概述概述第第 9 9 章大规模集成电路章大规模集成电路 本章小结本章小结随机存取存储器随机存取存储器(RAM) 只读存储器只读存储器(ROM) 主要要求：主要要求： 了解了解 ROM 的的类型和构造，了解其任型和构造，了解其任务原理。原理。 了解集成了解集成 EPROM 的运用。的运用。 了解字、位、存了解字、位、存储容量等概念。容量等概念。 9.1只只读存存储器器了解半了解半导体存体存储器的作用、器的作用、类型与特点。型与特点。例例如如计计算算机机中中的的自自检检程程序序、初初始始化化程程序序便便是是固固化化在在 ROM 中中的的。计计算算机机接接通通电电源源后后，首首先先运运转转它它，对对计计算算机机硬硬件件系系统统进进展展自自检检和和初初始始化化，自自检检经经过过后后，装装入入操操作作系系统统，计算机才干正常任务。计算机才干正常任务。二、半二、半导体存体存储器的器的类型与特点型与特点 只读存储器只读存储器(ROM，即即Read-Only Memory)随机存取存储器随机存取存储器(RAM，即即Random Access Memory) RAM 既既能能读读出出信信息息又又能能写写入入信信息息。它它用用于于存存放放需需经经常常改改动动的的信信息息，断断电电后后其其数数据据将将丧丧失失。常常用用于于存存放放暂暂时时性数据或中间结果。性数据或中间结果。例如例如 计算机内存就是计算机内存就是 RAM ROM 在在任任务务时时只只能能读读出出信信息息而而不不能能写写入入信信息息。它它用用于于存存放放固固定定不不变变的的信信息息，断断电电后后其其数数据据不不会会丧丧失失。常常用用于于存存放放程序、常数、表格等。程序、常数、表格等。 一、半一、半导体存体存储器的作用器的作用 存放二值数据存放二值数据 按按数数据据写写入入方方式式不不同同分分掩模掩模 ROM 可编程可编程 ROM(Programmable ROM，简称，简称 PROM) 可擦除可擦除 EPROM(Erasable PROM，简称，简称 EPROM) 电可擦除电可擦除 E2PROM(Electrically EPROM，简称，简称 E2PROM) 一、一、ROM ROM 的的类型及其特点型及其特点 写写入入的的数数据据可可电电擦擦除除，用用户户可可以以多次改写存储的数据。运用方便。多次改写存储的数据。运用方便。 其其存存储储数数据据在在制制造造时时确确定定，用用户不能改动。用于批量大的产品。户不能改动。用于批量大的产品。 其其存存储储数数据据由由用用户户写写入入。但但只能写一次。只能写一次。 写写入入的的数数据据可可用用紫紫外外线线擦擦除除，用户可以多次改写存储的数据。用户可以多次改写存储的数据。 二、二、ROM ROM 的构造和任的构造和任务原理原理 4 4 二极管二极管 ROM 的构造和任务原理动画演示的构造和任务原理动画演示 ( (一一) ) 存存储矩矩阵 由存储单元按字由存储单元按字 (Word)和位和位(Bit)构成的距阵构成的距阵 由存储距阵、地址译码器由存储距阵、地址译码器( (和读出电路和读出电路) )组成组成 4 4 存储矩阵构造表示图存储矩阵构造表示图 W3W2W1W0D3 D2 D1 D0字字线线位线位线字字线与位与位线的交叉的交叉点即点即为存存储单元。元。 每个存每个存储单元可以元可以存存储 1 位二位二进制数。制数。 交叉交叉处的的圆点点 “ 表示存表示存储 “1；交叉；交叉处无无圆点表示存点表示存储 “0。 当某字当某字线被被选中中时，相相应存存储单元数据从位元数据从位线 D3 D0 输出。出。单击鼠鼠标请看演示看演示 10 1 110 1 1从位从位线输出的每出的每组二二进制代制代码称称为一个字。