数为1217cm-), 此吸收波峰主要为倍频峰，吸收峰很小。v2、半导体与光学常数之间的关系v半导体对不同波长的光或电磁辐射有不同的吸收性能，常用吸收系数来描画这种吸收特性。的大小与光的波长有关，因此可以构成一个的延续普带，即吸收光谱。v如下图，样品遭到一束强度为 ，分为三部分：v 、 和 ，因此有dv将上式除 ，可得vR、K、T分别为反射率、吸收率和透射率。在半导体中传播时，吸收系数的定义：相当于波的能量经过1/间隔时减弱为1/e倍。因此越大，光强度减弱越多，光的吸收性能越高。v在上图中的理想镜面，且两面平行的样品的情况下，思索光在样品内部经多次反射，忽略干涉效应，透射光的强度v因此有v对于硅，R=30%,因此分析红外光谱，根据上式可以计算得到吸收系数。v2、 和半峰宽 的求法v用如下公式来求吸收系数 比较费事，v普通用如下公式来求 ：v-从吸收峰到零透射线的丈量值v-从氧峰所对应的波数值横坐标的垂线与基线的交点到零投射线的丈量值v半波峰 的定义：在吸收系数与波数的关系曲线上，取1/2v 为办峰高，在半峰高处吸收峰的宽度波数值。如下图Av实践半波峰的做法：v令A点在上红外光谱吸收峰值的纵坐标上的一点，由A点对应的透射强度大小为 ,过点A作基线的平行线，与波峰两侧交点之间的波数宽度为半峰宽 。v只需证明A点的吸收系数为1/2 那么阐明该处得到的波数宽即为半峰宽：v证明：v由于 v及v所以v3、氧、碳含量的计算公式：v1爱因斯坦模型实际计算公式：v此公式在公式推导过程中把Si-O振子电荷看成是完好的电子电荷，与实践不符，目前不采用此公式计算。v2定氧含量的ASTM(美国资料实验协会阅历公式：v此方法设定将半峰宽 固定为宜常数：32厘米-1，硅单晶中的氧与 成正比关系波数为1105cm-1的特征峰，采用真空熔化气体分析法，并用空气参考法和差别法测得到红外吸收光谱计算吸收系数，因此得到ASTM阅历公式：v1空气参考法：v室温下300K):v77K ：v2差别法：v室温下300K):v77K ：v3定碳含量的ASTM阅历公式：v用差别法丈量得到红外光谱，由于Si-C振动的波数为607cm-1(16.4微米)。由于在室温条件下，在波长为16微米处出现硅晶格的吸收波峰，强度很大，因此采用差别法消除晶格吸收系数。得到阅历公式： ASTM公司经过对C的放射性元素C14实验得到吸收系数与碳含量的关系，得到阅历公式：v4德国工业规范测氧、碳的阅历公式：这一公式与ASTM阅历公式相比较，由于吸收系数换算为氧、碳含量的折算系数。因此有：v此测试条件与ASTM阅历公式的测试条件一样v5我国测定规范的阅历计算公式：v国内用氦载气熔化-气相色谱安装测定硅中氧含量与红外吸收系数之间的关系，得到如下阅历公式:v四、我国测试硅晶体中间隙氧含量的规范方法：v1、测试方法与范围：v1)红外吸收法v(2范围：适用于室温电阻大于0.1的硅晶体。丈量范围为: 至最大固溶度。v2、用红外光谱仪测定Si-O键在1107cm-9.0334m)处的吸收系数来确定硅晶体中间隙氧的含量。v3、丈量仪器v1双光束红外分光光度计或傅里叶变换红外光谱仪。仪器在1107cm- 处的分辨率小于5cm- 。v2低温丈量安装。v3千分尺，精度0.01mm.v4)被测试样架和参比样品架。v4、试样制备：v1测试试样v1试样切取从头部取、研磨，试样的厚度偏向小于10m。v2抛光：机械抛光或化学抛光，使两外表均呈镜面。v3在 试样丈量部位，两外表的平整度均不大于2.2 m.v4试样丈量部位实验的厚度均不大于10 m。v5氧含量大于或等于 的试样厚度约为2mm;氧含量 小于 的试样厚度约为10mm。v2参比样的制备方法同上，要求参比样品与待测试样品的厚度差小于0.5%。5.测试步骤：1选择方法：O 的试样，用空气参考法或差别法；含量 O 的试样,采用差别。