一个一个字。一个字中含有的存字中含有的存储单元数称元数称为字字长，即字，即字长 = 位数。位数。 W31. 存存储矩矩阵的构造与任的构造与任务原理原理 2. 存储容量及其表示存储容量及其表示用用“M表示表示“1024 K，即，即 1 M = 1024 K = 210 K = 220 。2. 存存储容量及其表示容量及其表示 指存储器中存储单元的数量指存储器中存储单元的数量 例如，一个例如，一个 32 8 的的 ROM，表示它有，表示它有 32 个字，个字， 字字长为 8 位，存位，存储容量是容量是 32 8 = 256。 对于大容量的于大容量的 ROM常用常用“K表示表示“1024，即，即 1 K = 1024 = 210 ；例如，一个例如，一个 64 K 8 的的 ROM，表示它有，表示它有 64 K 个字，个字， 字字长为 8 位，存位，存储容量是容量是 64 K 8 = 512 K。 普通用普通用“字数字数 字长字长(即位数即位数)表示表示3. 存储单元构造存储单元构造3. 存存储单元构造元构造 (1) (1) 固定固定 ROM ROM 的存的存储单元构造元构造 二极管二极管 ROM TTL - ROM MOS - ROM Wi Dj Wi Dj VCC Wi Dj +VDD 1接半导体管后成为储接半导体管后成为储 1 单元；单元；假设不接半导体管，那么为储假设不接半导体管，那么为储 0 单单元。元。(2) PROM (2) PROM 的存的存储单元构造元构造 PROM 出厂出厂时，全部熔，全部熔丝都都连通，存通，存储单元的内容元的内容为全全 1(或全或全 0) 。用。用户可借助可借助编程工具将某些程工具将某些单元改写元改写为 0 (或或 1) ,这只需将需只需将需储 0(或或 1)单元的熔元的熔丝烧断即可。断即可。 熔熔丝烧断后不可恢复，因此断后不可恢复，因此 PROM 只能一次只能一次编程。程。 二极管二极管 ROM TTL - ROM MOS - ROM Wi Dj Wi Dj VCC Wi Dj +VDD 1熔丝熔丝熔丝熔丝熔丝熔丝(3) (3) 可擦除可擦除 PROM PROM 的存的存储单元构造元构造 EPROM 利利用用编程程器器写写入入数数据据，用用紫紫外外线擦擦除除数数据据。其其集集成成芯芯片片上上有有一一个个石石英英窗窗口口供供紫紫外外线擦擦除除之之用用。芯芯片片写写入入数数据据后后，必必需需用用不不透透光光胶胶纸将将石石英英窗窗口口密密封封，以以免免破坏芯片内信息。破坏芯片内信息。E2PROM 可可以以电擦擦除除数数据据，并并且且能能擦擦除除与与写写入入一一次次完成，性能更完成，性能更优越。越。 用一个特殊的浮用一个特殊的浮栅 MOS 管替代熔管替代熔丝。刚刚引见了刚刚引见了ROM中的存储中的存储距阵，距阵，下面将学习下面将学习ROM中的地址中的地址译码器。译码器。( (二二) )地址译码器地址译码器 ( (二二) ) 地址地址译码器器P264P264从从 ROM 中中读出出哪哪个个字字由由地地址址码决决议。地地址址译码器器的的作作用用是是：根根据据输入入地地址址码选中中相相应的的字字线，使，使该字内容字内容经过位位线输出。出。 例如，某例如，某 ROM 有有 4 位地址码，那么可选择位地址码，那么可选择 24 = 16 个字。个字。 设输入地址码为设输入地址码为 1010，那么字线，那么字线 W10 被选中，被选中，该该 字内容经过位线输出。字内容经过位线输出。存储矩阵中存储矩阵中存储单元的存储单元的编址方式编址方式单译码编址方式单译码编址方式双译码编址方式双译码编址方式适用于小适用于小容量存储器。容量存储器。适用于大适用于大容量存储器。容量存储器。 又称单译码编址方式或单地址寻址方式又称单译码编址方式或单地址寻址方式D1D7地地址址译译码码器器0, 01, 031,031,10, 11, 1A0A1A431,70, 71, 7W0W1W31D0单地址译码方式单地址译码方式 32 8 存储器的构造图存储器的构造图1. 单地址地址译码方式方式一个一个 n 位地址码的位地址码的 ROM 有有 2n 个字，对应个字，对应 2n 根字线，选中字线根字线，选中字线 Wi 就选中了该字的一切位。就选中了该字的一切位。 32 8 存存储矩矩阵排成排成 32 行行 8 列，每一行列，每一行对应一个字，每一一个字，每一列列对应 32 个字的同一位。个字的同一位。32 个字需求个字需求 5 根地址根地址输入入线。当。当 A4 A0 给出一个地址信号出一个地址信号时，便可，便可选中相中相应字的一切存字的一切存储单元。元。例如，当例如，当 A4 A0 = 00000 时，选中字中字线 W0，可将，可将 (0，0) (0，7) 这 8 个根本存个根本存储单元的内容同元的内容同时读出。出。 根本单元为根本单元为 存储单元存储单元A5A7行行地地址址译译码码器器W0W1W15W31W16W17A0A1A3W255W240W241X0X1X15A4双地址译码方式双地址译码方式 256 字存储器的构造图字存储器的构造图A2列地址译码器列地址译码器A6Y1Y15Y0又称双译码编址方式或双地址寻址方式又称双译码编址方式或双地址寻址方式地址地址码分成行地址分成行地址码和列地址和列地址码两两组2. 双地址双地址译码方式方式根本单元根本单元为字单元为字单元例如例如 当当 A7 A0 = 00001111 时，X15 和和 Y0 地址地址线均均 为高高电平，字平，字W15 被被选中，其存中，其存储内容被内容被读出。出。假假设采用采用单地址地址译码方式，那么需方式，那么需 256 根内部地址根内部地址线。256 字存字存储器需求器需求 8 根地址根地址线，分，分为 A7 A4 和和 A3 A0 两两组。A3 A0 送入行地址送入行地址译码器，器，产生生 16 根行地址根行地址线 ( Xi ) ； A7 A4 送入列地址送入列地址译码器，器，产生生 16 根列地址根列地址线 ( Yi ) 。存。存储矩矩阵中的某个字能否被中的某个字能否被选中，由行、列地址中，由行、列地址线共同决共同决议。三、集成三、集成 EPROM EPROM 举例例 27 系系列列 EPROM 是是最最常常用用的的 EPROM，型型号号从从 2716、2732、2764 不不断断到到 27C040。存存储容容量量分分别为 2K 8、4K 8不不断断到到 512K 8。下下面以面以 Intel 2716 为例，引例，引见其功能及运用方法。其功能及运用方法。VCCIntel 2716A8A9VPP OEA10 CSD7D6D5D4D3A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND123456789101112242322212019181716151413 A10 A0 为地址地址码输入端。入端。D7 D0 为数据数据线，任，任务时为数据数据输出端，出端，编程程时为写入数写入数据据输入端。入端。VCC 和和 GND：+5 V 任任务电源和地。源和地。VPP 为编程高程高电平平输入端。入端。编程程时加加 +25 V 电压，任，任务时加加 +5 V 电压。 (一一) 引脚引脚图及其功能及其功能 CS 有两种功能：有两种功能： (1)任务时为片选使能端，低电任务时为片选使能端，低电 平有效。平有效。CS = 0 时，芯片被时，芯片被 选中，处于任务形状。选中，处于任务形状。 (2)编程时为编程脉冲输入端。编程时为编程脉冲输入端。OE 为允许数据输出端，低电为允许数据输出端，低电平有效。平有效。OE = 0 时，允许读出数时，允许读出数据；据；OE = 1 时，不能读出数据。时，不能读出数据。存存储容量容量为 2 K 字字 (二二)由由 CS、OE 和和 VPP 的不同形状，确定的不同形状，确定 2716 的以下的以下 5 种任务方式种任务方式 (1)(1)读方式：读方式： 当当 CS = 0 CS = 0、OE = 0OE = 0，并有地址码输入时，并有地址码输入时， 从从 D7 D0 D7 D0 读出该地址单读出该地址单元的数据。元的数据。(2)(2)维持方式：当维持方式：当 CS = 1 CS = 1 时，数据输出端时，数据输出端 D7 D0 D7 D0 呈高呈高阻阻 隔离态，此时芯片处于维持隔离态，此时芯片处于维持形状，电源电形状，电源电 流下降到维持电流流下降到维持电流 27 mA 27 mA 以下。以下。 (3)(3)编程方式：编程方式：OE = 1OE = 1，在，在 VPP VPP 参与参与 25 V 25 V 编程电压，在地址编程电压，在地址 线上输入单元地址，数据线上输线上输入单元地址，数据线上输入要写入的入要写入的 数据后，在数据后，在 CS CS 端送入端送入 50 ms 50 ms 宽的编程正脉宽的编程正脉 冲，冲， 数据就被写入到由地址码确定的存储单数据就被写入到由地址码确定的存储单 元中。元中。(4) (4) 编程制止：编程制止： 在编程方式下，假设在编程方式下，假设 CS CS 端不送入编程正脉端不送入编程正脉 冲，而坚持低电平，那么芯片不能被编程，此冲，而坚持低电平，那么芯片不能被编程，此时为编程制止方式，数据端为高阻隔离态。时为编程制止方式，数据端为高阻隔离态。(5) (5) 编程检验：编程检验： 当当 VPP = +25 V VPP = +25 V，CS CS 和和 OE OE 均为有效电平常，均为有效电平常， 送入地址码，可以读出相应存送入地址码，可以读出相应存储单元中的储单元中的 数据，以便检验。数据，以便检验。主要要求：主要要求： 了解了解 RAM 的的类型、构造和任型、构造和任务原理。原理。 了解了解 RAM 和和 ROM 的异同。的异同。 9.3 随机存取存随机存取存储器器 一、一、RAM RAM 的构造、的构造、类型和任型和任务原理原理 地地址址译译码码器器存储矩阵存储矩阵读读/ 写控制电路写控制电路2n m RAM 的构造的构造图图 A0A0An-1I/O0I/O1I/Om-1R/WCSRAM 与与 ROM 的比较的比较 一一样样处处 都含有地址都含有地址译码器和存器和存储矩矩阵 寻址原理一址原理一样 相相异异处处 ROM 的存的存储矩矩阵是或是或阵列，是列，是组合合逻辑电路。路。 ROM 任任务时只能只能读出不能写入。掉出不能写入。掉电后数据后数据 不会不会丧失。失。 RAM 的存的存储矩矩阵由触由触发器或器或动态存存储单元构元构 成，成， 是是时序序逻辑电路。路。RAM 任任务时能能读出，出， 也能写入。也能写入。读或写由或写由读 / 写控制写控制电路路进展控制。展控制。 RAM 掉掉电后数据将后数据将丧失。失。RAM 分类分类静静态 RAM(即即 Static RAM，简称称 SRAM)动态 RAM(即即 Dynamic RAM，简称称 DRAM)DRAM 存存储储单单元元构构造造简简单单，集集成成度度高高，价价钱钱廉廉价价，广广泛泛地地用用于于计计算算机机中中，但但速速度度较较慢，且需求刷新及读出放大器等外围电路。慢，且需求刷新及读出放大器等外围电路。 