详细操作步骤：1分别在试样光束和参考比光束中安放样品架，通光孔径为直径510mm.2调整透过率0%和100%.3) 放置在样品架上分别放置待测样品和参考样品空气参考法不需放。4双光束红外分光光度计要调整扫描速度、时间常数、狭缝宽度和增益等仪器参数。在1107cm-处作半峰宽。如下图。5在1300 1000cm-范围内扫描，得到1107cm-处的硅-氧吸收带。6吸收峰T0-T)小于5%时，应采用低温丈量。7采用78K丈量时，峰值位于1127.6cm-(8.8684m处，半峰宽为20cm-。8反复丈量三次，取结果的平均值。v6、丈量结果的计算：将丈量值代入 计算吸收系数 。v7、氧含量的计算：v8、准确度：单个实验室为2%，多个实验室测试为3%。 9、测试的影响要素：(1)在氧吸收谱带位置有一个硅晶格吸收振动谱带，参考样品与待测样品的厚度小于 0.5%，以防止晶格吸收的影响。2由于氧吸收谱带与硅晶格吸收谱带都会随样品温度的改动而改动，因此测试期间光谱仪样品室的温度恒定为275 。3电阻率低于1 的n型硅单晶和电阻率低于3 的p型硅单晶中的自在载流子吸收比较严重，因此保证参考样品的电阻率尽量一致。4电阻率低于0.1 的n型硅单晶和电阻率低于0.5 的p型硅单晶中的自在载流子吸收会使大多数光谱仪难以获得称心的能量。5沉淀氧浓度较高时，其在1230cm-或1073cm-处的吸收谱带能够会导致间隙氧浓度的丈量误差。6300K时，硅中间隙氧吸收带的半峰宽应为32cm-。宽较大时会导致误差。v五、我国测试硅晶体中替位碳含量的规范方法：v1、测试方法与范围：v1)红外吸收法v(2范围：适用于室温电阻大于0.1的硅晶体，载流子浓度小于 。丈量范围为:室温下 至最大固溶度。77K时下限降为 。v2、测试原理：用红外光谱仪测定Si-C键在607.2cm-16.47m)处的吸收系数来确定硅晶体中间隙氧的含量。v3、丈量仪器v1双光束红外分光光度计或傅里叶变换红外光谱仪。光谱范围700550cm,室温下仪器在607.2cm- 处的分辨率小于2cm- ,在77K时，偏移到仪器在607.5cm- 处的分辨率小于1cm- 。v2低温恒温器能使试样与参比样品维持在77K的温度。v3厚度丈量仪，精度0.025mm.v4)被测试样架和参比样品架防止任何绕过样品的红外辐射。 v4、试样制备：v1测试试样v1试样切取从尾部取样、研磨。v2抛光：机械抛光或化学抛光，使两外表均呈镜面。v3试样厚度约为2mm或更薄。v4在 试样丈量部位，两外表的平整度均不大于2.2 m。v5试样丈量部位实验的厚度均不大于0.005mm。v2制备方法同上，要求参比样品与待测试样品的厚度差小于0.01mm。参比样品替位碳浓度小于5.测试步骤：1分别在试样光束和参考比光束中安放样品架，通光孔径为直径510mm.2调整透过率0%和100%.3) 放置在样品架上分别放置待测样品和参考样品。4双光束红外分光光度计要调整扫描速度、时间常数、狭缝宽度和增益等仪器参数。在607.2cm-处作半峰宽。要求半峰宽不大于6cm-，如下图。5在700 550cm-范围内扫描，得到607.2cm-处的硅-碳吸收带。6假设要提高灵敏度，采用77K丈量时，峰值位于607.5cm-处,要求半峰宽为3cm-，试样厚度添加到5mm,最大扫描速度为1cm/min。v6、丈量结果的计算：将丈量值代入 计算吸收系数 。v7、碳含量的计算：v8、准确度：单个实验室为10%。 9、测试的影响要素：1投射到探测器的杂散光会降低吸收系数的计算值。 2参比样品和被测样品的温度必需一样，以防止与温度有关的晶格吸收对丈量的影响。3参比样品的碳浓度应小于 ，使样品呵斥的误差低于最低检测下限的10%。4室温下碳吸收带的半峰宽小于6cm-。仪器平衡调理不正确或扫描速度过快会导致半峰宽变宽。5硅中的晶格吸收在625cm-处很强，运用差别法丈量，以消除硅晶格吸收带的影响。6)本方法的最低检测下限取决于记录仪的信噪比。