DRAM 的的存存储储单单元元是是利利用用 MOS 管管具具有有极极高高的的输输入入电电阻阻，在在栅栅极极电电容容上上可可暂暂存存电电荷荷的的特特点点来来存存储储信信息息的的。由由于于栅栅极极电电容容存在漏电，因此任务时需求周期性地对存储数据进展刷新。存在漏电，因此任务时需求周期性地对存储数据进展刷新。SRAM 存储单元构造较复存储单元构造较复杂，集成度较低，但速度快。杂，集成度较低，但速度快。 二、集成二、集成 RAM RAM 举例例 A0 A9 为地址地址码输入端。入端。4 个个 I/O 脚脚为双向数据双向数据线，用，用于于读出或写入数据。出或写入数据。VDD 接接 +5 V。R/W 为读为读/写控制端。当写控制端。当 R/W = 1 时，从时，从 I/O 线读出数据；当线读出数据；当 R/W = 0 时，将从时，将从 I/O 线输入的数线输入的数据写入据写入RAM。VDDIntel 2114A7A8A9I/OI/OI/OI/OR/WA6A5A4A3A0A1A2CSGND1234567891817161514131211101 K 4 位位 SRAM Intel 2114 引脚图引脚图信号与信号与 TTL 电平兼容。平兼容。CS 为片选控制端，低电平有为片选控制端，低电平有效。效。CS = 1 时，读时，读/写控制电路处写控制电路处于制止形状，不能对芯片进展读于制止形状，不能对芯片进展读/写操作。当写操作。当 CS = 0 时，允许芯片时，允许芯片读读/写操作。写操作。存储矩阵有存储矩阵有 1 K 个字，每个字个字，每个字 4 位。位。1K = 1024 = 210，故需，故需 10 根地址输入线。根地址输入线。主要要求：主要要求： 了解可了解可编程程逻辑器件的根本构造与器件的根本构造与类型。型。9.2可可编程程逻辑器件器件简介介一、可一、可编程程逻辑器件的概念与特点器件的概念与特点 是由编程来确定其逻辑功能的器件。是由编程来确定其逻辑功能的器件。Programmable Logical Device，简称，简称 PLD 逻辑电路的路的设计和和测试均可在均可在计算机上算机上实现，设计胜利的利的电路可方便地下路可方便地下载到到 PLD PLD，因此研制周期短、，因此研制周期短、 本本钱低、效率高，使低、效率高，使产品能在极短品能在极短时间内推出。内推出。 用用 PLD PLD 实现的的电路容易被修正。路容易被修正。这种修正种修正经过对 PLD PLD 重新重新编程程实现，可以不影响其外，可以不影响其外围电路。因此，其路。因此，其产品的品的维护、更新都、更新都很方便。很方便。 PLD PLD 使硬件也能象使硬件也能象软件一件一样实现晋晋级，因此被以，因此被以为是硬件是硬件革命。革命。 较复复杂的数字系的数字系统能用能用1 1片或数片片或数片 PLD PLD 实现，因此，运用，因此，运用 PLD PLD 消消费的的产品品轻小可靠。此外，小可靠。此外，PLD PLD 还具有具有硬件加密功能。硬件加密功能。 运用运用 PLD PLD 设计电路路时，需，需选择适宜的适宜的软件工具。件工具。 二、可编程逻辑器件的根本构造二、可编程逻辑器件的根本构造PLD 的的 基基 本本 结结 构构 图图输输入入电电路路与与阵阵列列输输出出电电路路或或阵阵列列输输入入项项乘乘积积项项或或项项输输入入输输出出二、可二、可编程程逻辑器件的根本构造器件的根本构造输入入缓冲冲电路用路用以以产生生输入入变量的原量的原变量和反量和反变量，并提量，并提供足供足够的的驱动才干。才干。 输入缓冲电路输入缓冲电路 (a)普通画法普通画法 (b)PLD 中的习惯画法中的习惯画法(a)(a)(b)(b)AAAAAA由由多多个个多多输入入与与门组成成，用用以以产生生输入入变量量的各乘的各乘积项。例例如如 CABCCABBAW7 = ABCABCW0 =与阵列与阵列PLD 的的 基基 本本 结结 构构 图图输输入入电电路路与与阵阵列列输输出出电电路路或或阵阵列列输输入入项项乘乘积积项项或或项项输输入入输输出出二、可编程逻辑器件的根本构造二、可编程逻辑器件的根本构造PLD 器件中衔接的习惯画法器件中衔接的习惯画法固定衔接固定衔接 可编程衔接可编程衔接 断开衔接断开衔接PLD 中与门和或门的习惯画法中与门和或门的习惯画法(a)(a)(b)(b)YCABCBAACBYYYCBA1由多个多输由多个多输入与门组成，用入与门组成，用以产生输入变量以产生输入变量的各乘积项。的各乘积项。PLD 的的 基基 本本 结结 构构 图图输输入入电电路路与与阵阵列列输输出出电电路路或或阵阵列列输输入入项项乘乘积积项项或或项项输输入入输输出出CABCCABBAW7 = ABCABCW0 =与与阵阵列列的的PLD 习惯画法习惯画法二、可编程逻辑器件的根本构造二、可编程逻辑器件的根本构造由图可得由图可得 Y1 = ABC + ABC + ABC Y2 = ABC + ABC Y3 = ABC + ABC例例如如 ABCY3 Y2 Y1与阵列与阵列或阵列或阵列PLD 的的 基基 本本 结结 构构 图图输输入入电电路路与与阵阵列列输输出出电电路路或或阵阵列列输输入入项项乘乘积积项项或或项项输输入入输输出出由多个多由多个多输入或入或门组成，用成，用以以产生或生或项，即，即将将输入的某些乘入的某些乘积项相加。相加。二、可编程逻辑器件的根本构造二、可编程逻辑器件的根本构造 由由 PLD 构造可知，从构造可知，从输出端可得到出端可得到输入入变量的乘量的乘积项之和，因此可之和，因此可实现任何任何组合合逻辑函数。函数。再配以触再配以触发器，就可器，就可实现时序序逻辑函数。函数。PLD 的的 基基 本本 结结 构构 图图输输入入电电路路与与阵阵列列输输出出电电路路或或阵阵列列输输入入项项乘乘积积项项或或项项输输入入输输出出PLD 的的输输出出回回路路因因器器件件的的不不同同而而有有所所不不同同，但但总体可分为固定输出和可组态输出两大类。总体可分为固定输出和可组态输出两大类。二、可编程逻辑器件的根本构造二、可编程逻辑器件的根本构造 (一一) 按可按可编程部位分程部位分类类型类型与阵列与阵列 或阵列或阵列 输出电路输出电路PROM( (即可编程即可编程 ROM) )固固 定定可编程可编程固固 定定PLA( (即即 ProgrammableLogic Array，可编程逻辑阵列，可编程逻辑阵列) )可编程可编程 可编程可编程固定固定PAL( (即即 ProgrammableArray Logic，可编程阵列逻辑，可编程阵列逻辑) )可编程可编程固固 定定固固 定定GAL( (即即Genetic Array Logic，通用阵列逻辑通用阵列逻辑) )可编程可编程固固 定定可组态可组态 PROM、PAL 和和 GAL 只需一种只需一种阵列可列可编程，程，称称为半半场可可编程程逻辑器件，器件，PLA 的与的与阵列和或列和或阵列均可列均可编程，称程，称为全全场可可编程程逻辑器件。器件。三、可三、可编程程逻辑器件的器件的类型型目前多用目前多用 GAL。由于。由于 GAL 可反复可反复编程、任程、任务速度高、速度高、价价钱低、具有低、具有强大的大的编程工具和程工具和软件支撑，并且用可件支撑，并且用可编程的程的输出出逻辑宏宏单元取代了固定元取代了固定输出出电路，因此功能更路，因此功能更强。通常简称通常简称HDPLD 阵列型列型 HDPLD 主要主要优点：速度快，点：速度快，实现数据数据处置才干置才干强； FPGA 主要主要优点：容量大，点：容量大，实现逻辑控制的才干控制的才干强。低密度低密度 PLD高密度高密度 PLD(即即 High Density PLD，简 称称HDPLD) 阵列型列型 HDPLD 现场可可编程程门阵列列HDPLD 集成度集成度 1000门的门的PLD称为称为HDPLD (二二) 按集成密度分按集成密度分类 Field Programmable Gate Array，简称，简称 FPGA 。 PROM、PLA、PAL 和和 GAL 均属低密度均属低密度 PLD。ISP 器件由于密度和性能器件由于密度和性能继续提高，价提高，价钱继续降低，开降低，开发工具不断完善，因此正得到越来越工具不断完善，因此正得到越来越广泛的运用。广泛的运用。在系在系统可可编程程逻辑器件器件普通普通 PLD普通普通 PLD 需求运用编程器进展编程，需求运用编程器进展编程，而而 ISP 器件不需求编程器。器件不需求编程器。 (三三) 按按编程方式分程方式分类即即 In - System Programmable PLD (简称简称 ispPLD)半半导体体存存储器器由由许多多存存储单元元组成成，每每个个存存储单元元可可存存储一一位位二二进制制数数 。根根据据存存取取功功能能的的不不同同，半半导体体存存储器器分分为只只读存存储器器(ROM)和和随随机机存存取取存存储器器(RAM)，两两者者的的存存储单元元构构造造不不同同。ROM 属属于于大大规模模组合合逻辑电路，路，RAM 属于大属于大规模模时序序逻辑电路。路。本本 章章 小小 结ROM 用用于于存存放放固固定定不不变的的数数据据，存存储内内容容不不能能随随意意改改写写。任任务时，只只能能根根据据地地址址码读出出数数据据。断断电后后其其数数据据不不会会丧失失。ROM有有固固定定 ROM(又又称称掩掩膜膜 ROM) 和和可可编程程 ROM之之分分。固固定定 ROM 由由制制造造商商在在制制造造芯芯片片时，用用掩掩膜膜技技术向向芯芯片片写写入入数数据据，而而可可编程程 ROM 那那么么由由用用户向向芯芯片片写写入入数数据据。可可编程程 ROM 又又分分为一一次次可可编程程的的 PROM 和和可可反反复复改改写写、反反复复编程程的的 EPROM 和和 E2PROM。EPROM 为电写写入入紫紫外外擦擦除除型型，E2PROM 为电写写入入电擦擦除除型型，后后者者比比前前者者快快捷捷方方便便。可可编程程 ROM 都都要要用用公公用用的的编程器程器对芯片芯片进展展编程。程。 RAM 由由存存储矩矩阵、译码器器和和读/写写控控制制电路路组成成。它它可可以以读出出数数据据或或改改写写存存储的的数数据据，其其读、写写数数据据的的速速度度很很快快。因因此此，RAM 多多用用于于需需求求经常常改改换数数据据的的场所所，最最典典型型的的运运用用就就是是计算算机机中中的的内内存存。但但是是， RAM 断断电后数据将后数据将丧失。失。RAM 可可位位扩展展或或字字扩展展，也也可可位位、字字同同时扩展展。经过扩展展，可可由由多多片片小小容容量量的的 RAM 构成大容量的存构成大容量的存储器。器。RAM 有有静静态 RAM和和动态 RAM 之之分分。静静态 RAM(即即SRAM)的的存存储单元元为触触发器器，任任务时不不需需刷刷新新，但但存存储容容量量较小小。动态 RAM(即即 DRAM)的的存存储单元元是是利利用用 MOS 管管具具有有极极高高的的输入入电阻阻( 1010 )、在在栅极极电容容上上可可暂存存电荷荷的的特特点点来来存存储信信息息的的，由由于于栅极极电容容存存在在漏漏电，因因此此任任务时需需求求周周期期性性的的对存存储数据数据进展刷新。展刷新。作业：P269一1、2、3、45、6、7、8、10